• Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch
  • Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch
  • Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch
  • Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch
  • Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch
Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch

Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc: Trung Quốc
Hàng hiệu: zmkj
Số mô hình: InP

Thanh toán:

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 3 CHIẾC
Giá bán: by case
chi tiết đóng gói: gói wafer đơn trong phòng làm sạch cấp 1000
Thời gian giao hàng: 2-4 tuần
Điều khoản thanh toán: T / T, Western Union
Khả năng cung cấp: 500 chiếc
Giá tốt nhất Tiếp xúc

Thông tin chi tiết

Vật chất: InP phương pháp tăng trưởng: vFG
Kích thước: 2 ~ 4 INCH Độ dày: 350-650um
Ứng dụng: Vật liệu bán dẫn bandgap trực tiếp III-V Bề mặt: ssp / dsp
Gói: hộp wafer đơn
Điểm nổi bật:

Chất nền bán dẫn InP

,

Chất nền bán dẫn tinh thể đơn

,

tấm lót 650um InP

Mô tả sản phẩm

Tấm lót 2 inch InP 3 inch 4 inch N / P LOẠI InP Tấm nền bán dẫn có pha tạp chất S + / Zn + / Fe +

 

tăng trưởng (phương pháp VFG sửa đổi) được sử dụng để kéo một tinh thể đơn lẻ qua chất bao bọc lỏng oxit boric bắt đầu từ hạt.

Chất pha tạp (Fe, S, Sn hoặc Zn) được thêm vào chén cùng với đa tinh thể.Áp suất cao được áp dụng bên trong buồng để ngăn chặn sự phân hủy của Indium Phosphide.anh ấy công ty đã phát triển một quy trình để mang lại tinh thể đơn tinh thể inP theo phương pháp phân tích hoàn toàn, độ tinh khiết cao và mật độ lệch thấp.

Kỹ thuật VFG cải tiến theo phương pháp LEC nhờ vào công nghệ vách ngăn nhiệt kết nối với số

mô hình hóa các điều kiện tăng trưởng nhiệt.tCZ là một công nghệ trưởng thành hiệu quả về chi phí với khả năng tái tạo chất lượng cao từ lần phát này đến lần khác.

 

Các ứng dụng:
IIt có ưu điểm là tốc độ trôi giới hạn điện tử cao, chống bức xạ tốt và dẫn nhiệt tốt.Thích hợp để sản xuất các thiết bị vi sóng tần số cao, tốc độ cao, công suất lớn và mạch tích hợp.

 

Đặc trưng:
1. Tinh thể được nuôi cấy bằng công nghệ kéo thẳng kín chất lỏng (LEC), với công nghệ hoàn thiện và hiệu suất điện ổn định.
2, sử dụng thiết bị định hướng tia X để định hướng chính xác, độ lệch hướng tinh thể chỉ ± 0,5 °
3, tấm wafer được đánh bóng bằng công nghệ đánh bóng cơ học hóa học (CMP), độ nhám bề mặt <0,5nm
4, để đạt được các yêu cầu "hộp mở sẵn sàng để sử dụng"
5, theo yêu cầu của người dùng, chế biến sản phẩm thông số kỹ thuật đặc biệt

 

Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch 0

Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch 1

Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch 2

             
kích thước (mm) Dia50,8x0,5mm, 10 × 10 × 0,5mm, 10 × 5 × 0,5mm có thể được tùy chỉnh
ra Độ nhám bề mặt (Ra): <= 5A
đánh bóng đánh bóng bên đơn hoặc đôi
gói hàng 100 túi nhựa làm sạch trong 1000 phòng làm sạch

 

Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch 3Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch 4

--- Câu hỏi thường gặp -

Q: Bạn là công ty thương mại hoặc nhà sản xuất?

A: zmkj là một công ty thương mại nhưng có một nhà sản xuất sapphire
là nhà cung cấp vật liệu bán dẫn wafer cho nhiều ứng dụng.

Hỏi: Thời gian giao hàng của bạn là bao lâu?

A: Nói chung là 5-10 ngày nếu hàng hóa trong kho.hoặc là 15-20 ngày nếu hàng không

trong kho, nó là theo số lượng.

Q: Bạn có cung cấp mẫu không?nó là miễn phí hay bổ sung?

A: Có, chúng tôi có thể cung cấp mẫu miễn phí nhưng không phải trả chi phí vận chuyển hàng hóa.

Q: Điều khoản thanh toán của bạn là gì?

A: Thanh toán <= 1000USD, trả trước 100%.Thanh toán> = 1000USD,
50% T / T trước, cân bằng trước khi giao hàng.
Nếu bạn có câu hỏi khác, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi như bên dưới:

Muốn biết thêm chi tiết về sản phẩm này
Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch bạn có thể gửi cho tôi thêm chi tiết như loại, kích thước, số lượng, chất liệu, v.v.

Chờ hồi âm của bạn.