• 4 inch 6 inch 8 inch SOI Wafers tương thích với CMOS cấu trúc ba lớp
  • 4 inch 6 inch 8 inch SOI Wafers tương thích với CMOS cấu trúc ba lớp
  • 4 inch 6 inch 8 inch SOI Wafers tương thích với CMOS cấu trúc ba lớp
  • 4 inch 6 inch 8 inch SOI Wafers tương thích với CMOS cấu trúc ba lớp
4 inch 6 inch 8 inch SOI Wafers tương thích với CMOS cấu trúc ba lớp

4 inch 6 inch 8 inch SOI Wafers tương thích với CMOS cấu trúc ba lớp

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc: China
Hàng hiệu: ZMSH
Số mô hình: SOI wafer

Thanh toán:

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 5
Thời gian giao hàng: 2-4 tuần
Điều khoản thanh toán: T/T
Giá tốt nhất Tiếp xúc

Thông tin chi tiết

Dẫn nhiệt: Khả năng dẫn nhiệt tương đối cao Ưu điểm hiệu suất: Tính năng điện cao hơn, giảm kích thước, giảm qua sóng giữa các thiết bị điện tử, trong số những thi
Độ dày lớp hoạt động: Thông thường dao động từ một vài đến vài chục nanometer (nm) điện trở suất: Thông thường dao động từ vài trăm đến vài ngàn Ohm-centimeters (Ω·cm)
Đường kính bánh xốp: 4 inch, 6 inch, 8 inch hoặc lớn hơn Đặc điểm tiêu thụ năng lượng: Đặc điểm tiêu thụ năng lượng thấp
Ưu điểm của quy trình: Cung cấp hiệu suất thiết bị điện tử được cải thiện và tiêu thụ năng lượng thấp hơn Nồng độ ô nhiễm: Nồng độ ô nhiễm thấp nhằm giảm thiểu tác dụng di chuyển electron
Điểm nổi bật:

Silicon trên các giá đỡ wafer cách điện

,

SOI Wafers 4 inch

,

CMOS Cấu trúc ba lớp SOI Wafers

Mô tả sản phẩm

SOI wafers 4 Inches, 6 Inches, 8 Inches, tương thích với cấu trúc CMOS ba lớp

Mô tả sản phẩm:

 

SOI (Silicon on Insulator) là một công nghệ tiên phong trong lĩnh vực công nghệ bán dẫn, cách mạng hóa nền điện tử tiên tiến.chiếc wafer tiên tiến này thể hiện một sự đổi mới, cung cấp hiệu suất, hiệu quả và tính linh hoạt vô song.

 

Ở lõi của nó nằm trong một cấu trúc ba lớp. Lớp trên cùng có một lớp silic đơn tinh thể, được gọi là Lớp thiết bị, phục vụ như nền tảng cho mạch tích hợp.Dưới đó là lớp oxit bị chôn vùi., cung cấp cách nhiệt và cách ly giữa lớp silicon trên cùng và cơ sở.tạo thành nền tảng mà trên đó kiệt tác công nghệ này được xây dựng.

 

Một trong những đặc điểm nổi bật của wafer SOI là khả năng tương thích với công nghệ CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor).Sự tương thích này tích hợp liền mạch các lợi ích của SOI vào các quy trình sản xuất bán dẫn hiện có, cung cấp một con đường để tăng hiệu suất mà không làm gián đoạn các phương pháp sản xuất đã được thiết lập.

 

Các thành phần sáng tạo ba lớp của SOI wafer mang lại một loạt các lợi thế. nó làm giảm đáng kể tiêu thụ năng lượng, do các tính chất cách nhiệt của lớp Oxide chôn,làm giảm tối thiểu dung lượng thiết bị điện tử và tăng tốc độ và hiệu quả mạchViệc giảm tiêu thụ điện năng này không chỉ tăng tuổi thọ pin trong các thiết bị di động mà còn góp phần vào hoạt động hiệu quả năng lượng trong nhiều ứng dụng.

 

Hơn nữa, lớp cách nhiệt của wafer SOI mang lại khả năng chống bức xạ vượt trội, làm cho nó đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng trong môi trường khắc nghiệt và bức xạ cao.Khả năng giảm thiểu tác động của bức xạ đảm bảo độ tin cậy và chức năng, ngay cả trong điều kiện cực đoan.

 

Cấu trúc ba lớp cũng làm giảm nhiễu tín hiệu, tối ưu hóa hiệu suất của mạch tích hợp bằng cách giảm crossstalk giữa các thành phần.mở đường cho việc tăng cường hiệu quả xử lý dữ liệu và truyền thông.

 

Ngoài ra, lớp cách nhiệt hỗ trợ phân tán nhiệt hiệu quả, phân tán nhiệt hiệu quả bên trong wafer.đảm bảo hiệu suất và tuổi thọ lâu dài của các mạch tích hợp.

 

Kết luận, SOI wafer đại diện cho một sự thay đổi mô hình trong công nghệ bán dẫn.mở ra một lĩnh vực khả năng cho điện tử hiệu suất caoTừ điện tử tiêu dùng tiết kiệm năng lượng đến các giải pháp mạnh mẽ cho hàng không và quốc phòng,Thiết kế sáng tạo của wafer SOI và nhiều lợi thế đa diện làm cho nó trở thành nền tảng của thế giới đổi mới bán dẫn liên tục phát triển.

4 inch 6 inch 8 inch SOI Wafers tương thích với CMOS cấu trúc ba lớp 0

Đặc điểm:

Cấu trúc hai lớp: Wafer SOI bao gồm ba lớp, lớp trên cùng là lớp silic đơn tinh thể (Device Layer),lớp giữa là lớp cách nhiệt (Buried Oxide Layer), và lớp dưới cùng là chất nền silicon (Handle Layer).

 

Tiêu thụ năng lượng thấp: Do sự hiện diện của lớp cách nhiệt, tấm SOI cho thấy mức tiêu thụ năng lượng thấp hơn trong các thiết bị điện tử.Lớp cách nhiệt làm giảm hiệu ứng ghép điện dung giữa các thiết bị điện tử, do đó tăng tốc độ và hiệu quả của mạch tích hợp.

 

Chống bức xạ: Lớp cách nhiệt của wafer SOI tăng cường khả năng chống bức xạ của silicon, cho phép hiệu suất tốt hơn trong môi trường bức xạ cao,làm cho nó phù hợp với các ứng dụng cụ thể.

 

Giảm qua âm: Sự hiện diện của lớp cách nhiệt giúp giảm qua âm giữa các tín hiệu, cải thiện hiệu suất của mạch tích hợp.

Phân tán nhiệt: Lớp cách nhiệt của wafer SOI góp phần phân tán nhiệt, tăng hiệu quả phân tán nhiệt của mạch tích hợp, giúp ngăn ngừa quá nóng chip.

 

Sự tích hợp và hiệu suất cao: Công nghệ SOI cho phép chip có sự tích hợp và hiệu suất cao hơn, cho phép các thiết bị điện tử chứa nhiều thành phần trong cùng kích thước.

 

Khả năng tương thích CMOS: Các tấm SOI tương thích với công nghệ CMOS, có lợi cho các quy trình sản xuất bán dẫn hiện có.

Sản xuất wafer SOI

4 inch 6 inch 8 inch SOI Wafers tương thích với CMOS cấu trúc ba lớp 1

 

Các thông số kỹ thuật:

Các thông số Giá trị
Độ dày của lớp cách nhiệt Khoảng vài trăm nanomet
Kháng chất Thông thường dao động từ vài trăm đến vài ngàn Ohm-centimeters (Ω·cm)
Quá trình sản xuất Các lớp Silicon đa tinh thể được chuẩn bị bằng một quy trình đặc biệt
Độ dày lớp hoạt động Thông thường dao động từ một vài đến vài chục nanometer (nm)
Loại doping Loại P hoặc loại N
Lớp cách nhiệt Silicon dioxide
Chất lượng tinh thể giữa các lớp Cấu trúc tinh thể chất lượng cao, góp phần vào hiệu suất thiết bị
Độ dày SOI Thông thường trong phạm vi vài trăm nanomet đến một vài micromet
Ưu điểm của quy trình Cung cấp hiệu suất thiết bị điện tử được cải thiện và tiêu thụ năng lượng thấp hơn
Ưu điểm hiệu suất Tính năng điện cao hơn, giảm kích thước, giảm qua sóng giữa các thiết bị điện tử, trong số những thiết bị khác
Khả năng dẫn điện Cao
Ôxy hóa bề mặt Có sẵn
Vỏ silic oxit Có sẵn
Epitaxy Có sẵn
Thuốc kích thích Loại P hoặc loại N
SOI Có sẵn
 

Ứng dụng:

Sản xuất vi xử lý và mạch tích hợp: Công nghệ SOI đóng một vai trò quan trọng trong sản xuất vi xử lý và mạch tích hợp.hiệu suất cao, và khả năng chống bức xạ làm cho nó trở thành sự lựa chọn lý tưởng cho các vi xử lý hiệu suất cao, đặc biệt là trong các lĩnh vực như thiết bị di động và điện toán đám mây.

 

Công nghệ truyền thông và không dây: Việc áp dụng rộng rãi công nghệ SOI trong lĩnh vực truyền thông là do khả năng giảm tiêu thụ điện và tăng cường tích hợp.Điều này bao gồm sản xuất mạch tích hợp hiệu suất cao cho các thiết bị tần số vô tuyến (RF) và vi sóng, cũng như chip hiệu quả cho các thiết bị 5G và Internet of Things (IoT).

 

Công nghệ hình ảnh và cảm biến: Mảng SOI được sử dụng đáng kể trong việc sản xuất cảm biến hình ảnh và các loại cảm biến khác nhau.Hiệu suất cao và tiêu thụ năng lượng thấp làm cho chúng rất quan trọng trong các lĩnh vực như máy ảnh, thiết bị hình ảnh y tế, và cảm biến công nghiệp.

 

Không gian và Quốc phòng: Bản chất chống bức xạ của các tấm SOI làm cho chúng vượt trội trong môi trường bức xạ cao, dẫn đến các ứng dụng quan trọng trong không gian và quốc phòng.Chúng được sử dụng trong sản xuất các thành phần chính cho các phương tiện bay không người lái, vệ tinh, hệ thống định vị và cảm biến hiệu suất cao.

 

Quản lý năng lượng và công nghệ xanh: Do mức tiêu thụ năng lượng thấp và hiệu quả cao, các tấm SOI cũng tìm thấy các ứng dụng trong quản lý năng lượng và công nghệ xanh.Chúng bao gồm việc sử dụng trong lưới thông minh, các nguồn năng lượng tái tạo và các thiết bị tiết kiệm năng lượng.

 

Nhìn chung, ứng dụng đa năng của các tấm SOI trải rộng trên nhiều lĩnh vực khác nhau, do các tính chất độc đáo của chúng,làm cho chúng trở thành vật liệu ưa thích cho nhiều thiết bị và hệ thống điện tử hiệu suất cao.

 

Tùy chỉnh:

Các chất nền bán dẫn tùy chỉnh

Tên thương hiệu: ZMSH

Số mô hình: SOI wafer

Địa điểm xuất xứ: Trung Quốc

Các chất nền bán dẫn tùy chỉnh được sản xuất với công nghệ phim mỏng tiên tiến, điện oxy hóa, dẫn điện, lọc và doping.bề mặt phẳng chất lượng cao, giảm khiếm khuyết, nồng độ tạp chất thấp nhằm giảm thiểu tác động của sự di chuyển electron, cấu trúc tinh thể chất lượng cao, góp phần vào hiệu suất thiết bị và khả năng chống bức xạ mạnh.

 

Hỗ trợ và Dịch vụ:

Hỗ trợ kỹ thuật và dịch vụ cho chất nền bán dẫn

Chúng tôi cung cấp hỗ trợ kỹ thuật toàn diện và dịch vụ cho các sản phẩm chất nền bán dẫn của chúng tôi, bao gồm:

  • Hướng dẫn lựa chọn sản phẩm
  • Lắp đặt và đưa vào sử dụng
  • Bảo trì, sửa chữa và nâng cấp
  • Giải quyết sự cố và giải quyết vấn đề
  • Đào tạo và giáo dục người dùng
  • Thay thế và đổi sản phẩm

Nhóm hỗ trợ kỹ thuật của chúng tôi được nhân viên chuyên nghiệp có kinh nghiệm cam kết đảm bảo sự hài lòng của khách hàng.Chúng tôi cố gắng cung cấp thời gian phản hồi nhanh chóng và giải quyết vấn đề hiệu quả.

Muốn biết thêm chi tiết về sản phẩm này
4 inch 6 inch 8 inch SOI Wafers tương thích với CMOS cấu trúc ba lớp bạn có thể gửi cho tôi thêm chi tiết như loại, kích thước, số lượng, chất liệu, v.v.

Chờ hồi âm của bạn.