Độ dày lớn SiO2 nhiệt oxit trên silicon wafers cho hệ thống truyền thông quang học

Sapphi Oxit nhiệt độ dày lớn (SiO2) trên tấm silicon cho hệ thống truyền thông quang học

Nhìn chung, độ dày lớp oxit của tấm silicon chủ yếu tập trung dưới 3um, các quốc gia và khu vực có thể sản xuất ổn định lớp oxit dày chất lượng cao (trên 3um) vẫn do Hoa Kỳ, Nhật Bản, Hàn Quốc và Đài Loan thống trị. , Trung Quốc.Dự án này nhằm mục đích vượt qua hiệu quả tạo màng, giới hạn độ dày màng và chất lượng tạo màng của màng oxit (SiO) theo quy trình tăng trưởng lớp oxit hiện tại và tạo ra wafer silicon lớp oxit siêu dày tối đa 25um(+5%) với chất lượng cao và hiệu quả cao trong thời gian tương đối ngắn.Độ đồng đều trong mặt phẳng và liên mặt phẳng +0,5%, chiết suất 1550nm 1,4458+0,0001.Đóng góp vào việc nội địa hóa 5G và truyền thông quang học.

Những lý do củaMột ngày nào đó truyền thông quang học sẽ thay thế truyền thông có dây và vi sóng và trở thành xu hướng truyền thông chủ đạo

1. Thiết bị thông tin quang là cơ sở để xây dựng hệ thống và mạng thông tin quang
2. Thiết bị quang thụ động là một bộ phận quan trọng của thiết bị truyền thông sợi quang và nó cũng là thành phần không thể thiếu trong các ứng dụng sợi quang khác.
3. Thiết bị thụ động quang học thực hiện các chức năng kết nối, suy giảm năng lượng, shunt hoặc shunt cách ly ngược, điều chế tín hiệu và lọc trong đường dẫn quang tương ứng
4. Trong số đó, Splitter (Bộ chia), Star Coupler (Star Coupler), Công tắc quang (Optical switch), bộ ghép kênh phân chia bước sóng (WDM), cách tử dẫn sóng mảng (AWG), v.v., đều là các thiết bị thụ động quang học dựa trên công nghệ ống dẫn sóng quang phẳng các giải pháp.
5. Đối với các ống dẫn sóng quang, silica (Sio), với các đặc tính quang, cơ điện tốt và ổn định nhiệt, được coi là phương pháp kỹ thuật thực tế và hứa hẹn nhất để tích hợp quang thụ động.

Ứng dụng của Oxit nhiệt (SiO2) trên tấm silicon

• Trong bối cảnh sự phát triển nhanh chóng của 5G và truyền thông quang học, cũng như nhu cầu truyền tải và trao đổi thông tin ngày càng tăng của con người, việc theo đuổi tốc độ cao và độ trễ thấp là vô tận.
• Là chất mang đường quang tuyệt vời, silicon dioxide (SiO2) cũng đặt ra các yêu cầu cao hơn và khắt khe hơn về độ dày và độ tinh khiết của nó, và silicon lớp oxit là vật liệu không thể thiếu để hỗ trợ các thiết bị quang truyền thông quang học.
• Các quốc gia và khu vực có thể sản xuất lớp oxit dày (trên 3um) với chất lượng cao và ổn định vẫn chủ yếu là Hoa Kỳ, Nhật Bản, Hàn Quốc và Đài Loan, Trung Quốc.

Phương pháp sản xuât

Các tấm silicon tạo thành các lớp silica thông qua các ống lò với sự có mặt của các tác nhân oxy hóa ở nhiệt độ cao, một quá trình được gọi là quá trình oxy hóa nhiệt.Phạm vi nhiệt độ được kiểm soát từ 900 đến 1.250oC;Tỷ lệ khí oxy hóa H2:O2 là từ 1,5:1 đến 3:1.Tùy theo kích thước của tấm wafer silicon, sẽ có mức độ mất dòng khác nhau nếu không có độ dày oxy hóa. Tấm silicon nền là silicon đơn tinh thể 6 "hoặc 8" với độ dày lớp oxit từ 0,1μm đến 25μm.

Tiêu chuẩn rõ ràng

Các chi tiết của sản phẩm

Các sản phẩm khác chúng tôi có

Tấm wafer sapphire Tấm wafer PSS