SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX Lớp 0,4-3 Định hướng nền 100 111
Thông tin chi tiết sản phẩm:
Nguồn gốc: | Trung Quốc |
Hàng hiệu: | ZMSH |
Số mô hình: | SOI wafer |
Thanh toán:
Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 1 |
---|---|
Thời gian giao hàng: | 2-4 tuần |
Điều khoản thanh toán: | T/T, T/T |
Thông tin chi tiết |
|||
Chiều kính: | 4 inch 6 inch 8 inch | Tạp chất: | 100 111 |
---|---|---|---|
Loại: | SIMOX, BESOI, Simbond, Cắt thông minh | Độ dày (um): | 0,2-150 |
Tính đồng nhất: | <5% | Lớp HỘP: | Độ dày (um) 0,4-3 |
tính đồng nhất: | < 2,5% | điện trở suất: | 0,001-20000 Ohm-cm |
Làm nổi bật: | 100 111 SOI Wafer,P BOX Lớp SOI Wafer,0.4-3 SOI Wafer |
Mô tả sản phẩm
SOI Wafer Silicon On Insulator wafer Dopant P BOX Lớp 0,4-3 Định hướng nền 100 111
SOI wafer's abstract
SOI (Silicon-On-Insulator) là một loại công nghệ vật liệu bán dẫn được sử dụng chủ yếu trong ngành công nghiệp vi điện tử.Những tấm miếng này được chế tạo bằng cách chèn một lớp vật liệu cách nhiệt mỏng, thường là silicon dioxide, giữa một lớp silicon tinh khiết cao và một chất nền silicon.
Hình ảnh của SOI
Tính chất của wafer SOI
SOI (Silicon-On-Insulator) các wafer thể hiện một tập hợp các tính chất riêng biệt làm cho chúng đặc biệt có giá trị trong các ứng dụng vi điện tử hiệu suất cao và chuyên biệt khác nhau.Dưới đây là một số đặc tính chính của các wafer SOI:
-
Cách điện: Lớp oxit (BOX) được chôn trong các tấm SOI cung cấp cách điện tuyệt vời giữa lớp silicon trên cùng nơi các thiết bị được xây dựng và nền nền.Sự cô lập này giúp giảm khả năng ký sinh trùng, do đó cải thiện hiệu suất của các mạch tốc độ cao.
-
Giảm tiêu thụ năng lượng: Do dung lượng ký sinh trùng giảm và dòng rò rỉ, các thiết bị được xây dựng trên các wafer SOI tiêu thụ ít năng lượng hơn so với những thiết bị được xây dựng trên silicon hàng loạt.Tính chất này đặc biệt có lợi cho các thiết bị di động và pin.
-
Hiệu suất cao: Lớp silicon phía trên mỏng có thể bị cạn kiệt hoàn toàn, dẫn đến kiểm soát kênh tốt hơn và giảm hiệu ứng kênh ngắn trong transistor.Điều này dẫn đến các transistor có thể hoạt động ở điện áp ngưỡng thấp hơn với dòng điện ổ đĩa cao hơn, cho phép chuyển đổi tốc độ nhanh hơn và hiệu suất cao hơn.
-
Bảo vệ nhiệt: Lớp cách nhiệt cũng cung cấp một mức độ cách nhiệt giữa lớp hoạt động và chất nền.Điều này có thể có lợi trong các ứng dụng mà nhiệt được tạo ra bởi thiết bị cần phải được giới hạn trong lớp trên cùng, giúp quản lý hiệu quả hơn các hiệu ứng nhiệt.
-
Khả năng miễn dịch khóa: Công nghệ SOI cung cấp khả năng miễn dịch vốn có đối với khóa, đó là một loại mạch ngắn có thể xảy ra trong các thiết bị silicon hàng loạt.Điều này là do sự vắng mặt của một giao điểm p-n giữa các vùng loại n và loại p kéo dài vào chất nền, đó là một nguyên nhân điển hình của khóa trong các thiết bị hàng loạt.
-
Độ cứng bức xạ: Cấu hình cấu trúc của các tấm SOI làm cho các thiết bị được xây dựng trên chúng chống lại các tác động bức xạ như Tổng liều ion hóa (TID) và Sự kiện đơn lẻ (SEU).Tính chất này là rất quan trọng cho các ứng dụng không gian và các môi trường khác tiếp xúc với mức độ bức xạ cao.
-
Khả năng mở rộng: Công nghệ SOI có khả năng mở rộng cao, cho phép chế tạo các thiết bị với kích thước tính năng rất nhỏ. Điều này rất quan trọng để tiếp tục tuân thủ Luật Moore trong ngành công nghiệp bán dẫn.
-
Khả năng tương thích với các quy trình sản xuất thông thường: Mặc dù cung cấp những lợi thế độc đáo, các tấm SOI vẫn có thể được chế biến bằng nhiều kỹ thuật sản xuất giống như silic bulk truyền thống,tạo thuận lợi cho việc tích hợp vào các dây chuyền sản xuất hiện có.
Chiều kính | 4 | 5 | 6 | 8 | |
Lớp thiết bị |
Chất kích thích | Boron, Phos, Arsenic, Antimony, không doped | |||
Định hướng | <100>, <111> | ||||
Loại | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut | ||||
Kháng chất | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
Độ dày (mm) | 0.2-150 | ||||
Sự đồng nhất | < 5% | ||||
Lớp BOX |
Độ dày (mm) | 0.4-3 | |||
Sự đồng nhất | < 2,5% | ||||
Substrate |
Định hướng | <100>, <111> | |||
Loại/Dopant | Loại P/Boron, N loại/Phos, N loại/As, N loại/Sb | ||||
Độ dày (mm) | 300-725 | ||||
Kháng chất | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
Bề mặt hoàn thiện | P/P, P/E | ||||
Các hạt | <10@.0.3m |
SOI (Silicon-On-Insulator) là một loại công nghệ vật liệu bán dẫn được sử dụng chủ yếu trong ngành công nghiệp vi điện tử.Những tấm miếng này được chế tạo bằng cách chèn một lớp vật liệu cách nhiệt mỏng, thường là silicon dioxide, giữa một lớp silicon tinh khiết cao và một chất nền silicon.
Ứng dụng wafer SOI
SOI (Silicon-On-Insulator) được sử dụng trong các ứng dụng công nghệ cao khác nhau do các tính chất độc đáo của chúng như giảm dung lượng ký sinh trùng, cải thiện hiệu suất ở tần số cao,tiêu thụ năng lượng thấp hơn, và tăng độ bền trong môi trường khắc nghiệt.
-
Máy vi xử lý hiệu suất cao: Công nghệ SOI được sử dụng rộng rãi trong sản xuất vi xử lý cho máy tính và máy chủ. Nó giúp giảm tiêu thụ năng lượng trong khi tăng tốc độ xử lý,rất quan trọng đối với các ứng dụng máy tính hiệu suất cao.
-
Các mạch tần số vô tuyến (RF): Các tấm SOI đặc biệt có lợi cho các ứng dụng RF do tính cách ly tuyệt vời của chúng, làm giảm giao tiếp chéo và cải thiện hiệu suất trong chuyển mạch RF và xử lý tín hiệu.Điều này làm cho chúng lý tưởng để sử dụng trong điện thoại di động, mạng không dây, và các thiết bị truyền thông khác.
-
Điện tử ô tô: Sự bền vững và ổn định hoạt động của các thiết bị dựa trên SOI trong điều kiện nhiệt độ và bức xạ cao làm cho chúng phù hợp cho các ứng dụng ô tô,bao gồm cả các đơn vị điều khiển động cơ, cảm biến ô tô và hệ thống quản lý năng lượng.
-
Thiết bị điện: Công nghệ SOI có lợi cho các thiết bị điện được sử dụng để chuyển đổi điện áp và quản lý điện trong các sản phẩm điện tử khác nhau.Các thiết bị này được hưởng lợi từ khả năng xử lý điện áp cao và mật độ điện với hiệu quả tốt hơn và giảm sản xuất nhiệt.
-
MEMS (hệ thống vi điện cơ học): SOI wafer cung cấp một nền tảng mạnh mẽ để phát triển các thiết bị MEMS, chẳng hạn như máy đo tốc độ và kính quay, được sử dụng trong túi khí ô tô, điện thoại thông minh và các thiết bị điện tử tiêu dùng khác.Lớp oxit được chôn vùi trong các wafer SOI cung cấp cách ly cơ học và điện tuyệt vời, rất quan trọng đối với các thiết bị MEMS.
-
Photonics và Optoelectronics: Các tính chất của các tấm SOI tạo điều kiện cho việc tích hợp các thành phần quang học như dẫn sóng, điều chế và máy dò với các mạch điện tử.Sự tích hợp này rất quan trọng để phát triển các hệ thống quang điện tử tiên tiến được sử dụng trong truyền dữ liệu, viễn thông và ứng dụng cảm biến.
-
Máy tính lượng tử: Các wafer SOI cũng đang được nghiên cứu như là chất nền để phát triển các bit lượng tử (qubit) cho máy tính lượng tử,Nhờ khả năng hoạt động ở nhiệt độ lạnh và tương thích với các quy trình bán dẫn hiện có.
-
Không gian và ứng dụng quân sự: Các thiết bị được xây dựng trên các tấm SOI có khả năng chống lại các tác động của bức xạ hơn, làm cho chúng phù hợp với các ứng dụng không gian và thiết bị quân sự nơi tiếp xúc với bức xạ là một mối quan tâm.
Công nghệ SOI tiếp tục phát triển, giải quyết các thách thức ngày càng phức tạp trong các ứng dụng này, thúc đẩy tiến bộ trong điện tử và tạo điều kiện cho những đổi mới mới trong nhiều lĩnh vực.
Câu hỏi và câu trả lời
SOI silicon wafer là gì?
Một tấm silicon SOI (Silicon-On-Insulator) là một loại vật liệu bán dẫn được sử dụng chủ yếu trong ngành công nghiệp vi điện tử.Nó bao gồm một lớp mỏng của silicon tách khỏi một nền silicon dày hơn bằng một lớp vật liệu cách nhiệtCấu trúc này đạt được thông qua các quy trình chế tạo chuyên biệt như tách bằng cách cấy ghép oxy (SIMOX) hoặc kỹ thuật cắt thông minh.
Ưu điểm chính của các tấm silicon SOI so với các tấm silicon bán lẻ truyền thống là sự hiện diện của lớp cách nhiệt, làm giảm đáng kể dung lượng ký sinh trùng,Tăng hiệu suất bằng cách giảm thiểu rò rỉ điệnĐiều này dẫn đến cải thiện tốc độ, hiệu quả năng lượng và hiệu suất tổng thể của các thiết bị điện tử.SOI wafers được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng khác nhau, bao gồm các vi xử lý hiệu suất cao, mạch tần số vô tuyến (RF), điện tử công suất và MEMS (Hệ thống vi điện cơ học), trong số những người khác.Các thuộc tính của chúng làm cho chúng đặc biệt phù hợp với môi trường nơi tốc độ cao, tiêu thụ năng lượng thấp, và khả năng chống lại điều kiện khắc nghiệt là rất cần thiết.