Đường kính cưa 5G Lớp nền bán dẫn AlN tinh thể đơn 10mm

Công nghệ bán dẫn dựa trên silicon đã đạt đến giới hạn của nó và không thể đáp ứng các yêu cầu của tương lai

các thiết bị điện tử.Là một loại vật liệu bán dẫn thế hệ thứ 3 / thứ 4 điển hình, nhôm nitrua (AlN) có

Các đặc tính vật lý và hóa học vượt trội như dải tần rộng, độ dẫn nhiệt cao, độ phân hủy cao,

tính di động điện tử cao và khả năng chống ăn mòn / bức xạ, và là chất nền hoàn hảo cho các thiết bị quang điện tử,

thiết bị tần số vô tuyến (RF), thiết bị điện tử công suất cao / tần số cao, v.v. Đặc biệt, chất nền AlN là

ứng cử viên tốt nhất cho UV-LED, máy dò UV, laser UV, thiết bị RF công suất cao / tần số cao 5G và 5G SAW / BAW

các thiết bị có thể được sử dụng rộng rãi trong bảo vệ môi trường, điện tử, truyền thông không dây, in ấn,

sinh học, chăm sóc sức khỏe, quân sự và các lĩnh vực khác, chẳng hạn như thanh lọc / khử trùng bằng tia cực tím, đóng rắn bằng tia cực tím, xúc tác quang, coun?

phát hiện mối mọt, lưu trữ mật độ cao, đèn chiếu y tế, khám phá thuốc, giao tiếp không dây và an toàn,

phát hiện không gian vũ trụ / không gian sâu và các lĩnh vực khác.

chúng tôi đã phát triển một loạt các quy trình và công nghệ độc quyền để chế tạo

mẫu AlN chất lượng cao.Hiện tại, OEM của chúng tôi là công ty duy nhất trên toàn thế giới có thể sản xuất AlN 2-6 inch

mẫu trong khả năng sản xuất công nghiệp quy mô lớn với công suất 300.000 chiếc vào năm 2020 đáp ứng được chất nổ

nhu cầu thị trường từ UVC-LED, giao tiếp không dây 5G, máy dò và cảm biến UV, v.v.

 

Chúng tôi hiện đang cung cấp cho khách hàng nitơ chất lượng cao 10x10mm / Φ10mm / Φ15mm / Φ20mm / Φ25.4mm / Φ30mm / Φ50.8mm
Các sản phẩm nền đơn tinh thể nhôm, và cũng có thể cung cấp cho khách hàng loại không phân cực 10-20mm
Chất nền đơn tinh thể nhôm nitride mặt phẳng M hoặc tùy chỉnh 5mm-50,8mm phi tiêu chuẩn cho khách hàng
Chất nền đơn tinh thể nhôm nitride được đánh bóng.Sản phẩm này được sử dụng rộng rãi như một vật liệu nền cao cấp
Được sử dụng trong chip UVC-LED, máy dò UV, tia laser UV và nhiều công suất cao khác nhau
/ Nhiệt độ cao / lĩnh vực thiết bị điện tử tần số cao.

 

 

• Người mẫuUTI-AlN-10x10B-tinh thể đơn
• Đường kính 10x10 ± 0,5mm；
• Độ dày lớp nền (µm) 400± 50
• Sự định hướngTrục C [0001] +/- 0,5 °

Cấp chất lượng Cấp S (siêu) Cấp P (sản xuất) Cấp R (Nghiên cứu)

• Vết nứtKhông có Không có <3mm
• FWHM-2θXRD @ (0002) <150<300 <500
• FWHM-HRXRD @ (10-12) <100<200 <400
• Độ nhám bề mặt [5 × 5µm] (nm)CMP mặt Al <0,5nm;N-mặt (mặt sau) MP <1,2um;
• Diện tích sử dụng được 90%
• Độ hấp thụ <50 ； <70 ； <100 ；
• Chiều dài đầu tiên của OF {10-10} ± 5 ° ；
• TTV (µm)≤30
• Cung (µm)≤30
• Sợi dọc (µm)-30 ~ 30
• Lưu ý: Các kết quả mô tả đặc tính này có thể thay đổi một chút tùy thuộc vào thiết bị và / hoặc phần mềm được sử dụng