 |
Ống kính quang học silicon carbon 4h-Semi Sic có độ tinh khiết cao 5x5mmt
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Nguồn gốc: | Trung Quốc |
| Hàng hiệu: | ZMKJ |
| Số mô hình: | không pha tạp |
Thanh toán:
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 5 cái |
|---|---|
| Giá bán: | by case |
| chi tiết đóng gói: | gói wafer đơn trong phòng làm sạch 100 lớp |
| Thời gian giao hàng: | 1-6 tuần |
| Điều khoản thanh toán: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Khả năng cung cấp: | 1-50 chiếc / tháng |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Vật chất: | SiC đơn tinh thể | Độ cứng: | 9.4 |
|---|---|---|---|
| Hình dạng: | 5x5x10mmt | Sức chịu đựng: | ± 0,1mm |
| Đăng kí: | quang học | Loại hình: | độ tinh khiết cao 4h-bán |
| Điện trở suất: | > 1E7 Ω | Màu sắc: | Trong suốt |
| Mặt: | DSP | Dẫn nhiệt: | > 400W / 298KH |
| Điểm nổi bật: | Ống kính quang học Sic Silicon Carbon,Ống kính quang học Carbon Carbon 4h-Semi,Ống kính quang học Silicon Carbon 5x5mmt |
||
Mô tả sản phẩm
2 inch / 3 inch / 4 inch / 6 inch 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N thỏi SIC / Độ tinh khiết cao 4H-N 4 inch 6 inch đường kính 150mm silicon cacbua đơn tinh thể (sic),
Ống kính quang học silicon carbon 4h bán sic độ tinh khiết cao 5x5mmt cho tia laser hồng ngoại trung gianThấu kính quang học và quang học lượng tử phi tuyến
Giới thiệu về tinh thể silic cacbua (SiC)
Cacbua silic (SiC), còn được gọi là carborundum, là một chất bán dẫn có chứa silic và cacbon với công thức hóa học là SiC.SiC được sử dụng trong các thiết bị điện tử bán dẫn hoạt động ở nhiệt độ cao hoặc điện áp cao, hoặc cả hai. SiC cũng là một trong những thành phần LED quan trọng, nó là chất nền phổ biến để phát triển các thiết bị GaN và nó cũng đóng vai trò như một bộ truyền nhiệt ở các ... đèn LED nguồn.
Ứng dụng của SiC
Tinh thể SiC là một vật liệu bán dẫn băng tần rộng quan trọng.Do tính dẫn nhiệt cao, tốc độ trôi điện tử cao, cường độ trường đánh thủng cao và các tính chất vật lý và hóa học ổn định, nên nó được sử dụng rộng rãi ở nhiệt độ cao, trong các thiết bị điện tử tần số cao và công suất lớn.Có hơn 200 loại tinh thể SiC đã được phát hiện cho đến nay.Trong số đó, tinh thể 4H- và 6H-SiC đã được cung cấp thương mại.Chúng đều thuộc nhóm điểm 6mm và có hiệu ứng quang học phi tuyến bậc hai.Tinh thể SiC bán cách điện có thể nhìn thấy và trung bình.Dải hồng ngoại có độ truyền qua cao hơn.Do đó, các thiết bị quang điện tử dựa trên tinh thể SiC rất thích hợp cho các ứng dụng trong môi trường khắc nghiệt như nhiệt độ cao và áp suất cao.Tinh thể 4H-SiC bán cách điện đã được chứng minh là một loại tinh thể quang phi tuyến trung hồng ngoại mới.So với các tinh thể quang phi tuyến hồng ngoại trung bình thường được sử dụng, tinh thể SiC có độ rộng vùng cấm rộng (3.2eV) do tinh thể., Độ dẫn nhiệt cao (490W / m · K) và năng lượng liên kết lớn (5eV) giữa Si-C, do đó tinh thể SiC có ngưỡng phá hủy laser cao.Do đó, tinh thể 4H-SiC bán cách điện như một tinh thể chuyển đổi tần số phi tuyến có lợi thế rõ ràng trong việc phát ra tia laser hồng ngoại trung công suất cao.Như vậy, trong lĩnh vực laser công suất cao, tinh thể SiC là một tinh thể quang học phi tuyến có triển vọng ứng dụng rộng rãi.Tuy nhiên, nghiên cứu hiện tại dựa trên các tính chất phi tuyến của tinh thể SiC và các ứng dụng liên quan vẫn chưa hoàn thiện.Công trình này lấy tính chất quang phi tuyến của tinh thể 4H- và 6H-SiC làm nội dung nghiên cứu chính, nhằm giải quyết một số vấn đề cơ bản của tinh thể SiC về tính chất quang phi tuyến, nhằm đẩy mạnh ứng dụng của tinh thể SiC trong lĩnh vực của quang học phi tuyến.Một loạt các công việc liên quan đã được thực hiện về mặt lý thuyết và thực nghiệm, và các kết quả nghiên cứu chính như sau: Đầu tiên, các tính chất quang học phi tuyến cơ bản của tinh thể SiC được nghiên cứu.Sự khúc xạ nhiệt độ thay đổi của các tinh thể 4H- và 6H-SiC trong dải hồng ngoại nhìn thấy và trung hồng ngoại (404,7nm ～ 2325,4nm) đã được thử nghiệm, và phương trình Sellmier của chỉ số khúc xạ nhiệt độ thay đổi được trang bị.Lý thuyết mô hình dao động đơn được sử dụng để tính toán sự phân tán của hệ số quang nhiệt.Một giải thích lý thuyết được đưa ra;ảnh hưởng của hiệu ứng quang nhiệt đến sự kết hợp pha của các tinh thể 4H- và 6H-SiC được nghiên cứu.Kết quả cho thấy rằng sự phù hợp pha của các tinh thể 4H-SiC không bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ, trong khi các tinh thể 6H-SiC vẫn không thể đạt được sự kết hợp pha theo nhiệt độ.tình trạng.Ngoài ra, hệ số nhân đôi tần số của tinh thể 4H-SiC bán cách điện đã được kiểm tra bằng phương pháp viền Maker.Thứ hai, quá trình tạo tham số quang học femto giây và hiệu suất khuếch đại của tinh thể 4H-SiC được nghiên cứu.Về mặt lý thuyết, phân tích lý thuyết về sự phù hợp pha, khớp vận tốc nhóm, góc không thẳng hàng và chiều dài tinh thể tốt nhất của tinh thể 4H-SiC được bơm bởi tia laser femto giây 800nm.Sử dụng tia laser femto giây với bước sóng 800nm đầu ra bởi tia laser Ti: Sapphire làm nguồn bơm, sử dụng công nghệ khuếch đại tham số quang học hai giai đoạn, sử dụng tinh thể 4H-SiC bán cách điện dày 3,1mm làm tinh thể quang học phi tuyến, Kết hợp pha dưới 90 °, Lần đầu tiên người ta thu được một tia laser trung hồng ngoại có bước sóng trung tâm là 3750nm, năng lượng xung đơn lên đến 17μJ và độ rộng xung 70f bằng thực nghiệm.Laser femto giây 532nm được sử dụng làm ánh sáng bơm và tinh thể SiC được ghép pha 90 ° để tạo ra ánh sáng tín hiệu với bước sóng trung tâm đầu ra là 603nm thông qua các thông số quang học.Thứ ba, hiệu suất mở rộng phổ của tinh thể 4H-SiC bán cách điện như một môi trường quang học phi tuyến được nghiên cứu.Kết quả thực nghiệm cho thấy nửa chiều rộng cực đại của quang phổ được mở rộng tăng theo chiều dài tinh thể và mật độ công suất laser tới tinh thể.Sự gia tăng tuyến tính có thể được giải thích bằng nguyên tắc tự điều biến pha, nguyên nhân chủ yếu là do sự chênh lệch chiết suất của tinh thể với cường độ ánh sáng tới.Đồng thời, người ta phân tích rằng trong thang thời gian femto giây, chiết suất phi tuyến của tinh thể SiC có thể chủ yếu do các điện tử liên kết trong tinh thể và các điện tử tự do trong vùng dẫn;và công nghệ quét z được sử dụng để nghiên cứu sơ bộ tinh thể SiC dưới tia laser 532nm.Hấp thụ phi tuyến tính và không
hiệu suất chiết suất tuyến tính.
| Đặc tính | đơn vị | Silicon | SiC | GaN |
| Chiều rộng bản đồ | eV | 1.12 | 3,26 | 3,41 |
| Trường phân tích | MV / cm | 0,23 | 2,2 | 3,3 |
| Tính di động của điện tử | cm ^ 2 / Vs | 1400 | 950 | 1500 |
| Vận tốc trôi dạt | 10 ^ 7 cm / s | 1 | 2,7 | 2,5 |
| Dẫn nhiệt | W / cmK | 1,5 | 3.8 | 1,3 |
Đặc điểm kỹ thuật nền silicon cacbua (SiC)
Chất nền tinh thể silic cacbua SiC wafer carborundum
Đặc điểm kỹ thuật của 3 inch
| Lớp | Sản xuất | Lớp nghiên cứu | Lớp giả | |
| Đường kính | 100 mm ± 0,38 mm hoặc kích thước khác | |||
| Độ dày | 500 μm ± 25μm hoặc tùy chỉnh | |||
| Định hướng Wafer | Trên trục: <0001> ± 0,5 ° | |||
| Mật độ Micropipe | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤50 cm-2 | |
| Điện trở suất | 4H-N | 0,015 ~ 0,028 Ω · cm | ||
| 6H-N | 0,02 ~ 0,1 Ω · cm | |||
| 4 / 6H-SI | > 1E7 Ω · cm | (90%)> 1E5 Ω · cm | ||
| Căn hộ chính | {10-10} ± 5,0 ° | |||
| Chiều dài phẳng chính | 22,2 mm ± 3,2 mm | |||
| Chiều dài phẳng thứ cấp | 11,2 mm ± 1,5 mm | |||
| Định hướng phẳng thứ cấp | Mặt silicon lên: 90 ° CW.từ phẳng chính ± 5,0 ° | |||
| Loại trừ cạnh | 2 mm | |||
| TTV / Bow / Warp | ≤15μm / ≤25μm / ≤25μm | |||
| Sự thô ráp | Đánh bóng Ra≤1 nm | |||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||
| Vết nứt do ánh sáng cường độ cao | Không có | 1 được phép,≤ 1mm | 1 được phép, ≤2 mm | |
| Tấm Hex bằng ánh sáng cường độ cao | Diện tích tích lũy ≤1% | Diện tích tích lũy ≤1% | Diện tích tích lũy ≤3% | |
| Khu vực đa dạng bởi ánh sáng cường độ cao | Không có | Diện tích tích lũy ≤2% | Diện tích tích lũy ≤5% | |
| Trầy xước do ánh sáng cường độ cao | 3 vết xước đến 1 × chiều dài tích lũy đường kính tấm wafer | 5 vết xước đến 1 × chiều dài tích lũy đường kính tấm wafer | 8 vết xước đến 1 × chiều dài tích lũy đường kính tấm wafer | |
| Chip cạnh | Không có | 3 được phép, mỗi ≤0,5 mm | 5 cho phép, mỗi ≤1 mm | |
| Ô nhiễm bởi ánh sáng cường độ cao | Không có | |||
Giới thiệu về Công ty ZMKJ
ZMKJ có thể cung cấp wafer SiC đơn tinh thể (Silicon Carbide) chất lượng cao cho ngành công nghiệp điện tử và quang điện tử.SiC wafer là vật liệu bán dẫn thế hệ tiếp theo, với đặc tính điện độc đáo và đặc tính nhiệt tuyệt vời, so với wafer silicon và wafer GaAs, wafer SiC phù hợp hơn cho các ứng dụng thiết bị nhiệt độ cao và công suất lớn.SiC wafer có thể được cung cấp có đường kính 2-6 inch, cả SiC 4H và 6H, loại N, pha tạp Nitơ, và loại bán cách điện có sẵn.Vui lòng liên hệ với chúng tôi để biết thêm thông tin sản phẩm.
- Câu hỏi thường gặp:
- Q: Cách vận chuyển và chi phí là gì?
- A: (1) Chúng tôi chấp nhận DHL, Fedex, EMS, v.v.
- (2) không sao cả Nếu bạn có tài khoản cấp tốc của riêng mình, Nếu không, chúng tôi có thể giúp bạn gửi chúng và
- Vận chuyển hàng hóa là tôiNphù hợp với thực tế quyết toán.
- Q: Làm Thế Nào để thanh toán?
- A: T / T 100 ％ tiền đặt cọc trước khi giao hàng.
- Q: MOQ của bạn là gì?
- A: (1) Đối với hàng tồn kho, MOQ là 1 chiếc.nếu 2-5 cái thì tốt hơn.
- (2) Đối với các sản phẩm commen tùy chỉnh, MOQ là 10 chiếc.
- Q: những gì thời gian giao hàng?
- A: (1) Đối với các sản phẩm tiêu chuẩn
- Đối với hàng tồn kho: giao hàng là 5 ngày làm việc sau khi bạn đặt hàng.
- Đối với sản phẩm tùy chỉnh: giao hàng là 2-4 tuần sau khi bạn đặt hàng liên hệ.
- Q: Bạn có sản phẩm tiêu chuẩn?
- A: Sản phẩm tiêu chuẩn của chúng tôi trong kho.như chất nền 4 inch 0,35mm.