 |
Lớp nền AlN lớp mẫu AlN 2 inch cho thiết bị 5G BAW
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Nguồn gốc: | Trung Quốc |
| Hàng hiệu: | ZMKJ |
| Số mô hình: | 2 inch AlN-sapphire |
Thanh toán:
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 5 cái |
|---|---|
| Giá bán: | by case |
| chi tiết đóng gói: | hộp đựng wafer đơn trong phòng làm sạch |
| Thời gian giao hàng: | trong 30 ngày |
| Điều khoản thanh toán: | T / T, Western Union, PayPal |
| Khả năng cung cấp: | 50 CÁI / Tháng |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| cơ chất: | phiến đá sapphire | lớp: | Mẫu AlN |
|---|---|---|---|
| độ dày lớp: | 1-5um | loại dẫn điện: | N / P |
| Sự định hướng: | 0001 | ứng dụng: | thiết bị điện tử công suất cao / tần số cao |
| ứng dụng 2: | Thiết bị cưa 5G / BAW | độ dày silicon: | 525um / 625um / 725um |
| Điểm nổi bật: | Mẫu AlN 2 inch,Mẫu AlN thiết bị BAW 5G,nền sapphire 2 inch |
||
Mô tả sản phẩm
Mẫu AlN 2 inch 4 inch 6Inch Sapphire dựa trên AlN Phim AlN trên nền sapphire
2 inch trên nền sapphire AlN Lớp mẫu Wafer cho thiết bị 5G BAW
Các ứng dụng của mẫu AlN
OEM của chúng tôi đã phát triển một loạt các công nghệ độc quyền và lò phản ứng tăng trưởng PVT hiện đại nhất và các thiết bị để
chế tạo các kích thước khác nhau của tấm AlN tinh thể đơn chất lượng cao, temlpates AlN.Chúng tôi là một trong số ít công ty hàng đầu thế giới
các công ty công nghệ cao sở hữu đầy đủ cơ sở chế tạo AlN để sản xuất các tấm và bánh xốp AlN chất lượng cao, đồng thời cung cấp
các dịch vụ cá nhân và các giải pháp chìa khóa trao tay cho khách hàng của chúng tôi, được sắp xếp từ thiết kế lò phản ứng tăng trưởng và khu vực nóng,
mô hình hóa và mô phỏng, thiết kế và tối ưu hóa quy trình, tăng trưởng tinh thể,
wafering và đặc điểm vật liệu.Tính đến tháng 4 năm 2019, họ đã áp dụng hơn 27 bằng sáng chế (bao gồm cả PCT).
Sự chỉ rõ
Ch
đặc điểm kỹ thuật
đặc điểm kỹ thuật
Đặc điểm kỹ thuật mẫu GaN 4INCH relaterd khác
| GaN / Al₂O₃ Chất nền (4 ") 4 inch | |||
| Bài báo | Không pha tạp | Loại N |
Pha tạp nhiều Loại N |
| Kích thước (mm) | Φ100,0 ± 0,5 (4 ") | ||
| Cấu trúc nền | GaN trên Sapphire (0001) | ||
| Bề mặt hoàn thiện | (Tiêu chuẩn: Tùy chọn SSP: DSP) | ||
| Độ dày (μm) | 4,5 ± 0,5;20 ± 2; Tùy chỉnh | ||
| Loại dẫn | Không pha tạp | Loại N | Loại N pha tạp chất cao |
| Điện trở suất (Ω · cm) (300K) | ≤0,5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| Độ dày GaN đồng nhất |
≤ ± 10% (4 ") | ||
| Mật độ lệch (cm-2) |
≤5 × 108 | ||
| Diện tích bề mặt có thể sử dụng | ＞ 90% | ||
| Bưu kiện | Được đóng gói trong môi trường phòng sạch loại 100. | ||
| Cấu trúc tinh thể |
Wurtzite |
| Hằng số mạng (Å) | a = 3,112, c = 4,982 |
| Loại dây dẫn | Bandgap trực tiếp |
| Mật độ (g / cm3) | 3,23 |
| Độ cứng bề mặt (Knoop test) | 800 |
| Điểm nóng chảy (℃) | 2750 (10-100 bar trong N2) |
| Độ dẫn nhiệt (W / m · K) | 320 |
| Năng lượng khoảng cách vùng cấm (eV) | 6.28 |
| Độ linh động của electron (V · s / cm2) | 1100 |
| Trường đánh thủng điện (MV / cm) | 11,7 |
Muốn biết thêm chi tiết về sản phẩm này