• SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial
  • SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial
  • SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial
  • SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial
  • SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial
SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial

SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc: Trung Quốc
Hàng hiệu: ZMSH
Số mô hình: Khay/Tấm/Tấm gốm SiC

Thanh toán:

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 25
Giá bán: undetermined
chi tiết đóng gói: nhựa xốp+thùng carton
Thời gian giao hàng: 2-4 tuần
Điều khoản thanh toán: T/T
Khả năng cung cấp: 1000 CÁI / Tuần
Giá tốt nhất Tiếp xúc

Thông tin chi tiết

Khả năng dẫn nhiệt: Tản nhiệt tuyệt vời, đảm bảo kiểm soát nhiệt độ đồng đều trong các quy trình nhiệt độ cao. High-Temperature Stability: Can withstand temperatures up to 2,700°C, making it ideal for high-heat environments.
Hao mòn điện trở: Độ cứng và độ bền cao, lý tưởng cho việc xử lý nhiều lần và ứng suất cơ học.
Làm nổi bật:

ICP Quá trình khắc nét Thẻ gốm

,

Thẻ gốm xử lý tăng trưởng epitaxial

,

Bảng gốm xử lý sự phát triển của trục

Mô tả sản phẩm

Thang/bảng/bộ chứa Wafer gốm SiC cho quá trình khắc ICP được sử dụng trong xử lý tăng trưởng epitaxial

 

 

Tóm tắt của các khay gốm SiC (SiC)

 

 

Các khay gốm silicon carbide (SiC) là vật liệu hiệu suất cao được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp đòi hỏi độ bền, độ ổn định nhiệt độ cao và độ dẫn nhiệt tuyệt vời.được biết đến với độ cứng vượt trội của chúng, chống mòn, quán tính hóa học và chống sốc nhiệt, làm cho chúng lý tưởng cho các ứng dụng đòi hỏi như sản xuất bán dẫn, xử lý vật liệu và quy trình nhiệt độ cao.Các khay này đặc biệt phù hợp để sử dụng trong các quy trình chế tạo bán dẫn như khắc ICP (Plasma kết hợp cảm ứng) và tăng trưởng epitaxial,nơi kiểm soát nhiệt độ chính xác và tính toàn vẹn của vật liệu là rất quan trọng.

 


SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial 0

 

Tính chất của khay gốm SiC

 

Các khay gốm SiC được thiết kế để đáp ứng các tiêu chuẩn cao được yêu cầu trong các ngành công nghiệp như sản xuất bán dẫn và xử lý vật liệu.

 

1.High dẫn nhiệt

 

SiC có độ dẫn nhiệt cao nhất trong số các loại gốm. Điều này cho phép khay gốm SiC phân tán nhiệt hiệu quả trong các quy trình nhiệt độ cao.Trong các ngành công nghiệp như khắc bán dẫn và tăng trưởng epitaxial, nơi kiểm soát nhiệt độ chính xác là rất quan trọng, tính dẫn nhiệt của SiC ̇ đảm bảo rằng vật liệu có thể chịu đựng và hoạt động ở nhiệt độ cao mà không bị phân hủy.

 

2. Chống mòn tuyệt vời

 

Độ cứng vốn có của SiC làm cho nó có khả năng chống mài mòn và mài mòn vượt trội.chẳng hạn như trong xử lý waferCác khay SiC bền và bền lâu, làm cho chúng trở thành một lựa chọn đáng tin cậy cho việc sử dụng nhiều lần trong các ứng dụng công nghiệp.

 

3Chất chống ăn mòn và hóa học.

 

SiC có khả năng chống ăn mòn và tấn công hóa học cao, làm cho nó phù hợp để sử dụng trong môi trường mà các vật liệu khác có thể bị phân hủy.và các chất ăn mòn khác thường được tìm thấy trong các quy trình khắc bán dẫn hoặc chế biến hóa học.

 

4. Độ ổn định nhiệt độ cao

 

SiC duy trì tính toàn vẹn cấu trúc của nó ngay cả ở nhiệt độ cực cao.Các khay gốm SiC có thể chịu được nhiệt độ cao gặp phải trong các quy trình như ICP (Inductively Coupled Plasma) khắc và tăng trưởng epitaxial, thường hoạt động ở nhiệt độ trên 1.000 ° C. Sự dung nạp nhiệt độ cao này đảm bảo rằng khay SiC không bị biến dạng hoặc biến dạng trong điều kiện cực đoan.

 

5. Khép kín điện

 

Các loại gốm SiC là cách điện, làm cho chúng lý tưởng để sử dụng trong môi trường xử lý bán dẫn, nơi các tính chất điện rất quan trọng.chẳng hạn như xử lý wafer trong quá trình lắng đọng hoặc khắc, các tính chất cách điện của SiC có thể giúp ngăn chặn sự can thiệp điện không mong muốn.

 

SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial 1

 


Ứng dụng của khay gốm SiC

 

Các khay gốm SiC được sử dụng trong nhiều ngành công nghiệp khác nhau, đặc biệt là những ngành đòi hỏi độ ổn định nhiệt độ cao, khả năng chống mòn và khả năng chống hóa học.:

 

1Ngành công nghiệp bán dẫn

 

Trong ngành công nghiệp bán dẫn, khay gốm SiC được sử dụng rộng rãi để xử lý wafer, đặc biệt là trong quá trình khắc và tăng trưởng epitaxial.một kỹ thuật được sử dụng rộng rãi để tạo mẫu phim mỏngCác khay SiC là lý tưởng cho quá trình này, vì chúng cung cấp quản lý nhiệt tuyệt vời, giảm thiểu thiệt hại liên quan đến nhiệt cho các wafer.

 

Các khay SiC cũng rất quan trọng trong quá trình tăng trưởng epitaxial, trong đó các lớp mỏng của vật liệu được lắng đọng trên một chất nền.rất quan trọng để đạt được sự phát triển đồng nhất và các lớp chất lượng cao trên silicon carbide hoặc silicon wafers.

 

2- Chế độ xử lý vật liệu

 

Các khay gốm SiC được sử dụng trong việc xử lý và vận chuyển vật liệu trong môi trường nhiệt độ cao.và vật liệu tổng hợpCác khay SiC cung cấp một giải pháp mạnh mẽ để di chuyển vật liệu trong lò, lò nung và các môi trường cực đoan khác.

 

3. Sản xuất pin mặt trời và pin LED

 

Các tính chất của SiC ′ đặc biệt có giá trị trong sản xuất đèn LED và pin mặt trời.làm cho các khay gốm SiC trở thành vật liệu lý tưởng để xử lý và hỗ trợ các chất nền trong các giai đoạn sản xuất khác nhauTương tự như vậy, trong sản xuất pin mặt trời, khay SiC được sử dụng để xử lý miếng trong các quy trình như doping và khắc.

 

 

SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial 2

 

4. Hàng không vũ trụ và ô tô

 

Các khay gốm SiC cũng được sử dụng trong các ứng dụng hàng không vũ trụ và ô tô, nơi hiệu suất nhiệt độ cao là rất quan trọng.Các thành phần phải chịu được điều kiện cực đoan như trong tua-bin, động cơ tên lửa và hệ thống phanh hiệu suất cao được hưởng lợi từ việc sử dụng các vật liệu dựa trên SiC.Các khay này hỗ trợ xử lý và chế biến các vật liệu cần được giữ ở nhiệt độ và môi trường cụ thể trong quá trình sản xuất hoặc thử nghiệm.

 

 

SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial 3

 


Lợi ích của khay gốm SiC

 

1. Tăng hiệu quả

 

Tính dẫn nhiệt cao của SiC đảm bảo nhiệt được phân tán hiệu quả, ngăn ngừa tổn thương nhiệt cho các thành phần nhạy cảm trong các quy trình như khắc và phát triển.Điều này dẫn đến kết quả chính xác và nhất quán hơn, tăng hiệu quả tổng thể của dây chuyền sản xuất.

 

2Tiết kiệm chi phí

 

Mặc dù SiC là một vật liệu cao cấp, độ bền và tuổi thọ dài của nó làm giảm nhu cầu thay thế thường xuyên.vì tuổi thọ và hiệu suất của chúng giúp giảm thời gian ngừng hoạt động và chi phí bảo trì.

 

3. Tăng cường kiểm soát quy trình

 

Việc sử dụng các khay SiC trong các ứng dụng xử lý nhiệt độ cao và bán dẫn cho phép kiểm soát môi trường tốt hơn,đảm bảo rằng các tấm hoặc nền được điều kiện tối ưuĐiều này dẫn đến các sản phẩm chất lượng tốt hơn, đặc biệt quan trọng trong các ngành công nghiệp như sản xuất bán dẫn, nơi độ chính xác và chất lượng là tối quan trọng.

 

4. Kháng môi trường

 

Kháng ăn mòn, oxy hóa,và thiệt hại hóa học đảm bảo rằng khay gốm SiC có thể chịu được điều kiện khắc nghiệt thường gặp trong chế tạo bán dẫn và các ngành công nghiệp công nghệ cao khácKhả năng phục hồi môi trường này góp phần vào tuổi thọ và độ tin cậy của khay trong các ứng dụng đòi hỏi.

 

Kết luận

 

Các khay gốm SiC là một thành phần quan trọng trong các ngành công nghiệp đòi hỏi các vật liệu hiệu suất cao có khả năng chịu được điều kiện khắc nghiệt.sự ổn định hóa học, và dung nạp nhiệt độ cao làm cho chúng trở nên không thể thiếu trong sản xuất bán dẫn, xử lý vật liệu và nhiều ứng dụng khác.và độ chính xácCác khay gốm SiC cung cấp cho các nhà sản xuất một giải pháp đáng tin cậy, lâu dài giúp cải thiện kiểm soát quy trình và chất lượng sản phẩm.Khi các ngành công nghiệp tiếp tục yêu cầu hiệu suất cao hơn và các vật liệu bền hơn, việc sử dụng khay gốm SiC sẽ tiếp tục tăng tầm quan trọng trong các lĩnh vực công nghệ cao khác nhau.

 

 

Câu hỏi và câu trả lời

 

 

Hỏi:Các khay gốm SiC có thể được tùy chỉnh không?

 

 

A: Vâng, khay gốm SiC có thể được tùy chỉnh để đáp ứng các yêu cầu cụ thể, bao gồm kích thước, hình dạng và bề mặt hoàn thiện.chẳng hạn như xử lý wafer, vận chuyển chất nền hoặc điều kiện khắc và phát triển cụ thể.

 

 

# Silicon Carbide (SiC) # Ceramic Trays # High-Temperature Materials # Semiconductor Manufacturing # ICP Etching # Epitaxial Growth

# Chống mòn # Chống nhiệt # Chống hóa học # Chế độ xử lý vật liệu

Muốn biết thêm chi tiết về sản phẩm này
SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial bạn có thể gửi cho tôi thêm chi tiết như loại, kích thước, số lượng, chất liệu, v.v.

Chờ hồi âm của bạn.