 |
Lớp màng mỏng 2 inch 3 inch 4 inch LNOI LiNbO3 wafer Lithium Niobate trên đế silicon
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Nguồn gốc: | TRUNG QUỐC |
| Hàng hiệu: | ZMKJ |
| Chứng nhận: | ROHS |
| Số mô hình: | JZ-2inch 3inch 4inch INCH-LNOI |
Thanh toán:
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 1 CÁI |
|---|---|
| Giá bán: | by case |
| chi tiết đóng gói: | thùng chứa wafer duy nhất trong phòng làm sạch |
| Thời gian giao hàng: | 4 tuần |
| Điều khoản thanh toán: | T/T, Công Đoàn Phương Tây, Paypal |
| Khả năng cung cấp: | 10 cái/tháng |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Vật liệu: | Lớp LiNbO3 trên đế silicon | độ dày lớp: | 300-1000nm |
|---|---|---|---|
| Định hướng: | X-CUT | ra: | 0,5nm |
| Lớp cách ly: | Sio2 | Cơ chất: | 525um |
| Kích cỡ: | 2inch 3inch 4inch 8inch | tên sản phẩm: | LNOI |
| Điểm nổi bật: | Tấm wafer Lithium Niobate 4 inch,Tấm wafer LNOI Lithium Niobate màng mỏng,Chất nền silicon LiNbO3 |
||
Mô tả sản phẩm
2inch 3inch 4inch LNOI LiNbO3 wafer Lithium Niobate Lớp màng mỏng trên đế silicon
Quy trình chuẩn bị wafer LNOI được hiển thị bên dưới, bao gồm năm bước sau:
(1) Cấy ion:Máy cấy ion được sử dụng để điều khiển các ion He năng lượng cao từ bề mặt trên của tinh thể lithium niobate.Khi các ion He có năng lượng cụ thể đi vào tinh thể, chúng sẽ bị cản trở bởi các nguyên tử và electron trong tinh thể LN và dần dần chậm lại và giữ nguyên ở một vị trí độ sâu cụ thể, phá hủy cấu trúc tinh thể gần vị trí này và chia tinh thể LN thành A trên và A dưới. / lớp B.Và vùng A sẽ là màng mỏng mà chúng ta cần tạo ra LNOI.
(2) Chuẩn bị bề mặt:Để chế tạo các tấm mỏng lithium niobate wafer, chắc chắn không thể để các màng mỏng LN hàng trăm nm ở trạng thái lơ lửng.Vật liệu hỗ trợ cơ bản được yêu cầu.Trong các tấm SOI thông thường, chất nền là một lớp tấm silicon có độ dày hơn 500um, sau đó lớp điện môi SiO2 được chuẩn bị trên bề mặt.Cuối cùng, màng mỏng silicon đơn tinh thể được liên kết ở bề mặt trên để tạo thành các tấm SOI.Đối với các tấm LNOI, Si và LN là các chất nền thường được sử dụng, sau đó lớp điện môi SiO2 được điều chế bằng quá trình lắng đọng oxy nhiệt hoặc PECVD.Nếu bề mặt của lớp điện môi không bằng phẳng, cần có quy trình CMP mài cơ học hóa học để làm cho bề mặt trên nhẵn và mịn, thuận tiện cho quá trình liên kết tiếp theo.
(3) Liên kết phim:Sử dụng thiết bị liên kết wafer, tinh thể LN cấy ion được đảo ngược 180 độ và liên kết với chất nền.Đối với sản xuất ở mức wafer, các bề mặt liên kết của cả chất nền và LN đều được làm nhẵn, thường bằng cách liên kết trực tiếp mà không cần vật liệu kết dính trung gian.Đối với nghiên cứu khoa học, BCB (benzocyclobutene) cũng có thể được sử dụng làm vật liệu kết dính lớp trung gian để đạt được liên kết Die to Die.Chế độ liên kết BCB có yêu cầu thấp về độ mịn của bề mặt liên kết, rất phù hợp cho các thí nghiệm nghiên cứu khoa học.Tuy nhiên, BCBS không có độ ổn định lâu dài nên liên kết BCB thường không được sử dụng trong sản xuất wafer
(4) Ủ và Tước:Sau khi hai bề mặt tinh thể được liên kết và ép đùn, quá trình ủ và tước ở nhiệt độ cao được yêu cầu.Sau khi bề mặt của hai tinh thể được gắn vào, đầu tiên nó duy trì một thời gian nhất định ở nhiệt độ cụ thể để tăng cường lực liên kết giao diện và làm cho lớp ion được bơm vào bong bóng, để màng A và B dần dần tách ra.Cuối cùng, thiết bị cơ khí được sử dụng để tách hai màng ra, sau đó giảm dần nhiệt độ xuống nhiệt độ phòng để hoàn thành toàn bộ quá trình ủ và tước.
(5) Làm phẳng CMP:Sau khi ủ, bề mặt của wafer LNOI thô ráp và không bằng phẳng.Cần làm phẳng thêm CMP để làm phẳng màng trên bề mặt wafer và giảm độ nhám bề mặt.
Thông số kỹ thuật đặc trưng
| Màng mỏng Lithium Niobate 300-900 nm (LNOI) | ||||
| Lớp chức năng hàng đầu | ||||
| Đường kính | 3, 4, (6) inch | Định hướng | X, Z, Y, v.v. | |
| Vật liệu | LiNbO3 | độ dày | 300-900nm | |
| Pha tạp (tùy chọn) | MgO | |||
| Lớp cách ly | ||||
| Vật liệu | SiO2 | độ dày | 1000-4000nm | |
| Cơ chất | ||||
| Vật liệu | Si, LN, thạch anh, Silica nung chảy, v.v. | |||
| độ dày | 400-500 mm | |||
| Lớp điện cực tùy chọn | ||||
| Vật liệu | Pt, Au, Cr | độ dày | 100-400nm | |
| Kết cấu | Trên hoặc dưới lớp cách ly SiO2 | |||
Ứng dụng của LN-On-Silicon
1, truyền thông sợi quang, chẳng hạn như bộ điều biến ống dẫn sóng, v.v. So với các sản phẩm truyền thống, khối lượng thiết bị được sản xuất bằng cách sử dụng vật liệu màng mỏng này có thể giảm hơn một triệu lần, khả năng tích hợp được cải thiện rất nhiều, băng thông đáp ứng rộng , mức tiêu thụ điện năng thấp, hiệu suất ổn định hơn và giảm chi phí sản xuất.
2, các thiết bị điện tử, chẳng hạn như bộ lọc chất lượng cao, đường trễ, v.v.
3, lưu trữ thông tin và có thể thực hiện lưu trữ thông tin mật độ cao, dung lượng lưu trữ thông tin phim 3 inch là 70 tấn (100000 CD)
Hiển thị lớp màng mỏng wafer Lithium Niobate trên đế silicon
