• Độ dày 1,5mm 4h-N 4H-SEMI SIC Silicon cacbua Wafer cho mặt ngoài
  • Độ dày 1,5mm 4h-N 4H-SEMI SIC Silicon cacbua Wafer cho mặt ngoài
  • Độ dày 1,5mm 4h-N 4H-SEMI SIC Silicon cacbua Wafer cho mặt ngoài
Độ dày 1,5mm 4h-N 4H-SEMI SIC Silicon cacbua Wafer cho mặt ngoài

Độ dày 1,5mm 4h-N 4H-SEMI SIC Silicon cacbua Wafer cho mặt ngoài

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc: Trung Quốc
Hàng hiệu: ZMKJ
Số mô hình: Bánh xốp sic 4 inch

Thanh toán:

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 3 CHIẾC
Giá bán: by case
chi tiết đóng gói: gói wafer đơn trong phòng làm sạch 100 lớp
Thời gian giao hàng: 1-6 tuần
Điều khoản thanh toán: T / T, Western Union, MoneyGram
Khả năng cung cấp: 1-50 chiếc / tháng
Giá tốt nhất Tiếp xúc

Thông tin chi tiết

Vật chất: SiC đơn tinh thể 4h-N Lớp: Cấp sản xuất
Thicnkss: 1.5mm Suraface: DSP
Đăng kí: thuộc về tầng sinh môn Đường kính: 4 inch
màu sắc: màu xanh lá MPD: <1 cm-2
Điểm nổi bật:

Wafer 4h-N SIC

,

Wafer silicon cacbua 4h-N

,

Wafer silicon cacbua 1

Mô tả sản phẩm

 

Kích thước tùy chỉnh /2 inch / 3 inch / 4 inch / 6 inch 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N thỏi SIC / Độ tinh khiết cao 4H-N 4 inch 6 inch đường kính 150mm silicon cacbua đơn

sic wafer 4Inch nghiên cứu chính kích thước tiêu chuẩn 4H-N / SEMI

 

Giới thiệu về tinh thể silic cacbua (SiC)

Cacbua silic (SiC), còn được gọi là carborundum, là một chất bán dẫn có chứa silic và cacbon với công thức hóa học là SiC.SiC được sử dụng trong các thiết bị điện tử bán dẫn hoạt động ở nhiệt độ cao hoặc điện áp cao, hoặc cả hai. SiC cũng là một trong những thành phần LED quan trọng, nó là chất nền phổ biến để phát triển các thiết bị GaN và nó cũng đóng vai trò như một bộ truyền nhiệt ở các ... đèn LED nguồn.

 

1. Mô tả
Tài sản 4H-SiC, Tinh thể đơn 6H-SiC, Tinh thể đơn
Tham số mạng a = 3.076 Å c = 10.053 Å a = 3.073 Å c = 15.117 Å
Xếp dãy ABCB ABCACB
Độ cứng Mohs ≈9,2 ≈9,2
Tỉ trọng 3,21 g / cm3 3,21 g / cm3
Cái nhiệt.Hệ số giãn nở 4-5 × 10-6 / K 4-5 × 10-6 / K
Chỉ số khúc xạ @ 750nm

không = 2,61
ne = 2,66

không = 2,60
ne = 2,65

Hằng số điện môi c ~ 9,66 c ~ 9,66
Độ dẫn nhiệt (loại N, 0,02 ohm.cm)

a ~ 4,2 W / cm · K @ 298K
c ~ 3,7 W / cm · K @ 298K

 
Độ dẫn nhiệt (bán cách điện)

a ~ 4,9 W / cm · K @ 298K
c ~ 3,9 W / cm · K @ 298K

a ~ 4,6 W / cm · K @ 298K
c ~ 3,2 W / cm · K @ 298K

Khoảng cách ban nhạc 3,23 eV 3,02 eV
Trường điện phá vỡ 3-5 × 106V / cm 3-5 × 106V / cm
Tốc độ trượt bão hòa 2.0 × 105m / giây 2.0 × 105m / giây

4 inch n-doped 4H Silicon Carbide SiC Wafer

4H-N Đường kính 4 inch Silicon Carbide (SiC) Đặc điểm kỹ thuật của bề mặt

Đặc điểm kỹ thuật chất nền silicon cacbua (SiC) có đường kính 2 inch  
Lớp Lớp không MPD Lớp sản xuất Lớp nghiên cứu Lớp giả  
 
Đường kính 100. mm ± 0.5 mm  
 
Độ dày 350 μm ± 25μm hoặc 500 ± 25um Hoặc độ dày tùy chỉnh khác  
 
Định hướng Wafer Trục lệch: 4,0 ° về phía <1120> ± 0,5 ° đối với 4H-N / 4H-SI Trên trục: <0001> ± 0,5 ° đối với 6H-N / 6H-SI / 4H-N / 4H-SI  
 
Mật độ Micropipe ≤0 cm-2 ≤1cm-2 ≤5cm-2 ≤10 cm-2  
 
Điện trở suất 4H-N 0,015 ~ 0,028 Ω • cm  
 
6H-N 0,02 ~ 0,1 Ω • cm  
 
4 / 6H-SI ≥1E5 Ω · cm  
 
Căn hộ chính {10-10} ± 5,0 °  
 
Chiều dài phẳng chính 18,5 mm ± 2,0 mm  
 
Chiều dài phẳng thứ cấp 10,0mm ± 2,0 mm  
 
Định hướng phẳng thứ cấp Mặt silicon lên: 90 ° CW.từ phẳng chính ± 5,0 °  
 
Loại trừ cạnh 1 mm  
 
TTV / Bow / Warp ≤10μm / ≤10μm / ≤15μm  
 
Sự thô ráp Đánh bóng Ra≤1 nm  
 
CMP Ra≤0,5 nm  
 
Vết nứt do ánh sáng cường độ cao Không có 1 được phép, ≤2 mm Chiều dài tích lũy ≤ 10mm, chiều dài đơn ≤2mm  
 
 
Tấm Hex bằng ánh sáng cường độ cao Diện tích tích lũy ≤1% Diện tích tích lũy ≤1% Diện tích tích lũy ≤3%  
 
Khu vực đa dạng bởi ánh sáng cường độ cao Không có Diện tích tích lũy ≤2% Diện tích tích lũy ≤5%  
 
 
Trầy xước do ánh sáng cường độ cao 3 vết xước đến 1 × chiều dài tích lũy đường kính tấm wafer 5 vết xước đến 1 × chiều dài tích lũy đường kính tấm wafer 5 vết xước đến 1 × chiều dài tích lũy đường kính tấm wafer  
 
 
chip cạnh Không có 3 được phép, mỗi ≤0,5 mm 5 cho phép, mỗi ≤1 mm  

 

Sản xuất trưng bày

Độ dày 1,5mm 4h-N 4H-SEMI SIC Silicon cacbua Wafer cho mặt ngoài 1Độ dày 1,5mm 4h-N 4H-SEMI SIC Silicon cacbua Wafer cho mặt ngoài 2

Độ dày 1,5mm 4h-N 4H-SEMI SIC Silicon cacbua Wafer cho mặt ngoài 3
 
KÍCH THƯỚC DANH MỤC THÔNG DỤNGTrong DANH SÁCH KHO HÀNG CỦA CHÚNG TÔI  
 

 

Loại 4H-N / Tấm / thỏi SiC có độ tinh khiết cao
Tấm / thỏi SiC 2 inch 4H loại N
Tấm wafer SiC 3 inch 4H loại N
Tấm / thỏi SiC 4 inch 4H loại N
Tấm / thỏi SiC 6 inch 4H loại N

4H bán cách điện / Độ tinh khiết caoSiC wafer

Tấm wafer SiC bán cách nhiệt 2 inch 4H
Tấm wafer SiC bán cách nhiệt 3 inch 4H
Tấm wafer SiC bán cách nhiệt 4 inch 4H
Tấm wafer SiC bán cách nhiệt 6 inch 4H
 
 
Tấm lót SiC loại 6H
Tấm / thỏi SiC 2 inch 6H loại N
 
Kích thước tùy chỉnh cho 2-6 inch
 

Ứng dụng SiC

Lĩnh vực ứng dụng

  • 1 thiết bị điện tử tần số cao và công suất cao Điốt Schottky, JFET, BJT, PiN,
  • điốt, IGBT, MOSFET
  • 2 thiết bị quang điện tử: chủ yếu được sử dụng trong vật liệu nền LED xanh GaN / SiC (GaN / SiC) LED

> Bao bì - Logistcs
chúng tôi quan tâm đến từng chi tiết của gói, làm sạch, chống tĩnh điện, xử lý sốc.

Tùy theo số lượng và hình dạng của sản phẩm, chúng tôi sẽ thực hiện quy trình đóng gói khác nhau!Hầu như bằng băng wafer đơn hoặc băng 25 chiếc trong phòng làm sạch cấp 100.

Câu hỏi thường gặp
Q1.Bạn có phải là một nhà máy?
A1.Vâng, chúng tôi là một nhà sản xuất chuyên nghiệp của các thành phần quang học, chúng tôi có hơn 8 năm kinh nghiệm trong quá trình làm tấm và thấu kính quang học.
 
Quý 2.MOQ của sản phẩm của bạn là gì?
A2.Không có MOQ cho khách hàng nếu sản phẩm của chúng tôi còn hàng, hoặc 1-10 chiếc.
 
Q3: Tôi có thể tùy chỉnh các sản phẩm dựa trên yêu cầu của tôi không?
A3. Có, chúng tôi có thể tùy chỉnh vật liệu, thông số kỹ thuật và lớp phủ quang học cho các thành phần quang học theo yêu cầu của bạn.
 
Q4.Làm thế nào tôi có thể lấy mẫu từ bạn?
A4.Chỉ cần gửi cho chúng tôi yêu cầu của bạn, sau đó chúng tôi sẽ gửi ví dụ cho phù hợp.
 
Q5.Bao nhiêu ngày mẫu sẽ được hoàn thành?Làm thế nào về các sản phẩm đại chúng?
A5.Nói chung, chúng tôi cần 1 ~ 2 tuần để hoàn thành việc sản xuất mẫu.Đối với các sản phẩm đại trà, nó phụ thuộc vào số lượng đặt hàng của bạn.
 
Q6.Những gì thời gian giao hàng?
A6.(1) Đối với hàng tồn kho: thời gian giao hàng là 1-3 ngày làm việc.(2) Đối với các sản phẩm tùy chỉnh: thời gian giao hàng là 7 đến 25 ngày làm việc.
Theo số lượng.
 
Q7.Làm thế nào để bạn kiểm soát chất lượng?
A7.Hơn bốn lần kiểm tra chất lượng trong quá trình sản xuất, chúng tôi có thể cung cấp báo cáo kiểm tra Chất lượng.
 
Q8.Làm thế nào về khả năng sản xuất ống kính quang học của bạn mỗi tháng?
A8.Khoảng 1.000 chiếc / tháng. Theo yêu cầu chi tiết.

 

Muốn biết thêm chi tiết về sản phẩm này
Độ dày 1,5mm 4h-N 4H-SEMI SIC Silicon cacbua Wafer cho mặt ngoài bạn có thể gửi cho tôi thêm chi tiết như loại, kích thước, số lượng, chất liệu, v.v.

Chờ hồi âm của bạn.