Quy trình TGV (Qua kính qua)

TGV (Qua kínhThông qua)là mộttrình độ cao bao bìcông nghệ tạo ra theo chiều dọc thông qua microvias trong chất nền thủy tinh siêu mỏng và kim loại hóa chúng thànhcho phép thẳng đứngsự kết nối giữachip. Đặc trưngthấpsự mất mátở mức caotần số, nhiệt độ thấpnhấn mạnhvà lợi thế về chi phí, TGV làcoilà một trong những giải pháp quan trọng để2.5D/3Dbao bìvà Chiplethội nhập.

Cốt lõi Nguyên tắc

TGVquá trình liên quan đến chế tạoquy mô micron thông qua các lỗ,tiêu biểu 10–50 mmTRONGđường kính, TRONGChất nền thủy tinh siêu mỏng 100–700 μmchẳng hạn như thủy tinh borosilicate hoặc thạch anh. Những cái nàyviassau đó được lấp đầyđồngbằng cách mạ điện để tạo thànhthẳng đứngdẫn điệnkênh, đóng vai trò làthay thếđến truyền thốngBộ chuyển tiếp silicon TSV.

Tiêu chuẩn Quá trình Chảy

1. Tiền xử lý nền

Chất nền thủy tinh được làm sạch, sấy khô và phủ chất quang dẫn, sau đó là quang khắc đểdi dờichất gây ô nhiễm vàđịnh nghĩacáithông qua hoa văn.

2.Tia laze Thông qua sự hình thành

Đây làcốt lõibước đi của TGVquá trình. Cực nhanhtia laze, chẳng hạn như pico giây hoặc femto giâytia laze, được tập trung bên trong kính đểxúi giụcvết nứt nhỏ hoặcđã sửa đổi khu vực, hình thành caodiện mạo-tỷ lệ thông qua kênh. cácdiện mạo tỷ lệcó thể đạt tới150:1, vớithông qua đường kínhnhỏ như3 mmvà từng lỗ mộttính đồng nhất vượt quá 95%trên hàng triệuvias.

3. Ướtkhắc/Thông quaPhóng to / Làm sạch

HF hoặc BHFkhắcđược sử dụng đểdi dờicáitia laze-đã sửa đổi khu vực, làm mịnthông quacác vách bên vàchính xáckiểm soát trận chung kếtthông qua đường kính. Chất nền sau đó làtriệt đểlàm sạch đểdi dời dưtạp chất.

4. Kim loại hóa

Hạt giốngLớpLắng đọng:
Hạt Ti/Cu hoặc AlN/Culớplàký gửibằng cách phún xạđảm bảomạnhđộ bám dínhđếnthông quacác bức tường bên.

đồngMạ điện:
Xunghoặc mạ điện DC được sử dụng để đạt được sự hoàn thiện, không có khoảng trốngđồngđiền vào bên trongvias.

Bề mặt Sự đối đãi:
CMP được thực hiện để làm phẳngbề mặt, tiếp theo là phủ lớp chống oxy hóa nếuyêu cầu.

5. Hình thành / Va chạm RDL

Lớp phân phối lại được chế tạo với khả năng đường nét/không gian, thường2 mm, tiếp theo là đặt bi hàn hoặc tạo cột đồng để liên kết chip tiếp theo.

6. Kiểm tra / thái hạt lựu

Kiểm tra điện được thực hiện, tiếp theo là cắt wafer và kiểm tra sản phẩm cuối cùng.

Bản tóm tắt

Với ưu điểm của nó làhiệu suất tổn thất thấp tần số cao, ứng suất nhiệt thấp và chi phí cạnh tranh, TGV đã trở thành công nghệ chủ chốt cho kết nối 3D trong thời kỳ hậu Moore. Những đột phá kỹ thuật cốt lõi của nó nằm ởlaser thông qua sự hình thành và mạ điện đồng không có khoảng trống. Khi công nghệ chuyển sang sản xuất hàng loạt vào năm 2026, nó được kỳ vọng sẽ đóng một vai trò quan trọng trongĐiện toán AI, thiết bị RF 5G/6G, đóng gói tiên tiến và tích hợp Chiplet.