Tháng 3 năm 2025 ️ Thông báo chính thức của ZMSH

ZMSH tự hào thông báo sự ra mắt chính thức của12 inch Silicon Carbide (SiC) wafer tinh thể đơn, đánh dấu aCột mốc quan trọngsản phẩm tiên tiến này hiện có sẵn cho khách hàng trên toàn thế giới, hỗ trợ nhu cầu tăng nhanh về xe điện (EV), năng lượng tái tạo,và hệ thống điện công nghiệp.

Là một người chơi hàng đầu trong ngành công nghiệp bán dẫn, ZMSH cam kết cung cấp các giải pháp tiên tiến giúp thúc đẩy tương lai của năng lượng và công nghệ.Việc ra mắt các tấm SiC 12 inch này đại diện cho một bước đột phá trong sản xuất các thiết bị năng lượng hiệu suất cao, lý tưởng cho một loạt các ứng dụng bao gồm xe điện (EV), hệ thống năng lượng tái tạo và lưới điện.

So với các tấm phiến silicon truyền thống, tấm phiến SiC cung cấp độ dẫn nhiệt vượt trội, dung nạp điện áp cao hơn và hiệu quả tốt hơn, làm cho chúng trở thành vật liệu quan trọng cho các hệ thống năng lượng hiện đại.Với sự ra đời của wafer 12 inch, ZMSH hiện có thể cung cấp các wafer lớn hơn, hiệu quả hơn, cho phép sản xuất nhiều thiết bị điện hơn cho mỗi wafer với chi phí thấp hơn.

Sự cung cấp mới này từ ZMSH sẽ cho phép các nhà sản xuất mở rộng sản xuất các thiết bị điện dựa trên SiC,giảm chi phí trong khi đáp ứng nhu cầu toàn cầu ngày càng tăng về các giải pháp năng lượng bền vững và hiệu suất cao.

Chúng tôi mời bạn khám phá tiềm năng của các wafer tinh thể đơn SiC 12 inch của chúng tôi và xem làm thế nào chúng có thể cách mạng hóa các dự án và ứng dụng của bạn trong thế giới điện tử công suất.Liên hệ với ZMSH ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về sản phẩm mới nhất của chúng tôi và làm thế nào nó có thể có lợi cho doanh nghiệp của bạn.

Tiếp tục đi trước với ZMSH là đối tác của bạn trong thế hệ điện tử năng lượng tiếp theo.

Đề xuất sản phẩm

12 inch SiC Wafer 300mm Silicon Carbide wafer Chất dẫn Dummy Grade N-Type

8 inch 12 inch 4H-N Type SiC Wafer Thickness 500±25um 1000±50 N Doped Dummy Prime Research Grade