 |
InAs Substrate 2inch 3inch 4inch 5inch 6inch Un/S/Zn Type N/P DSP/SSP đánh bóng
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Nguồn gốc: | Trung Quốc |
| Hàng hiệu: | ZMSH |
| Số mô hình: | Chất nền Indium Arsenide (InAs) |
Thanh toán:
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 25 |
|---|---|
| Giá bán: | undetermined |
| chi tiết đóng gói: | nhựa xốp＋thùng carton |
| Thời gian giao hàng: | 2-4 tuần |
| Điều khoản thanh toán: | T/T |
| Khả năng cung cấp: | 1000 CÁI / Tuần |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Vật liệu: | Indi arsenua (InAs) | Khoảng cách ban nhạc: | 0,354 eV (băng thông trực tiếp ở 300 K) |
|---|---|---|---|
| Độ di chuyển của electron: | > 40.000 cm²/V·s (300 K), cho phép các thiết bị điện tử tốc độ cao | Khối lượng hiệu quả: | Khối lượng hiệu dụng của điện tử: ~0,023 m₀ (khối lượng điện tử tự do) |
| hằng số mạng: | 6,058 Å, rất phù hợp với các vật liệu như GaSb và InGaAs | Khả năng dẫn nhiệt: | ~0,27 W/cm·K ở 300 K |
| Nồng độ chất mang nội tại: | ~1,5 × 10¹⁶ cm⁻³ ở 300 K | Chỉ số khúc xạ: | ~3,51 (ở bước sóng 10 µm) |
| Làm nổi bật: | 5 inch InAs Substrate,6 inch InAs Substrate,4 inch InAs Substrate |
||
Mô tả sản phẩm
InAs Substrate 2inch 3inch 4inch 5inch 6inch Un/S/Zn Loại N/P DSP/SSP
Chất trừu tượng của Indium Arsenide (InAs) Substrate
Các chất nền Indium Arsenide (InAs) rất cần thiết trong việc phát triển các công nghệ bán dẫn tiên tiến, nhờ sự kết hợp độc đáo của các tính chất điện và quang học.Là một chất bán dẫn hợp chất III-V, InAs đặc biệt được đánh giá cao vì băng tần hẹp 0,36 eV ở nhiệt độ phòng, cho phép nó hoạt động hiệu quả trong quang phổ hồng ngoại.Điều này làm cho InAs trở thành vật liệu lý tưởng cho các máy dò ánh sáng hồng ngoạiNgoài ra, tính di động điện tử cao của nó cho phép vận chuyển điện tích nhanh,làm cho nó rất quan trọng cho các thiết bị điện tử tốc độ cao như bóng bán dẫn và mạch tích hợp được sử dụng trong các hệ thống truyền thông và các ứng dụng tần số cao.
Hơn nữa, InAs đóng một vai trò quan trọng trong lĩnh vực công nghệ lượng tử đang nổi lên.là trọng tâm cho sự phát triển của các thiết bị lượng tửKhả năng tích hợp InAs với các vật liệu khác như InP và GaAs làm tăng tính linh hoạt của nó,dẫn đến việc tạo ra các cấu trúc đa dạng tiên tiến cho các thiết bị quang điện tử như đèn diode laser và đèn diode phát sáng.
Tính chất của InAs Substrate
1- Băng cách hẹp.
InAs có khoảng cách băng tần trực tiếp 0,354 eV ở nhiệt độ phòng, khiến nó trở thành vật liệu tuyệt vời cho phát hiện hồng ngoại sóng dài (LWIR).Khoảng cách thu nhỏ của nó cho phép độ nhạy cao trong việc phát hiện các photon năng lượng thấp, rất quan trọng đối với các ứng dụng trong hình ảnh nhiệt và quang phổ.
2. Điện tử di chuyển cao
Một trong những tính chất nổi bật của InAs là tính di động điện tử đặc biệt của nó, vượt quá 40.000 cm2/V•s ở nhiệt độ phòng.Sự di chuyển cao này tạo điều kiện cho sự phát triển của các thiết bị điện tử tốc độ cao và năng lượng thấp, chẳng hạn như các transistor di động điện tử cao (HEMT) và bộ dao động terahertz.
3. khối lượng hiệu quả thấp
Khối lượng hiệu quả thấp của các electron trong InAs dẫn đến khả năng di chuyển chất mang cao và giảm tán xạ, làm cho nó lý tưởng cho các ứng dụng tần số cao và nghiên cứu vận chuyển lượng tử.
4- Tốt lắm.
Các chất nền InAs cho thấy sự phù hợp lưới tốt với các vật liệu III-V khác như Gallium Antimonide (GaSb) và Indium Gallium Arsenide (InGaAs).Tính tương thích này cho phép chế tạo các cấu trúc khác nhau và các thiết bị đa khớp, rất quan trọng đối với các ứng dụng quang điện tử tiên tiến.
5Phản ứng hồng ngoại mạnh mẽ
Sự hấp thụ và phát xạ mạnh mẽ của InAs trong quang phổ hồng ngoại làm cho nó trở thành vật liệu tối ưu cho các thiết bị quang tử như laser và máy dò hoạt động trong các vùng quang phổ 3-5 μm và 8-12 μm.
| Tài sản | Mô tả |
|---|---|
| Bandgap | 0.354 eV (băng trống trực tiếp ở 300 K) |
| Điện tử di chuyển | > 40.000 cm2/V·s (300 K), cho phép các thiết bị điện tử tốc độ cao |
| Khối lượng hiệu quả | khối lượng hiệu quả của electron: ~ 0,023 m0 ( khối lượng electron tự do) |
| Hằng số lưới | 6.058 Å, phù hợp với các vật liệu như GaSb và InGaAs |
| Khả năng dẫn nhiệt | ~ 0,27 W/cm·K ở 300 K |
| Nồng độ chất mang nội tại | ~ 1,5 × 1016 cm-3 ở 300 K |
| Chỉ số khúc xạ | ~ 3,51 (ở bước sóng 10 μm) |
| Phản ứng hồng ngoại | Nhạy cảm với bước sóng trong phạm vi 3 5 μm và 8 12 μm |
| Cấu trúc tinh thể | Sản phẩm hỗn hợp kẽm (mức khối trung tâm mặt) |
| Tính chất cơ học | Mỏng và đòi hỏi phải xử lý cẩn thận trong quá trình chế biến |
| Tỷ lệ mở rộng nhiệt | ~4,6 × 10−6 /K ở 300 K |
| Điểm nóng chảy | ~942 °C |
Sản xuất InAs Substrate
1. Sự phát triển của tinh thể
Các chất nền InAs chủ yếu được sản xuất bằng các kỹ thuật như phương pháp Czochralski (CZ) và phương pháp đóng băng dốc dọc (VGF).Các phương pháp này đảm bảo tinh thể đơn chất lượng cao với các khiếm khuyết tối thiểu.
-
Phương pháp Czochralski: Trong quá trình này, một tinh thể hạt được ngâm vào một hỗn hợp nóng chảy của indi và arsen.
-
Giảm độ lạnh theo dốc dọc: Kỹ thuật này bao gồm làm cứng vật liệu nóng chảy trong một gradient nhiệt được kiểm soát, dẫn đến cấu trúc tinh thể đồng nhất với ít trục trặc hơn.
2. Xử lý Wafer
Sau khi tinh thể phát triển, nó được cắt thành các miếng vỏ dày mong muốn bằng các công cụ cắt chính xác.thiết yếu cho việc sản xuất thiết bịLàm bóng bằng hóa học-thiết học (CMP) thường được sử dụng để loại bỏ các khiếm khuyết bề mặt và tăng tính phẳng.
3. Kiểm soát chất lượng
Các kỹ thuật mô tả tiên tiến, bao gồm khuếch tán tia X (XRD), kính hiển vi lực nguyên tử (AFM) và đo hiệu ứng Hall được sử dụng để đảm bảo cấu trúc, điện,và chất lượng quang học của chất nền.
Các ứng dụng của InAs Substrate
1- Máy phát hiện hồng ngoại.
Các chất nền InAs được sử dụng rộng rãi trong các máy dò quang hồng ngoại, đặc biệt là cho hình ảnh nhiệt và giám sát môi trường.Khả năng phát hiện ánh sáng hồng ngoại bước sóng dài khiến chúng rất cần thiết cho các ứng dụng trong phòng thủ, thiên văn học, và kiểm tra công nghiệp.
2. Thiết bị lượng tử
InAs là vật liệu ưa thích cho các thiết bị lượng tử do khối lượng hiệu quả thấp và tính di động điện tử cao. Nó được sử dụng trong các giếng lượng tử và các điểm lượng tử cho máy tính lượng tử, mật mã học,và mạch quang tiên tiến.
3Điện tử tốc độ cao
Sự di chuyển điện tử cao của InAs cho phép phát triển các bóng bán dẫn tốc độ cao, bao gồm HEMT và bóng bán dẫn hai cực (HBT).Những thiết bị này rất quan trọng cho các ứng dụng trong truyền thông không dây, hệ thống radar, và bộ khuếch đại tần số cao.
4. Optoelectronics
InAs chất nền được sử dụng trong việc sản xuất tia laser hồng ngoại và đèn diode phát sáng (LED).
5Công nghệ Terahertz
Các tính chất của InAs ′ làm cho nó phù hợp với các nguồn và máy dò bức xạ terahertz.
Câu hỏi và câu trả lời
Hỏi: Những lợi thế của InAs Substrates là gì?
A:1Độ nhạy cao: Các thiết bị dựa trên InAs có độ nhạy tuyệt vời với ánh sáng hồng ngoại, làm cho chúng lý tưởng cho điều kiện ánh sáng yếu.
2.Sự linh hoạt: Các chất nền InAs có thể được tích hợp với các vật liệu III-V khác nhau, cho phép thiết kế các thiết bị linh hoạt và hiệu suất cao.
3.Scalability: Tiến bộ trong kỹ thuật phát triển tinh thể đã làm cho nó có thể sản xuất các tấm InAs đường kính lớn, đáp ứng nhu cầu của sản xuất bán dẫn hiện đại.
một số sản phẩm tương tự như Indium Arsenide (InAs) chất nền
1. Gallium Arsenide (GaAs) Substrate
- Tính chất chính: Phạm vi băng tần trực tiếp (1,42 eV), tính di động điện tử cao (~ 8,500 cm2/V·s), và độ dẫn nhiệt tuyệt vời (~ 0,55 W/cm·K).
- Ứng dụng: Được sử dụng rộng rãi trong điện tử tần số cao, pin mặt trời và quang điện tử, chẳng hạn như đèn LED và đèn diode laser.
- Ưu điểm: Các quy trình sản xuất được thiết lập tốt, làm cho nó hiệu quả về chi phí cho nhiều ứng dụng.
2. Indium Phosphide (InP) Substrate
- Tính chất chính: Phạm vi băng tần trực tiếp (1,34 eV), tính di động điện tử cao (~ 5,400 cm2/V·s), và khớp lưới tuyệt vời với InGaAs.
- Ứng dụng: Cần thiết cho các thiết bị quang học tốc độ cao, hệ thống truyền thông quang học và laser cascade lượng tử.
- Ưu điểm: Độ dẫn nhiệt cao và thích hợp cho các ứng dụng công suất cao.
Tag: #InAs Substrate #Phân chất bán dẫn