• Kích thước tùy chỉnh Silicon carbide wafer 10 x10x0,5mm SiC pha lê 4H-N
  • Kích thước tùy chỉnh Silicon carbide wafer 10 x10x0,5mm SiC pha lê 4H-N
  • Kích thước tùy chỉnh Silicon carbide wafer 10 x10x0,5mm SiC pha lê 4H-N
  • Kích thước tùy chỉnh Silicon carbide wafer 10 x10x0,5mm SiC pha lê 4H-N
  • Kích thước tùy chỉnh Silicon carbide wafer 10 x10x0,5mm SiC pha lê 4H-N
Kích thước tùy chỉnh Silicon carbide wafer 10 x10x0,5mm SiC pha lê 4H-N

Kích thước tùy chỉnh Silicon carbide wafer 10 x10x0,5mm SiC pha lê 4H-N

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc: Trung Quốc
Hàng hiệu: ZMKJ
Số mô hình: 10 x10x0,5mmt

Thanh toán:

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1pcs
Giá bán: by case
chi tiết đóng gói: gói wafer đơn trong phòng vệ sinh 100 lớp
Thời gian giao hàng: 1-6 tuần
Điều khoản thanh toán: T/T, Western Union, MoneyGram
Khả năng cung cấp: 1-50 chiếc / tháng
Giá tốt nhất Tiếp xúc

Thông tin chi tiết

Vật chất: SiC đơn tinh thể loại 4H-N Lớp: Giả / lớp sản xuất
Thicnkss: 0,5 mm Suraface: đánh bóng
ứng dụng: kiểm tra mang Đường kính: 10 x10x0,5mmt
Màu: màu nâu tối
Điểm nổi bật:

silicon trên tấm sapphire

,

wafer sic

Mô tả sản phẩm


Kích thước tùy chỉnh / 10x10x0,5mmt / 2inch / 3inch / 4inch / 6inch 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N SIC thỏi / Độ tinh khiết cao 4H-N 4inch 6 inch dia 150mm silicon carbide tinh thể (sic) bánh quế

Giới thiệu về tinh thể cacbua silic (SiC)

Silicon carbide (SiC), còn được gọi là carborundum, là một chất bán dẫn có chứa silicon và carbon với công thức hóa học SiC. SiC được sử dụng trong các thiết bị điện tử bán dẫn hoạt động ở nhiệt độ cao hoặc điện áp cao, hoặc cả hai.SiC cũng là một trong những thành phần LED quan trọng, nó là chất nền phổ biến để phát triển các thiết bị GaN, và nó cũng đóng vai trò là thiết bị phân tán nhiệt ở mức cao đèn LED nguồn.

1. Mô tả
Bất động sản 4H-SiC, đơn tinh thể 6H-SiC, đơn tinh thể
Thông số mạng a = 3.076 Å c = 10.053 a = 3.073 Å c = 15.117
Xếp dãy ABCB ABCACB
Độ cứng Mohs .29.2 .29.2
Tỉ trọng 3,21 g / cm3 3,21 g / cm3
Nhiệt. Hệ số giãn nở 4-5 × 10-6 / K 4-5 × 10-6 / K
Chỉ số khúc xạ @ 750nm

không = 2,61
ne = 2,66

không = 2,60
ne = 2,65

Hằng số điện môi c ~ 9,66 c ~ 9,66
Độ dẫn nhiệt (loại N, 0,02 ohm.cm)

a ~ 4.2 W / cm · K @ 298K
c ~ 3,7 W / cm · K @ 298K

Độ dẫn nhiệt (Bán cách điện)

a ~ 4,9 W / cm · K @ 298K
c ~ 3,9 W / cm · K @ 298K

a ~ 4,6 W / cm · K @ 298K
c ~ 3,2 W / cm · K @ 298K

Khoảng cách ban nhạc 3,23 eV 3.02 eV
Sự cố điện trường 3-5 × 106V / cm 3-5 × 106V / cm
Vận tốc trôi bão hòa 2,0 × 105m / giây 2,0 × 105m / giây

 

4 inch n-pha tạp Silicon carbide SiC wafer

Thông số kỹ thuật chất nền có độ tinh khiết cao 4 inch đường kính Silicon carbide (SiC)


 
Kích thước của CATALOG
 

Loại 4H-N / wafer / thỏi SiC có độ tinh khiết cao
2 inch wafer / thỏi SiC loại 2H
Tấm wafer SiC loại 3 inch 4H
4 inch wafer / thỏi SiC loại 4H
6 inch wafer / thỏi SiC loại N 4 inch


4H wafer SiC bán cách điện / độ tinh khiết cao

Tấm wafer SiC cách nhiệt 2 inch 4H
Tấm wafer SiC cách nhiệt 3 inch 4H
4 inch wafer SiC cách nhiệt 4 inch
6 inch wafer SiC cách nhiệt 6 inch
Bánh quế SiC loại 6H
2 inch 6H N-Type SiC wafer / phôi
Kích thước tùy chỉnh cho 2-6 inch

Giới thiệu về Công ty ZMKJ

ZMKJ có thể cung cấp wafer SiC đơn tinh thể chất lượng cao (Silicon carbide) cho ngành công nghiệp điện tử và quang điện tử. SiC wafer là vật liệu bán dẫn thế hệ tiếp theo, với các tính chất điện độc đáo và tính chất nhiệt tuyệt vời, so với wafer silicon và wafer GaAs, wafer SiC phù hợp hơn cho ứng dụng thiết bị công suất cao và nhiệt độ cao. Tấm wafer SiC có thể được cung cấp với đường kính 2-6 inch, cả SiC 4H và 6H, loại N, pha tạp Nitơ và loại bán cách điện có sẵn. Vui lòng liên hệ với chúng tôi để biết thêm thông tin sản phẩm.


Sản phẩm quan hệ của chúng tôi  
Sapphire wafer & lens / LiTaO3 Crystal / SiC wafer / LaAlO3 / SrTiO3 / w wa / Ruby Ball

Muốn biết thêm chi tiết về sản phẩm này
Kích thước tùy chỉnh Silicon carbide wafer 10 x10x0,5mm SiC pha lê 4H-N bạn có thể gửi cho tôi thêm chi tiết như loại, kích thước, số lượng, chất liệu, v.v.

Chờ hồi âm của bạn.