 |
Sapphire wafer với bảng mạch kim loại hóa
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Nguồn gốc: | Trung Quốc |
| Hàng hiệu: | ZMKJ |
Thanh toán:
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 5 cái |
|---|---|
| Giá bán: | by case |
| chi tiết đóng gói: | thùng chứa wafer duy nhất trong phòng làm sạch |
| Thời gian giao hàng: | trong 30 ngày |
| Điều khoản thanh toán: | T/T, Công Đoàn Phương Tây, Paypal |
| Khả năng cung cấp: | 50 chiếc / tháng |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Cơ chất: | wafer sapphire với kim loại hóa | Lớp: | mẫu ngọc bích |
|---|---|---|---|
| độ dày lớp: | 1-5um | loại dẫn điện: | N/P |
| Định hướng: | 0001 | Ứng dụng: | thiết bị điện tử công suất cao/tần số cao |
| ứng dụng 2: | Thiết bị cưa/BAW 5G | độ dày silicon: | 525um/625um/725um |
| Điểm nổi bật: | Bảng mạch wafer Sapphire,wafer Sapphire kim loại hóa,chất nền bán dẫn sapphire |
||
Mô tả sản phẩm
2inch 4inch 4" Các mẫu GaN dựa trên Sapphire Phim GaN trên đế sapphire
Tính chất hóa học của GaN
1) Ở nhiệt độ phòng, GaN không hòa tan trong nước, axit và kiềm.
2) Hòa tan trong dung dịch kiềm nóng với tốc độ rất chậm.
3) NaOH, H2SO4 và H3PO4 có thể nhanh chóng ăn mòn GaN chất lượng kém, có thể được sử dụng để phát hiện khuyết tật tinh thể GaN chất lượng kém này.
4) GaN trong HCL hoặc hydro, ở nhiệt độ cao thể hiện các đặc tính không ổn định.
5) GaN ổn định nhất dưới nitơ.
Tính chất điện của GaN
1) Tính chất điện của GaN là yếu tố quan trọng nhất ảnh hưởng đến thiết bị.
2) GaN không pha tạp là n trong mọi trường hợp và nồng độ electron của mẫu tốt nhất là khoảng 4*(10^16)/c㎡.
3) Nói chung, các mẫu P đã chuẩn bị có độ bù cao.
Tính chất quang học của GaN
1) Vật liệu bán dẫn hỗn hợp dải rộng có độ rộng dải cao (2,3 ~ 6,2eV), có thể bao phủ phổ màu đỏ vàng lục, lam, tím và cực tím, cho đến nay là điều mà bất kỳ vật liệu bán dẫn nào khác không thể đạt được.
2) Chủ yếu được sử dụng trong thiết bị phát ra ánh sáng xanh và tím.
Thuộc tính của vật liệu GaN
1) Thuộc tính tần số cao, đạt 300G Hz.(Si là 10G & GaAs là 80G)
2) Đặc tính nhiệt độ cao, Công việc bình thường ở 300oC, rất phù hợp với môi trường hàng không vũ trụ, quân sự và nhiệt độ cao khác.
3) Độ trôi của điện tử có vận tốc bão hòa cao, hằng số điện môi thấp và dẫn nhiệt tốt.
4) Kháng axit và kiềm, chống ăn mòn, có thể sử dụng trong môi trường khắc nghiệt.
5) Đặc tính điện áp cao, chống va đập, độ tin cậy cao.
6) Công suất lớn, thiết bị liên lạc rất háo hức.
Cách sử dụng chính của GaN:
1) điốt phát quang, đèn LED
2) bóng bán dẫn hiệu ứng trường, FET
3) điốt laze, LD
đặc điểm kỹ thuật
Thông số mẫu GaN 4INCH liên quan khác
| Chất nền GaN/ Al₂O₃ (4") 4inch | |||
| Mục | không pha tạp | loại N |
pha tạp cao loại N |
| Kích thước (mm) | Φ100,0±0,5 (4") | ||
| Cấu trúc chất nền | GaN trên Sapphire (0001) | ||
| Bề MặtHoàn Thành | (Tiêu chuẩn: SSP Tùy chọn: DSP) | ||
| Độ dày (μm) | 4,5±0,5;20 ± 2;Tùy chỉnh | ||
| Loại dẫn điện | không pha tạp | loại N | Loại N pha tạp cao |
| Điện trở suất (Ω·cm)(300K) | ≤0,5 | ≤0,05 | ≤0,01 |
| Đồng nhất độ dày GaN |
≤±10% (4") | ||
| Mật độ trật khớp (cm-2) |
≤5×108 | ||
| Diện tích bề mặt có thể sử dụng | ＞90% | ||
| Bưu kiện | Đóng gói trong một môi trường phòng sạch lớp 100. | ||
| Cấu trúc tinh thể |
Wurtzite |
| Hằng số mạng (Å) | a=3,112, c=4,982 |
| Loại dải dẫn | bandgap trực tiếp |
| Tỷ trọng (g/cm3) | 3,23 |
| Độ vi mô bề mặt (thử nghiệm Knoop) | 800 |
| Điểm nóng chảy (℃) | 2750 (10-100 thanh trong N2) |
| Độ dẫn nhiệt (W/m·K) | 320 |
| Năng lượng vùng cấm (eV) | 6,28 |
| Độ linh động của electron (V·s/cm2) | 1100 |
| Trường sự cố điện (MV/cm) | 11.7 |