2 inch 4 inch Dummy Prime SiC Chất nền chống sốc nhiệt Gốm Silicon cacbua wafer đơn

2 inch 4 inch Dummy Prime SiC Chất nền chống sốc nhiệt Gốm Silicon cacbua wafer đơn

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc: Trung Quốc
Hàng hiệu: ZMKJ
Số mô hình: 2 inch * 0,43mmt

Thanh toán:

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 3 chiếc
Giá bán: by case
chi tiết đóng gói: gói wafer đơn trong phòng làm sạch 100 cấp
Thời gian giao hàng: 2 tuần
Điều khoản thanh toán: T / T, Western Union, MoneyGram
Khả năng cung cấp: 1000 chiếc / tháng
Giá tốt nhất Tiếp xúc

Thông tin chi tiết

Vật liệu: SiC đơn tinh thể loại 4H-N Cấp: Giả / Cấp sản xuất / Prime
dày: 0,43mm bề mặt: đánh bóng
Ứng dụng: kiểm tra mang Đường kính: 2 inch * 0,43 mm
Màu sắc: Trà xanh
Điểm nổi bật:

Chất nền SiC giả Prime

,

Chất nền SiC 4 inch

,

Khả năng chống sốc nhiệt SiC Đơn tinh thể

Mô tả sản phẩm

 Kích thước tùy chỉnh 2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N thỏi SIC/Độ tinh khiết cao 4H-N 4inch 6inch đường kính 150mm tấm nền silicon carbide đơn tinh thể (sic)/Chất nền SIC loại 4 inch 4h-N 0,35 mm DSP Prime Zero Grade Silicon carbide wafer

Giới thiệu về tinh thể cacbua silic (SiC)

Cacbua silic (SiC), còn được gọi là carborundum, là chất bán dẫn chứa silic và cacbon với công thức hóa học SiC.SiC được sử dụng trong các thiết bị điện tử bán dẫn hoạt động ở nhiệt độ cao hoặc điện áp cao hoặc cả hai. SiC cũng là một trong những thành phần LED quan trọng, nó là chất nền phổ biến để phát triển các thiết bị GaN và nó cũng đóng vai trò là bộ tản nhiệt ở nhiệt độ cao. đèn LED nguồn.

1. Mô tả
Tài sản 4H-SiC, đơn tinh thể 6H-SiC, đơn tinh thể
Tham số mạng a=3,076 Å c=10,053 Å a=3,073 Å c=15,117 Å
Xếp dãy ABCB ABCACB
Độ cứng Mohs ≈9,2 ≈9,2
Tỉ trọng 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
nhiệt.Hệ số giãn nở 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Chỉ số khúc xạ @750nm

không = 2,61
ne = 2,66

không = 2,60
ne = 2,65

Hằng số điện môi c~9,66 c~9,66
Độ dẫn nhiệt (loại N, 0,02 ohm.cm)

a~4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K

 
Độ dẫn nhiệt (Bán cách nhiệt)

a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K

Khoảng cách ban nhạc 3,23 eV 3,02 eV
Điện trường phá vỡ 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Vận tốc trôi bão hòa 2,0×105m/giây 2,0×105m/giây

 

4 inch n-doped 4H Silicon Carbide SiC Wafer

Chất nền Silicon carbide (SiC) đường kính 4 inch có độ tinh khiết cao 
2 inch 4 inch Dummy Prime SiC Chất nền chống sốc nhiệt Gốm Silicon cacbua wafer đơn 12 inch 4 inch Dummy Prime SiC Chất nền chống sốc nhiệt Gốm Silicon cacbua wafer đơn 22 inch 4 inch Dummy Prime SiC Chất nền chống sốc nhiệt Gốm Silicon cacbua wafer đơn 3

 
CATALOGUE KÍCH THƯỚC THÔNG DỤNG                            
 

 

Loại 4H-N / wafer/thỏi SiC có độ tinh khiết cao
Tấm wafer/thỏi SiC loại N 2 inch 4H
Tấm wafer SiC loại N 3 inch 4H
Tấm wafer/thỏi SiC loại N 4 inch 4H
Tấm wafer/thỏi SiC loại N 6 inch 4H

 
Bán cách nhiệt 4H / Độ tinh khiết caophiến SiC

Tấm wafer SiC bán cách điện 2 inch 4H
Tấm wafer SiC bán cách điện 3 inch 4H
Tấm wafer SiC bán cách điện 4 inch 4H
Tấm wafer SiC bán cách điện 6 inch 4H
 
 
Tấm bán dẫn SiC 6H loại N
Tấm wafer/thỏi SiC loại N 2 inch 6H
 
Kích thước tùy chỉnh cho 2-6 inch
 

Về công ty ZMKJ
 
ZMKJ có thể cung cấp wafer SiC đơn tinh thể chất lượng cao (Silicon cacbua) cho ngành công nghiệp điện tử và quang điện tử.Tấm bán dẫn SiC là vật liệu bán dẫn thế hệ tiếp theo, với các đặc tính điện độc đáo và tính chất nhiệt tuyệt vời, so với tấm bán dẫn silicon và tấm bán dẫn GaAs, tấm bán dẫn SiC phù hợp hơn cho ứng dụng thiết bị công suất cao và nhiệt độ cao.Tấm wafer SiC có thể được cung cấp với đường kính 2-6 inch, cả SiC 4H và 6H, loại N, pha tạp Nitơ và loại bán cách điện đều có sẵn.Vui lòng liên hệ với chúng tôi để biết thêm thông tin sản phẩm.

 
Sản phẩm quan hệ của chúng tôi 
Tấm bán dẫn sapphire& thấu kính/ Tinh thể LiTaO3/ Tấm bán dẫn SiC/ LaAlO3 / SrTiO3/tấm bán dẫn/ Quả cầu Ruby

2 inch 4 inch Dummy Prime SiC Chất nền chống sốc nhiệt Gốm Silicon cacbua wafer đơn 4

Câu hỏi thường gặp

Q: Cách vận chuyển và chi phí là gì?

Trả lời: (1) Chúng tôi chấp nhận DHL, Fedex, EMS, v.v.

(2) không sao nếu bạn có tài khoản chuyển phát nhanh của riêng mình, Nếu không, chúng tôi có thể giúp bạn gửi chúng và

Vận chuyển hàng hóa là phù hợp với việc giải quyết thực tế.

 

Q: Làm thế nào để trả tiền?

A: T/T 100% tiền đặt cọc trước khi giao hàng.

 

Hỏi: Moq của bạn là gì?

Trả lời: (1) Đối với hàng tồn kho, Moq là 1 chiếc.nếu 2-5 chiếc thì tốt hơn.

(2) Đối với các sản phẩm commen tùy chỉnh, Moq là 10 chiếc trở lên.

 

Q: Thời gian giao hàng là gì?

A: (1) Đối với các sản phẩm tiêu chuẩn

Đối với hàng tồn kho: thời gian giao hàng là 5 ngày làm việc sau khi bạn đặt hàng.

Đối với các sản phẩm tùy chỉnh: thời gian giao hàng là 2 -4 tuần sau khi bạn liên hệ đặt hàng.

 

Q: Bạn có sản phẩm tiêu chuẩn?

A: Sản phẩm tiêu chuẩn của chúng tôi trong kho.giống như chất nền 4inch 0,35mm.

 

Muốn biết thêm chi tiết về sản phẩm này
2 inch 4 inch Dummy Prime SiC Chất nền chống sốc nhiệt Gốm Silicon cacbua wafer đơn bạn có thể gửi cho tôi thêm chi tiết như loại, kích thước, số lượng, chất liệu, v.v.

Chờ hồi âm của bạn.