 |
0,4mm Gali Nitride Wafer đơn tinh thể HVPE GaN đứng tự do cho thiết bị
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Nguồn gốc: | Trung Quốc |
| Hàng hiệu: | zmkj |
| Số mô hình: | Lớp nghiên cứu 2 inch |
Thanh toán:
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 2 CÁI |
|---|---|
| Giá bán: | 1000~2500usd/pc |
| chi tiết đóng gói: | hộp wafer đơn bằng gói chân không |
| Thời gian giao hàng: | 1-5 tuần |
| Điều khoản thanh toán: | T / T, Western Union |
| Khả năng cung cấp: | 50 chiếc mỗi tháng |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Vật chất: | GaN đơn tinh thể | Kích cỡ: | 2 inch |
|---|---|---|---|
| Độ dày: | 0,35 ~ 0,5mm | Thể loại: | Si-type / undoped ， Fe-doped ， |
| Ứng dụng: | Màn hình chiếu tia laser, thiết bị nguồn | Sự phát triển: | HVPE |
| Mặt: | SSP hoặc DSP | Sự định hướng: | 0001 |
| Bưu kiện: | hộp đựng wafer đơn | ||
| Điểm nổi bật: | 0.4mm HVPE GaN Wafer,4mm HVPE GaN Wafer,GaN đơn tinh thể đứng tự do |
||
Mô tả sản phẩm
Mẫu đế GaN 2 inch, tấm wafer GaN cho LeD, tấm wafer Gali Nitride bán dẫn cho ld, mẫu GaN, mocvd GaN Wafer, Chất nền GaN đứng tự do theo kích thước tùy chỉnh, tấm wafer GaN kích thước nhỏ cho đèn LED, mocvd Gallium Nitride wafer 10x10mm, 5x5mm, GaN 10x5mm wafer, Chất nền GaN đặt chân không phân cực (mặt phẳng a và mặt phẳng m)
Đặc tính GaN Wafer
- III-Nitrua (GaN, AlN, InN)
Gali Nitride là một loại chất bán dẫn hợp chất có khe hở rộng.Chất nền Gali Nitride (GaN) là
chất nền đơn tinh thể chất lượng cao.Nó được làm bằng phương pháp HVPE nguyên bản và công nghệ xử lý tấm wafer, đã được phát triển hơn 10 năm ở Trung Quốc.Các tính năng là kết tinh cao, độ đồng đều tốt và chất lượng bề mặt cao.Chất nền GaN được sử dụng cho nhiều loại ứng dụng, cho đèn LED trắng và LD (tím, xanh lam và xanh lá cây) Hơn nữa, sự phát triển đã tiến triển cho các ứng dụng thiết bị điện tử tần số cao và điện.
Độ rộng dải cấm (phát sáng và hấp thụ) che phủ tia cực tím, ánh sáng nhìn thấy và tia hồng ngoại.
Các ứng dụng
GaN có thể được sử dụng trong nhiều lĩnh vực như màn hình LED, phát hiện và hình ảnh năng lượng cao,
Màn hình chiếu tia laser, thiết bị nguồn, v.v.
- Thiết bị vi sóng tần số cao Phát hiện và tưởng tượng năng lượng cao
- Công nghệ hydro solor năng lượng mới Môi trường Phát hiện và y học sinh học
- Dải terahertz nguồn sáng
- Màn hình chiếu tia laser, thiết bị nguồn, v.v. Lưu trữ ngày tháng
- Chiếu sáng tiết kiệm năng lượng Màn hình fla đầy đủ màu sắc
- Chiếu tia laze Thiết bị điện tử hiệu quả cao
Đặc điểm kỹ thuật của đế GaN đứng tự do 2 inch
Tầm nhìn doanh nghiệp Factroy của chúng tôi
chúng tôi sẽ cung cấp chất nền GaN chất lượng cao và công nghệ ứng dụng cho ngành công nghiệp với nhà máy của chúng tôi.
GaNmaterial chất lượng cao là yếu tố hạn chế ứng dụng III-nitrides, ví dụ như tuổi thọ cao
và LD có độ ổn định cao, thiết bị vi sóng công suất cao và độ tin cậy cao, Độ sáng cao
và đèn LED hiệu quả cao, tiết kiệm năng lượng.
Chi tiết giao hàng
-FAQ -
Q: Những gì bạn có thể cung cấp hậu cần và chi phí?
(1) Chúng tôi chấp nhận DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF và v.v.
(2) Nếu bạn có số tốc hành của riêng mình, thật tuyệt.
Nếu không, chúng tôi có thể hỗ trợ bạn giao hàng.Cước = 25,0 USD (trọng lượng đầu tiên) + 12,0 USD / kg
Q: những gì thời gian giao hàng?
(1) Đối với các sản phẩm tiêu chuẩn như wafer 2 inch 0,35mm.
Đối với hàng tồn kho: giao hàng là 5 ngày làm việc sau khi đặt hàng.
Đối với các sản phẩm tùy chỉnh: giao hàng là 2 hoặc 4 tuần làm việc sau khi đặt hàng.
Q: Làm Thế Nào để thanh toán?
100 ％ T / T, Paypal, West Union, MoneyGram, Thanh toán an toàn và Đảm bảo thương mại.
Q: MOQ là gì?
(1) Đối với hàng tồn kho, MOQ là 1 chiếc.
(2) Đối với các sản phẩm tùy chỉnh, MOQ là 5pcs-10pcs.
Nó phụ thuộc vào số lượng và kỹ thuật.
Q: Bạn có báo cáo kiểm tra cho vật liệu?
Chúng tôi có thể cung cấp báo cáo ROHS và báo cáo tiếp cận cho các sản phẩm của mình.