Tóm tắt: Khám phá Chip tinh thể SiC wafer 4H-N SiC 10 x 10 x 0,5 mm chất lượng cao, hoàn hảo cho các ứng dụng bán dẫn và quang điện tử. Các cửa sổ quang SiC này cung cấp các đặc tính nhiệt và điện đặc biệt, lý tưởng cho môi trường nhiệt độ cao và điện áp cao. Kích thước tùy chỉnh có sẵn cho nhu cầu cụ thể của bạn.
Tính năng sản phẩm liên quan:
Chip tinh thể Silicon Carbide (SiC) loại 4H-N có độ tinh khiết cao với khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời.
Có sẵn trong các kích cỡ tùy chỉnh bao gồm đường kính 2 inch, 3 inch, 4 inch và 6 inch.
Lý tưởng cho các thiết bị điện tử bán dẫn hoạt động ở nhiệt độ cao hoặc điện áp cao.
Chất nền phổ biến để trồng các thiết bị GaN và bộ tản nhiệt trong đèn LED công suất cao.
Độ cứng Mohs khoảng 9.2, đảm bảo độ bền và khả năng chống mài mòn.
Hệ số giãn nở nhiệt 4-5×10-6/K, phù hợp để hoạt động ổn định dưới áp lực nhiệt.
Chỉ số khúc xạ @750nm: no = 2,61, ne = 2,66 cho các ứng dụng quang học chính xác.
Điện trường đánh thủng 3-5×106V/cm, hoàn hảo cho các thiết bị điện tử công suất cao.
CÂU HỎI THƯỜNG GẶP:
Các kích thước phổ biến có sẵn cho wafer Silicon Carbide là gì?
Tấm wafer Silicon Carbide có sẵn với các kích thước phổ biến là đường kính 2 inch, 3 inch, 4 inch và 6 inch, với các tùy chọn tùy chỉnh cho các yêu cầu cụ thể.
Các ứng dụng chính của Chip pha lê SiC 4H-N là gì?
Chip tinh thể SiC 4H-N được sử dụng rộng rãi trong thiết bị điện tử bán dẫn, đèn LED công suất cao và làm chất nền cho các thiết bị GaN nhờ đặc tính điện và nhiệt tuyệt vời của chúng.
Tấm wafer silicon cacbua có thể được tùy chỉnh cho các nhu cầu cụ thể không?
Có, Tấm wafer Silicon Carbide có thể được tùy chỉnh về kích thước và loại (4H-N, 6H-N hoặc bán cách điện) để đáp ứng các yêu cầu cụ thể cho ứng dụng của bạn.