Điều khoản thanh toán: | T/T |
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP nền dia 2 3 4 6 inch độ dày: 350-650um InGaAs doping
FP ((Fabry-Perot)) Tóm tắt của chất nền Epiwafer InP
Fabry-Perot (FP) Epiwafer trên Indium Phosphide (InP) là một thành phần quan trọng trong việc sản xuất các thiết bị quang điện tử hiệu suất cao,đặc biệt là các tia laser được sử dụng trong các hệ thống truyền thông quang họcCác nền InP cung cấp kết hợp lưới tuyệt vời với các vật liệu như InGaAsP, cho phép sự phát triển của các lớp biểu trục chất lượng cao.Phạm vi bước sóng 55 μm, làm cho chúng lý tưởng cho truyền thông sợi quang do các đặc điểm mất mát thấp của sợi quang trong quang phổ này.được sử dụng rộng rãi trong kết nối giữa trung tâm dữ liệu, cảm biến môi trường và chẩn đoán y tế, cung cấp các giải pháp hiệu quả về chi phí với hiệu suất tốt.Cấu trúc đơn giản hơn của laser FP so với các thiết kế phức tạp hơn như laser DFB (Distributed Feedback) làm cho chúng trở thành lựa chọn phổ biến cho các ứng dụng truyền thông tầm trungFP epiwafer dựa trên inP là rất cần thiết trong các ngành công nghiệp đòi hỏi các thành phần quang học tốc độ cao, đáng tin cậy.
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP chất nền của màn hình
FP ((Fabry-Perot)) Bảng dữ liệu của chất nền Epiwafer InP
FP ((Fabry-Perot)) cấu trúc của nền InP Epiwafer
Fabry-Perot (FP) Epiwafers trên Indium Phosphide (InP) chất nền được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng quang điện tử khác nhau do tính chất phát ra ánh sáng hiệu quả của chúng, đặc biệt là trong các lĩnh vực điện tử.3 μm đến 1Phạm vi bước sóng.55 μm. Dưới đây là các ứng dụng chính:
Các ứng dụng này làm nổi bật tính linh hoạt của FP Epiwafers trên nền InP, cung cấp các giải pháp hiệu quả, hiệu quả về chi phí trong các lĩnh vực như viễn thông, chẩn đoán y tế,cảm biến môi trường, và hệ thống quang học tốc độ cao.
Khả năng phát ra ánh sáng trong các bước sóng chính:
Hiệu suất tốc độ cao:
Sản xuất hiệu quả về chi phí:
Ứng dụng đa năng:
Quá trình sản xuất đơn giản hơn:
Độ linh hoạt sóng tốt:
Tiêu thụ năng lượng thấp: