 |
N-GaAs Substrate 6inch 350um Độ dày Đối với VCSEL sử dụng OptiWave VCSEL EpiWafer
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Place of Origin: | China |
| Hàng hiệu: | ZMSH |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Cavity mode Tolerance: | Within ± 3% | Cavity mode Uniformity: | <= 1% |
|---|---|---|---|
| Doping level tolerance: | Within ± 30% | Doping level Uniformity: | <= 10% |
| PL Độ đồng đều bước sóng: | Độ lệch chuẩn tốt hơn 2nm @inner 140mm | độ dày đồng nhất: | Tốt hơn ±3% @inner 140mm |
| Mole fraction x tolerance: | Within ±0.03 | Mole fraction x Uniformity: | <= 0.03 |
| Làm nổi bật: | 350um VCSEL N-GaAs chất nền,Substrate N-GaAs 350um,6 inch N-GaAs chất nền |
||
Mô tả sản phẩm
N-GaAs chất nền 6inch 350um độ dày cho VCSEL sử dụng OptiWave VCSEL epiWafer
Bản tóm tắt của chất nền VCSEL epiWafer N-GaAs
CácEpiWafer VCSEL trên chất nền N-GaAsđược thiết kế cho các ứng dụng quang học hiệu suất cao, đặc biệt làGigabit EthernetvàTruyền thông liên kết dữ liệu kỹ thuật sốXây dựng trên một wafer 6 inch, nó có tính năng mộtmảng laser đồng nhất caovà hỗ trợ các bước sóng quang trung tâm của850 nmvà940 nm. Cấu trúc có sẵn trong cả haichứa oxithoặcVCSEL cấy ghép protonCác cấu hình, đảm bảo tính linh hoạt trong thiết kế và hiệu suất.phụ thuộc thấp vào các đặc điểm điện và quang trên nhiệt độ, làm cho nó lý tưởng để sử dụng trongchuột laser,truyền thông quang học, và các môi trường nhạy cảm với nhiệt độ khác.
Cấu trúc của chất nền N-GaAs của VCSEL epiWafer
Hình ảnh nền N-GaAs của VCSEL epiWafer
Bảng dữ liệu của chất nền VCSEL epiWafer N-GaAsZMSH VCSEL EPIWAFER.pdf
Tính chất của chất nền VCSEL epiWafer N-GaAs
CácEpiWafer VCSEL trên chất nền N-GaAscó một số tính chất chính làm cho nó phù hợp với các ứng dụng quang hiệu suất cao:
N-GaAs Substrate:
- Cung cấp tuyệt vờidẫn điệnvà phục vụ như một cơ sở ổn định cho sự phát triển biểu trục của các cấu trúc VCSEL.
- Cung cấpmật độ lỗi thấp, điều này rất quan trọng đối với hoạt động hiệu suất cao và đáng tin cậy của thiết bị.
Khả năng điều chỉnh bước sóng:
- Hỗ trợ850 nmvà940 nmtrung tâm sóng quang học, làm cho nó lý tưởng cho các ứng dụng trongtruyền thông quang họcvàKỹ thuật cảm biến 3D.
Đĩa laser đồng nhất cao:
- Đảm bảo hiệu suất nhất quán trên các wafer, quan trọng cho các thiết bị dựa trên mảng trongTrung tâm dữ liệuvàMạng sợi quang.
Cấy ghép ôxit hoặc proton:
- Có sẵn trongchứa oxithoặccấy ghép protonCác cấu trúc VCSEL, cung cấp tính linh hoạt trong thiết kế để tối ưu hóa hiệu suất cho các ứng dụng cụ thể.
Sự ổn định nhiệt:
- Được thiết kế để trưng bàyphụ thuộc thấp vào các đặc tính điện và quang trong một phạm vi nhiệt độ rộng, đảm bảo hoạt động ổn định trong môi trường nhạy cảm với nhiệt độ.
Sức mạnh và tốc độ cao:
- Cấu trúc của wafer hỗ trợtruyền dữ liệu tốc độ caovàhoạt động công suất cao, làm cho nó phù hợp vớiGigabit Ethernet,truyền thông dữ liệu, vàLIDARhệ thống.
Khả năng mở rộng:
- Định dạng wafer 6 inch cho phépsản xuất hiệu quả về chi phí, hỗ trợ sản xuất quy mô lớn và tích hợp vào các hệ thống quang học khác nhau.
Các tính chất này làm cho VCSEL epiWafer trên chất nền N-GaAs lý tưởng cho các ứng dụng đòi hỏi hiệu quả cao, ổn định nhiệt độ và hiệu suất đáng tin cậy.