 |
100mm Sapphire Chất nền 4 inch Al2O3 0,5mm C - Độ dày trục tùy chỉnh
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Nguồn gốc: | Trung Quốc |
| Hàng hiệu: | zmkj |
| Số mô hình: | 4INCH * 0,5mmt |
Thanh toán:
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 25 chiếc |
|---|---|
| Giá bán: | by case |
| chi tiết đóng gói: | trong 25 chiếc hộp wafer cassette dưới 100 phòng |
| Thời gian giao hàng: | 3-5 tuần |
| Điều khoản thanh toán: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Khả năng cung cấp: | 1000pcs mỗi tháng |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Vật chất: | sapphire đơn tinh thể | sự định hướng: | trục c |
|---|---|---|---|
| bề mặt: | ssp hoặc dsp | độ dày: | 0,5mm hoặc tùy chỉnh |
| ứng dụng: | led hoặc kính quang | phương pháp tăng trưởng: | kiêu |
| Kích thước: | 4INCH DIA100mm | ||
| Điểm nổi bật: | vật liệu sapphire,chất nền silicon |
||
Mô tả sản phẩm
2 inch / 3inch 4 inch / 5 inch C-trục / a-trục / r-trục / m-trục 6 "/ 6inch dia150mm Mặt phẳng Sapphire SSP / DSP với độ dày 650um / 1000umVề tinh thể sapphire tổng hợp
Thuộc tính Sapphire
| Vật lý | |
| Công thức hóa học | Al 2 O 3 |
| Tỉ trọng | 3,97 g / cm 3 |
| Độ cứng | 9 Mohs |
| Độ nóng chảy | 2050 o C |
| Tối đa sử dụng nhiệt độ | 1800-1900 o C |
| Cơ khí | |
| Sức căng | 250-400 MPa |
| Cường độ nén | 2000 MPa |
| Tỷ lệ của Poisson | 0,25-0,30 |
| Mô đun trẻ | 350-400 GPa |
| Lực bẻ cong | 450-860 MPa |
| Mô-đun Rapture | 350-690 MPa |
| Nhiệt | |
| Tốc độ mở rộng tuyến tính (ở 293-323 K) | 5,0 * 10 -6 K -1 (C) |
| 6,6 * 10 -6 K -1 (C) | |
| Độ dẫn nhiệt (ở 298 K) | 30,3 W / (m * K) (⊥ C) |
| 32,5 W / (m * K) (∥ C) | |
| Nhiệt dung riêng (ở 298 K) | 0,10 cal * g -1 |
| Điện | |
| Điện trở suất (ở 298 K) | 5,0 * 10 18 * cm (C) |
| 1,3-2,9 * 10 19 * cm (C) | |
| Hằng số điện môi (ở 298 K, trong khoảng 10 3 -10 9 Hz) | 9,3 (⊥ C) |
| 11,5 (∥ C) | |
Sapphire tổng hợp là tinh thể đơn trong suốt 99,99% Al 2 O 3 tinh khiết thể hiện sự kết hợp độc đáo giữa các tính chất vật lý, hóa học, điện và quang học: độ dẫn nhiệt cao, độ bền cao và chống trầy xước, độ cứng (9 trên thang Mohs), trong suốt phạm vi bước sóng, tính trơ hóa học.
Sự hoàn hảo tinh thể cao, độ phản ứng thấp và kích thước tế bào đơn vị thích hợp làm cho sapphire trở thành chất nền tuyệt vời trong ngành công nghiệp bán dẫn cho điốt phát sáng màu xanh lam (LED).
Kể từ khi đoạt giải Nobel Vật lý, Shuji Nakamura đã sử dụng chất nền sapphire vào những năm 1990 cho đèn LED, nhu cầu về tinh thể sapphire đã tăng lên nhanh chóng.
Nó thúc đẩy sự phát triển của các thị trường mới như chiếu sáng chung, chiếu sáng mặt sau trong TV, màn hình, thiết bị tiêu dùng, hàng không vũ trụ và quốc phòng, và các ứng dụng khác
Vật liệu này được phát triển và định hướng, và các chất nền được chế tạo và đánh bóng đến bề mặt Epi-Ready không bị hư hại cực kỳ mịn trên một hoặc cả hai mặt của wafer. Một loạt các định hướng wafer và kích thước đường kính lên đến 6 "có sẵn.
Chất nền sapphire A-Mặt phẳng - thường được sử dụng cho các ứng dụng vi điện tử lai yêu cầu hằng số điện môi đồng nhất và các đặc tính cách điện cao.
Chất nền C-Mặt phẳng - có xu hướng được sử dụng cho các hợp chất lll-V và ll-Vl, như GaN, cho điốt LED và laser màu xanh lam và xanh lục sáng.
Chất nền R-Plane - chúng được ưu tiên cho sự lắng đọng dị vòng của silicon được sử dụng trong các ứng dụng vi điện tử.
Bánh wafer tiêu chuẩn Tấm wafer sapphire phẳng 2 inch SSP / DSP Tấm wafer sapphire phẳng 3 inch SSP / DSP Tấm wafer sapphire mặt phẳng C 4 inch SSP / DSP Mặt phẳng sapphire 6 inch mặt phẳng SSP / DSP | Cắt đặc biệt A-mặt phẳng (1120) wafer sapphire R-sapphire (1102) sapphire wafer Tấm wafer M-phẳng (1010) Mặt phẳng sapphire N-11 (1123) Trục C với đường cắt 0,5 ° ~ 4 °, hướng về trục A hoặc trục M Định hướng tùy chỉnh khác |
Kích thước tùy chỉnh Tấm wafer 10 * 10 mm Tấm wafer 20 * 20 mm Tấm wafer sapphire siêu mỏng (100um) Tấm wafer 8 inch | Chất nền Sapphire có hoa văn (PSS) PSS máy bay C 2 inch PSS máy bay C 4 inch |
| 2 inch | DSP C-AXIS 0,1mm / 0,175mm / 0,2mm / 0,3mm / 0,4mm / 0,5,5mm / 1,0mmt Trục C SSP 0,2 / 0,43mm (DSP SSP) Trục A / trục M / trục R 0,43mm |
| 3 inch |
Trục C / SSP C 0,43mm / 0,5mm |
| 4Inch |
trục dsp 0,4mm / 0,5mm / 1,0mm ssp c trục 0,5mm / 0,65mm / 1,0mmt |
| 6 inch | ssp c trục 1.0mm / 1.3mmm trục dsp 0,65mm / 0,8mm / 1,0mmt |
Đặc điểm kỹ thuật cho chất nền
|
Chi tiết sản phẩm
các sản phẩm sapphire khác có liên quan
Tấm thạch anh GaN tấm thạch anh phủ sapphire thủy tinh wafer tùy chỉnh
|
