Phạm vi băng thông N-InP 02:2.5G bước sóng 1270nm epi wafer cho FP laser diode

Phạm vi băng thông N-InP 02:2.5G bước sóng 1270nm epi wafer cho FP laser diode

Tổng quan về chất nền N-InP FP Epiwafer

N-InP Substrate FP Epiwafer của chúng tôi là một wafer epitaxial hiệu suất cao được thiết kế để chế tạo các diode laser Fabry-Pérot (FP), được tối ưu hóa đặc biệt cho các ứng dụng truyền thông quang học.Epiwafer này có chất nền Indium Phosphide (N-InP) loại N, một vật liệu nổi tiếng với tính chất điện tử và quang điện tử tuyệt vời, làm cho nó lý tưởng cho các thiết bị tốc độ cao và tần số cao.

Epiwafer được thiết kế để sản xuất các diode laser hoạt động ở bước sóng 1270 nm,là một bước sóng quan trọng cho các hệ thống phân chia đa chiều sóng thô (CWDM) trong truyền thông sợi quangViệc kiểm soát chính xác thành phần và độ dày của lớp epitaxial đảm bảo hiệu suất tối ưu, với đèn LED laser FP có khả năng đạt được băng thông hoạt động lên đến 2,5 GHz.băng thông này làm cho thiết bị phù hợp với truyền dữ liệu tốc độ cao, hỗ trợ các ứng dụng đòi hỏi giao tiếp nhanh chóng và đáng tin cậy.

Cấu trúc khoang Fabry-Pérot (FP) của diode laser, được tạo ra bởi các lớp epitaxial chất lượng cao trên nền InP,đảm bảo việc tạo ra ánh sáng phù hợp với tiếng ồn tối thiểu và hiệu quả caoEpiwafer này được thiết kế để cung cấp hiệu suất ổn định, đáng tin cậy, làm cho nó trở thành một lựa chọn tuyệt vời cho các nhà sản xuất nhằm sản xuất các diode laser tiên tiến cho viễn thông,Trung tâm dữ liệu, và các môi trường mạng tốc độ cao khác.

Tóm lại, N-InP Substrate FP Epiwafer của chúng tôi là một thành phần quan trọng cho các hệ thống truyền thông quang học tiên tiến, cung cấp các tính chất vật liệu tuyệt vời, nhắm mục tiêu bước sóng chính xác,và băng thông hoạt động caoNó cung cấp một nền tảng vững chắc để sản xuất các phích dẫn laser FP đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt của mạng truyền thông tốc độ cao hiện đại.

Tính chất của chất nền N-InP FP Epiwafer

The N-InP Substrate FP Epiwafer is characterized by a set of specialized properties that make it an ideal choice for the fabrication of Fabry-Pérot (FP) laser diodes used in high-performance optical communication systemsDưới đây là các đặc tính chính của Epiwafer này:

1. Vật liệu nền:

   • Loại: Indium Phosphide loại N (N-InP)
   • Tính chất: Điện tử di động cao, điện trở thấp và dẫn nhiệt tuyệt vời, làm cho nó phù hợp với các ứng dụng điện tử và quang điện tử tốc độ cao.

1. Lớp trục:

   • Kỹ thuật phát triển: Các lớp epitaxi được trồng trên chất nền N-InP bằng các kỹ thuật như Chất kim loại kim loại kim loại (MOCVD) hoặc Molecular Beam Epitaxy (MBE).
   • Thành phần lớp: Kiểm soát chính xác nồng độ doping và thành phần vật liệu để đạt được các tính chất điện tử và quang học mong muốn.

2. Độ dài sóng:

   • Độ dài sóng mục tiêu: 1270 nm
   • Ứng dụng: Lý tưởng cho đa phương phân vùng bước sóng thô (CWDM) trong các hệ thống truyền thông sợi quang.

3. Dải băng thông:

   • Phạm vi hoạt động: Tối đa 2,5 GHz
   • Hiệu suất: Thích hợp cho truyền dữ liệu tốc độ cao, đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy trong viễn thông và mạng dữ liệu.

4. Hố Fabry-Pérot:

   • Cấu trúc: Epiwafer hỗ trợ sự hình thành của một khoang Fabry-Pérot, cần thiết để tạo ra ánh sáng hợp nhất với hiệu quả cao.
   • Tính chất của laser: Sản xuất các diode laser với tiếng ồn tối thiểu, phát sóng bước sóng ổn định và công suất đầu ra cao.

5. Chất lượng bề mặt:

   • Làm bóng: Bề mặt chất nền được đánh bóng cao để giảm thiểu khiếm khuyết, đảm bảo một lớp biểu trục chất lượng cao với sự trật tự tối thiểu.

6. Tính chất nhiệt:

   • Phân tán nhiệt: Khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời của chất nền N-InP hỗ trợ phân tán nhiệt hiệu quả, rất quan trọng để duy trì hiệu suất và tuổi thọ của diode laser.

7. Ứng dụng phù hợp:

   • Thiết bị mục tiêu: Được thiết kế cho FP laser diode được sử dụng trong hệ thống truyền thông quang học, trung tâm dữ liệu và các môi trường mạng tốc độ cao khác.

Các tính chất này cùng nhau góp phần vào khả năng của Epiwafer để hỗ trợ sản xuất các phích quang laser FP chất lượng cao,đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt của các công nghệ truyền thông quang học hiện đại.

Các ứng dụng của chất nền N-InP FP Epiwafer

N-InP Substrate FP Epiwafer là một thành phần quan trọng trong việc phát triển các thiết bị quang điện tử tiên tiến, đặc biệt là các diode laser Fabry-Pérot (FP).Tính chất của nó làm cho nó phù hợp với một loạt các ứng dụng trong truyền thông tốc độ cao và các lĩnh vực liên quanDưới đây là các ứng dụng chính:

1. Hệ thống truyền thông quang học:

   • Giao thông sợi quang: Epiwafer là lý tưởng để chế tạo các đèn diode laser FP hoạt động ở bước sóng 1270 nm, thường được sử dụng trong các hệ thống phân đa bước sóng thô (CWDM).Các hệ thống này dựa vào điều khiển bước sóng chính xác để truyền nhiều kênh dữ liệu qua một sợi duy nhất, tăng băng thông mà không cần thêm sợi.
   • Liên kết dữ liệu tốc độ cao: Wafer hỗ trợ các diode laser với băng thông hoạt động lên đến 2,5 GHz, làm cho nó phù hợp với các ứng dụng truyền dữ liệu tốc độ cao,bao gồm mạng khu vực đô thị (MAN) và mạng quang xa.

2. Trung tâm dữ liệu:

   • Các kết nối: FP laser diode được chế tạo từ Epiwafer này được sử dụng trong kết nối quang học trong trung tâm dữ liệu, nơi giao tiếp tốc độ cao, độ trễ thấp là rất quan trọng.Những tia laser này đảm bảo truyền dữ liệu hiệu quả giữa các máy chủ., hệ thống lưu trữ và thiết bị mạng.
   • Cơ sở hạ tầng điện toán đám mây: Khi các dịch vụ đám mây yêu cầu tốc độ dữ liệu ngày càng tăng, các phím laser FP giúp duy trì hiệu suất và độ tin cậy của các mạng trung tâm dữ liệu, hỗ trợ quy mô lớn,môi trường máy tính phân tán.

3. Truyền thông:

   • Mạng 5G: Epiwafer được sử dụng trong việc sản xuất các diode laser cho cơ sở hạ tầng viễn thông 5G, nơi cần tốc độ dữ liệu cao và kết nối đáng tin cậy.FP laser diode cung cấp các tín hiệu quang học cần thiết để truyền dữ liệu qua xương sống của mạng 5G.
   • FTTx (Fiber đến x): Công nghệ này liên quan đến việc triển khai các mạng sợi quang gần hơn với người dùng cuối (nhà nhà, doanh nghiệp), và các đèn LED laser FP là thành phần chính trong các bộ truyền quang được sử dụng trong các hệ thống FTTx.

4. Thiết bị thử nghiệm và đo:

   • Máy phân tích quang phổ quang học: FP laser diode được sản xuất từ Epiwafer này được sử dụng trong các máy phân tích quang phổ quang học, là các công cụ thiết yếu để kiểm tra và đo hiệu suất của hệ thống truyền thông quang học.
   • Xếp ảnh chụp ảnh kết hợp quang học (OCT): Trong hình ảnh y tế, đặc biệt là trong các hệ thống OCT, đèn diode laser FP cung cấp nguồn ánh sáng cần thiết cho hình ảnh độ phân giải cao của các mô sinh học.

5. Kích thước và đo lường:

   • Cảm biến quang học: Độ chính xác và độ ổn định của đèn diode laser FP làm cho chúng phù hợp để sử dụng trong các cảm biến quang học để giám sát môi trường, kiểm soát quy trình công nghiệp và các ứng dụng y sinh.
   • Hệ thống định vị và khoảng cách: FP laser diode cũng được sử dụng trong các hệ thống đòi hỏi đo khoảng cách chính xác, chẳng hạn như LIDAR (Light Detection and Ranging) và các công nghệ định vị khác.

Sự linh hoạt và tính năng hiệu suất cao của N-InP Substrate FP Epiwafer làm cho nó trở thành nền tảng cho một loạt các công nghệ tiên tiến trong truyền thông quang học, trung tâm dữ liệu,viễn thông, và hơn thế nữa.

Hình ảnh của chất nền N-InP FP Epiwafer