 |
Silicon Carbide Ceramic Tray với CVD SiC Lớp phủ kích thước tùy chỉnh Sintering nhiệt độ cao
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Nguồn gốc: | Trung Quốc |
| Hàng hiệu: | ZMSH |
Thanh toán:
| Thời gian giao hàng: | 2-4 tuần |
|---|---|
| Điều khoản thanh toán: | T/T |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Độ tinh khiết SiC3N: | 990,9% | Color: | black |
|---|---|---|---|
| Flexual strength: | 410MPa | Young's modulus: | 430GPa |
| Vicker's hardness: | 28.0GPa | Poisson's ratio: | 0.17 |
| Fracture toughness: | 2～3MPa m1/2 | Specific heat: | 0.68×103 |
| Làm nổi bật: | Thẻ gốm Silicon Carbide,Thang gốm phủ SiC CVD,Thẻ gốm ngâm nhiệt độ cao |
||
Mô tả sản phẩm
Thang gốm cacbon silicon với lớp phủ CVD SiC Kích thước có thể được tùy chỉnh Thích hợp cho sintering nhiệt độ cao
Ống gốm silicon carbide's giới thiệu
Các khay gốm Silicon Carbide (SiC) với lớp phủ SiC CVD (Chemical Vapor Deposition) là các thành phần chuyên dụng được thiết kế cho các ứng dụng hiệu suất cao,đặc biệt là trong môi trường nhiệt độ caoNhững khay này tận dụng các tính chất nổi bật của silicon carbide, bao gồm sự ổn định nhiệt tuyệt vời, sức mạnh cơ học và kháng hóa chất,làm cho chúng lý tưởng cho các quy trình công nghiệp đòi hỏi.
Lớp phủ CVD SiC tăng cường tính chất bề mặt của khay, cung cấp một lớp bảo vệ bổ sung chống mài mòn, ăn mòn và sốc nhiệt.Lớp phủ này không chỉ cải thiện độ bền của khay mà còn đảm bảo hiệu suất vượt trội trong các ứng dụng như sintering nhiệt độ cao, nơi kiểm soát nhiệt độ chính xác và sự ổn định là rất quan trọng.
Một trong những lợi thế chính của các khay gốm SiC này là khả năng tùy chỉnh của chúng. Chúng có thể được thiết kế để đáp ứng các yêu cầu kích thước và hình dạng cụ thể,chứa các quy trình sản xuất và thiết bị khác nhauTính linh hoạt này làm cho chúng phù hợp với một loạt các ứng dụng, bao gồm chế tạo bán dẫn, sản xuất gốm tiên tiến và chế biến hóa học.
Nhìn chung, khay gốm cacbon silic với lớp phủ SiC CVD đại diện cho một giải pháp đáng tin cậy cho các ngành công nghiệp đòi hỏi hiệu suất cao, độ bền và khả năng thích nghi trong môi trường chế biến của họ.
tính chất của khay gốm cacbon silicon
| Điểm | Đơn vị | Các thông số kỹ thuật | |
|---|---|---|---|
| Đường sắt | -- | SSiC | SiSiC |
| Màu sắc | -- | Màu đen | Màu đen |
| Mật độ | g/cm3 | 3.12 | 3.06 |
| Hấp thụ nước | % | 0 | 0 |
| HRA | -- | ≥ 92 | ≥ 90 |
| Mô đun độ đàn hồi | GPA | 400 | 350 |
| Sức mạnh uốn cong (@R.T.) | Mpa | 359 | 300 |
| Sức mạnh nén (@R.T.) | Mpa | ≥2200 | 2000 |
| Khả năng dẫn nhiệt (@R.T.) | W/Mk | 110 | 100 |
|
Điện tử mở rộng nhiệt (20-1000°C) |
10-6/°C | 4.0 | 4.0 |
| Nhiệt độ hoạt động tối đa | °C | 1500 | 1300 |
-
Độ ổn định nhiệt cao:
Có thể chịu được nhiệt độ cực cao, phù hợp với các ứng dụng nhiệt độ cao như sintering và chế biến bán dẫn. -
Sức mạnh cơ học:
Hiển thị sức mạnh và độ cứng đặc biệt, cung cấp độ bền và khả năng chịu tải trọng nặng mà không bị biến dạng hoặc nứt. -
Chống hóa học:
Chống ăn mòn và tấn công hóa học cao, cho phép sử dụng trong môi trường hung hăng, đặc biệt là trong chế biến hóa chất. -
Chống nhiệt:
Điều này tạo điều kiện phân phối nhiệt hiệu quả, giúp duy trì nhiệt độ xử lý nhất quán. -
Sự mở rộng nhiệt thấp:
Có hệ số mở rộng nhiệt thấp, đảm bảo sự ổn định kích thước và giảm nguy cơ biến dạng hoặc nứt trong các điều kiện nhiệt độ khác nhau. -
Trọng lượng nhẹ:
Tương đối nhẹ, giúp dễ xử lý và vận chuyển hơn trong quá trình sản xuất. -
Phân cách điện:
Cung cấp các tính chất cách điện tuyệt vời, phù hợp với các ứng dụng điện tử, nơi giảm thiểu độ dẫn điện là rất quan trọng. -
Tùy chọn lớp phủ CVD:
Thông thường có lớp phủ CVD (Chemical Vapor Deposition), tăng khả năng chống mòn và cung cấp bảo vệ bổ sung chống sốc nhiệt. -
Khả năng tùy chỉnh:
Có thể được sản xuất ở nhiều kích thước và hình dạng khác nhau, cho phép tùy chỉnh để đáp ứng các yêu cầu ứng dụng cụ thể
Thẻ gốm silicon carbide's Sử dụng
-
Sản xuất bán dẫn:
Các khay gốm cacbon silic được sử dụng rộng rãi để hỗ trợ các miếng wafer silic trong các quy trình chế tạo khác nhau, bao gồm epitaxy, khuếch tán và oxy hóa, đảm bảo điều kiện chế biến tối ưu. -
Chế độ Sintering nhiệt độ cao:
Những khay này rất cần thiết trong việc sản xuất gốm và vật liệu tiên tiến, cung cấp một nền tảng ổn định có thể chịu được nhiệt độ cực đoan được yêu cầu trong các quy trình ngâm. -
Xử lý hóa học:
Do khả năng chống hóa chất tuyệt vời của chúng, khay gốm SiC là lý tưởng để xử lý hóa chất hung hăng trong phòng thí nghiệm và môi trường công nghiệp,thường được sử dụng trong bình phản ứng và cột chưng cất. -
Sản xuất điện tử:
Các khay SiC phục vụ như nền trong sản xuất các thiết bị điện tử, nơi mà tính cách nhiệt và dẫn nhiệt của chúng rất quan trọng để duy trì hiệu suất và độ tin cậy. -
Ứng dụng quang học:
Được sử dụng trong sản xuất các thành phần quang học, khay SiC hỗ trợ các vật liệu đòi hỏi kiểm soát nhiệt độ chính xác và ổn định để đảm bảo kết quả chất lượng cao. -
Ngành hàng không vũ trụ và ô tô:
Các khay gốm SiC được sử dụng trong các ứng dụng hàng không vũ trụ và ô tô vì tính chất nhẹ và bền cao của chúng,đặc biệt là trong các thành phần đòi hỏi quản lý nhiệt và chống ăn mòn. -
Nghiên cứu và Phát triển:
Trong môi trường nghiên cứu và phát triển, các khay này thường được sử dụng cho các thiết lập thử nghiệm liên quan đến nhiệt độ cao hoặc vật liệu ăn mòn, cung cấp một nền tảng mạnh mẽ cho thử nghiệm vật liệu sáng tạo. -
Sản xuất thiết bị y tế:
Các khay cacbon silicon được sử dụng trong sản xuất các thiết bị y tế, cung cấp khả năng khử trùng và kháng hóa học trong môi trường chế biến.
Các ứng dụng này làm nổi bật tính linh hoạt và độ tin cậy của khay gốm silicon carbide trong các ngành công nghiệp khác nhau,làm cho chúng trở thành một thành phần không thể thiếu trong môi trường sản xuất và chế biến tiên tiến.
hình ảnh của khay gốm cacbon silicon