 |
Silicon trên Isolator SOI Wafer 6 ", 2,5 "m (P-doped) + 1,0 SiO2 + 625um Si (P-type / Boron Doped)
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Hàng hiệu: | ZMSH |
| Số mô hình: | SOI wafer |
Thanh toán:
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 1 |
|---|---|
| Thời gian giao hàng: | 2-4 tuần |
| Điều khoản thanh toán: | T/T |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Chiều kính: | 6" | Loại/Dopant:: | Loại N/pha tạp P |
|---|---|---|---|
| Định hướng:: | <1-0-0>+/-.5 độ | độ dày:: | 2,5±0,5µm |
| điện trở suất:: | 1-4 ohm-cm | Kết thúc:: | Mặt trước được đánh bóng |
| Ôxít nhiệt chôn:: | 1,0um +/- 0,1 um | Xử lý tấm wafer:: | <1-0-0>+/-.5 độ |
| Làm nổi bật: | 625um SOI wafer,P-doped SOI wafer |
||
Mô tả sản phẩm
Silicon-on Insulator SOI wafer 6", 2,5 "m (P-doped) + 1,0 SiO2 + 625um Si (P-type /Boron doped)
Tóm tắt wafer Silicon-on-Isolator (SOI)
Mảng Silicon-on-Insulator (SOI) này là một chất nền bán dẫn chuyên dụng được thiết kế cho các ứng dụng hệ thống điện tử và vi điện cơ học tiên tiến (MEMS).Wafer được đặc trưng bởi một cấu trúc nhiều lớp làm tăng hiệu suất thiết bị, làm giảm dung lượng ký sinh trùng và cải thiện cách nhiệt, làm cho nó trở thành sự lựa chọn lý tưởng cho một loạt các ứng dụng hiệu suất cao và chính xác cao.
Tính chất sản phẩm wafer silicon-on-insulator (SOI)
Thông số kỹ thuật của wafer:
- Chiều kính wafer: 6 inch (150 mm)
- Chiều kính 6 inch cung cấp một diện tích bề mặt lớn để chế tạo thiết bị, cải thiện hiệu quả sản xuất và giảm chi phí sản xuất.
Lớp thiết bị:
- Độ dày: 2,5 micromet
- Lớp thiết bị mỏng cho phép kiểm soát chính xác các thuộc tính điện tử, rất cần thiết cho các ứng dụng tốc độ cao và hiệu suất cao.
- Thuốc kích thích: P-type (Phospho-doped)
- Phosphorus doping làm tăng độ dẫn điện của lớp thiết bị, làm cho nó phù hợp với các thiết bị bán dẫn loại p khác nhau.
Lớp oxit chôn (BOX):
- Độ dày: 1,0 micrometer
- Lớp SiO2 dày 1,0 μm cung cấp cách ly điện tuyệt vời giữa lớp thiết bị và wafer tay cầm, làm giảm dung lượng ký sinh trùng và cải thiện tính toàn vẹn tín hiệu.
Chọn Wafer:
- Độ dày: 625 micromet
- Vỏ tay cầm dày đảm bảo sự ổn định cơ học trong quá trình chế tạo và vận hành, ngăn ngừa biến dạng hoặc vỡ.
- Loại: Loại P (Boron-doped)
- Boron doping cải thiện sức mạnh cơ học và tính dẫn nhiệt của wafer tay cầm, giúp tiêu tan nhiệt và tăng độ tin cậy tổng thể của thiết bị.
| Lớp thiết bị | ||
| Chiều kính: | 6" | |
| Loại/Dopant: | Loại N/P-doped | |
| Định hướng: | <1-0-0> +/-.5 độ | |
| Độ dày: | 2.5±0,5μm | |
| Kháng thấm: | 1-4 ohm-cm | |
| Kết thúc: | Mặt trước được đánh bóng | |
|
Chất oxy hóa nhiệt chôn: |
||
| Độ dày: | 1.0um +/- 0.1 um | |
|
Máy cầm Wafers: |
||
| Loại/Dopant | Loại P, B doped | |
| Định hướng | <1-0-0> +/-.5 độ | |
| Kháng thấm: | 10-20 ohm-cm | |
| Độ dày: | 625 +/- 15 um | |
| Kết thúc: | Như đã nhận được (không đánh bóng) | |
Các đặc tính chính của sản phẩm:
-
Lớp thiết bị chất lượng cao:
- Di động của tàu sân bay: Tính di động cao của chất mang trong lớp chứa phốt pho đảm bảo phản ứng điện tử nhanh và hoạt động tốc độ cao.
- Mật độ khiếm khuyết thấp: Quá trình sản xuất chất lượng cao đảm bảo các khiếm khuyết tối thiểu, dẫn đến hiệu suất tốt hơn và năng suất cao hơn.
-
Cách điện hiệu quả:
- Khả năng ký sinh trùng thấp: Lớp BOX cô lập hiệu quả lớp thiết bị khỏi nền, làm giảm dung lượng ký sinh trùng và crosstalk, rất quan trọng cho các ứng dụng tần số cao và năng lượng thấp.
- Tính toàn vẹn của tín hiệu: Sự cô lập điện được tăng cường giúp duy trì tính toàn vẹn của tín hiệu, điều này rất cần thiết cho các mạch analog và kỹ thuật số chính xác cao.
-
Quản lý nhiệt:
- Khả năng dẫn nhiệt: Vỏ tay cầm boron có độ dẫn nhiệt tốt, giúp tiêu hao nhiệt được tạo ra trong quá trình vận hành thiết bị, do đó ngăn ngừa quá nóng và đảm bảo hiệu suất ổn định.
- Chống nhiệt: Cấu trúc và vật liệu của wafer đảm bảo nó có thể chịu được nhiệt độ cao trong quá trình chế biến và vận hành.
-
Sự ổn định cơ học:
- Sức mạnh: Các wafer tay cầm dày cung cấp hỗ trợ cơ học, đảm bảo wafer vẫn ổn định trong quá trình sản xuất và dưới áp lực hoạt động.
- Độ bền: Sự ổn định cơ học của wafer tay cầm giúp ngăn ngừa thiệt hại, giảm nguy cơ vỡ wafer và cải thiện tuổi thọ tổng thể của thiết bị.
-
Sự linh hoạt trong ứng dụng:
- Máy tính hiệu suất cao: Thích hợp cho bộ vi xử lý và các mạch logic kỹ thuật số tốc độ cao khác, nhờ tính di động chất mang cao và dung lượng ký sinh thấp.
- Truyền thông 5G: Lý tưởng cho các thành phần RF và xử lý tín hiệu tần số cao, được hưởng lợi từ tính cách ly điện và quản lý nhiệt tuyệt vời.
- Thiết bị MEMS: Hoàn hảo cho chế tạo MEMS, cung cấp sự ổn định cơ học và độ chính xác cần thiết cho các cấu trúc vi mô.
- Các mạch tín hiệu tương tự và hỗn hợp: Tiếng ồn thấp và giảm crosstalk làm cho nó phù hợp với mạch tương tự chính xác cao.
- Điện tử điện: Các tính chất nhiệt và cơ học mạnh mẽ làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng quản lý năng lượng đòi hỏi hiệu quả và độ tin cậy cao.
Kết luận
Mảng Silicon-on-Insulator (SOI) này cung cấp sự kết hợp độc đáo của các vật liệu chất lượng cao và kỹ thuật chế tạo tiên tiến, kết quả là một chất nền vượt trội trong hiệu suất điện,quản lý nhiệtCác tính chất này làm cho nó trở thành sự lựa chọn lý tưởng cho một loạt các ứng dụng điện tử hiệu suất cao và MEMS,hỗ trợ phát triển các thiết bị bán dẫn thế hệ tiếp theo.
Silicon-on-Isolator (SOI) Wafer Ảnh sản phẩm
Câu hỏi và câu trả lời
SOI Wafers (Silicon-on-Isolator Wafers) là gì?
Silicon-On-Insulator (SOI) là một loại chất nền bán dẫn bao gồm nhiều lớp, bao gồm một lớp silicon mỏng, một lớp oxit cách nhiệt,và một wafer tay cầm silicon hỗ trợCấu trúc này cải thiện hiệu suất của các thiết bị bán dẫn bằng cách cung cấp cách ly điện tốt hơn, giảm dung lượng ký sinh trùng và cải thiện quản lý nhiệt.