 |
Lớp màng mỏng 300 - 900nm LN-On-Silicon LiNbO3 Lithium Niobate wafer trên đế silicon
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Nguồn gốc: | Trung Quốc |
| Hàng hiệu: | ZMKJ |
| Chứng nhận: | ROHS |
| Số mô hình: | JZ-4INCH-LNOI |
Thanh toán:
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 2 chiếc |
|---|---|
| Giá bán: | by case |
| chi tiết đóng gói: | thùng chứa wafer duy nhất trong phòng làm sạch |
| Thời gian giao hàng: | 4 tuần |
| Điều khoản thanh toán: | T/T, Công Đoàn Phương Tây, Paypal |
| Khả năng cung cấp: | 10 cái/tháng |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Vật liệu: | Lớp LiNbO3 trên đế silicon | độ dày lớp: | 300-1000nm |
|---|---|---|---|
| Định hướng: | X-CUT | ứng dụng 2: | Thiết bị cưa/BAW 5G |
| ra: | 0,5nm | Lớp cách ly: | Sio2 |
| Cơ chất: | 525um | Kích cỡ: | 4inch 6inch 8inch |
| Điểm nổi bật: | Chất nền 900nm LN-On-Silicon,Tấm bán dẫn Lithium Niobate màng mỏng,Tấm bán dẫn Lithium Niobate 6 inch |
||
Mô tả sản phẩm
Lớp màng mỏng 300-900nm LN-On-Silicon LiNbO3 Lithium Niobate wafer trên đế silicon
Liti niobat (LiNbO3) tinh thể là một vật liệu quang điện quan trọng và được sử dụng rộng rãi trong quang học tích hợp, quang học phi tuyến, linh kiện quang điện tử và các lĩnh vực khác, một trong những vật liệu nền quan trọng nhất.Hiện tại, các tinh thể lithium niobate được sử dụng rộng rãi trong sóng âm bề mặt, điều chế quang điện, chuyển mạch laser Q, con quay quang học, dao động tham số quang học, khuếch đại tham số quang học, lưu trữ ảnh ba chiều quang học và các thiết bị khác, đóng vai trò quan trọng trong điện thoại di động điện thoại, truyền hình, truyền thông quang học, laser, máy dò điện trường và các thiết bị khác.
Quá trình sản xuất màng mỏng đơn tinh thể lithium niobate của chúng tôi có cấu trúc mạng tinh thể đơn, duy trì tính chất vật lý của vật liệu khối, với đường kính 3 inch, độ dày của màng mỏng đơn tinh thể lithium niobate phía trên là 0,3-0,7 micron, lớp giữa là silica (SiO2) dày 1 micron và lớp dưới cùng là chất nền wafer lithium niobate dày 0,5 mm.
Thông số kỹ thuật đặc trưng
| Màng mỏng Lithium Niobate 300-900 nm (LNOI) | ||||
| Lớp chức năng hàng đầu | ||||
| Đường kính | 3, 4, (6) inch | Định hướng | X, Z, Y, v.v. | |
| Vật liệu | LiNbO3 | độ dày | 300-900nm | |
| Pha tạp (tùy chọn) | MgO | |||
| Lớp cách ly | ||||
| Vật liệu | SiO2 | độ dày | 1000-4000nm | |
| Cơ chất | ||||
| Vật liệu | Si, LN, thạch anh, Silica nung chảy, v.v. | |||
| độ dày | 400-500 mm | |||
| Lớp điện cực tùy chọn | ||||
| Vật liệu | Pt, Au, Cr | độ dày | 100-400nm | |
| Kết cấu | Trên hoặc dưới lớp cách ly SiO2 | |||
Phim mỏng tùy chỉnh liên quan
| Màng mỏng Lithium Niobate & Lithium Tantalate tùy chỉnh | ||||||||
| Lớp trên cùng/Chi tiết | Chi tiết chất nền | Chi tiết màng mỏng lớp trên cùng | ||||||
| Cấu trúc nhiều lớp | Điện cực và ống dẫn sóng có hoa văn | Vật liệu khác nhau (SiO2/Si, Si, Sapphire, Quartz, v.v.) | PPLN | Kích thước đặc biệt | Điện cực (Au, Pt, Cr, Al, v.v.) | Định hướng (Giống như tấm wafer số lượng lớn) | Pha tạp (MgO, Fe, Er, Tm, v.v.) | |
| 100-1000nm LiNbO3 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ |
| LiTaO 100-1500nm3 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | |
|
5-50 ô LiNbO3 |
√ | √ | √ | √ | ||||
|
5-50 ô LiTaO3 |
√ | √ | √ | √ | ||||
Ứng dụng của LN-On-Silicon
1, truyền thông sợi quang, chẳng hạn như bộ điều biến ống dẫn sóng, v.v. So với các sản phẩm truyền thống, khối lượng thiết bị được sản xuất bằng cách sử dụng vật liệu màng mỏng này có thể giảm hơn một triệu lần, khả năng tích hợp được cải thiện rất nhiều, băng thông đáp ứng rộng , mức tiêu thụ điện năng thấp, hiệu suất ổn định hơn và giảm chi phí sản xuất.
2, các thiết bị điện tử, chẳng hạn như bộ lọc chất lượng cao, đường trễ, v.v.
3, lưu trữ thông tin và có thể thực hiện lưu trữ thông tin mật độ cao, dung lượng lưu trữ thông tin phim 3 inch là 70 tấn (100000 CD)
Hiển thị lớp màng mỏng wafer Lithium Niobate trên đế silicon
