 |
SOI wafer P Type N Type 6 inch 8 inch 12 inch SSP / DSP
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Nguồn gốc: | Trung Quốc |
| Hàng hiệu: | ZMSH |
Thanh toán:
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 25 |
|---|---|
| Giá bán: | undetermined |
| chi tiết đóng gói: | nhựa xốp＋thùng carton |
| Thời gian giao hàng: | 2-4 tuần |
| Điều khoản thanh toán: | T/T |
| Khả năng cung cấp: | 1000 CÁI / Tuần |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Độ dày lớp silicon trên cùng: | 0,1 - 20 Pha | Độ dày lớp oxit chôn: | 0,1 - 3 Pha |
|---|---|---|---|
| Loại chất nền: | Silicon (SI), silicon có độ bền cao (HR-SI) hoặc các loại khác | Điện trở suất lớp thiết bị: | 1 - 10.000 · cm |
| Điện trở suất lớp oxit: | 1 × 10⁶ đến 10⁸Ω · cm | Khả năng dẫn nhiệt: | 1,5 - 3.0W/m · k |
| Làm nổi bật: | 8 inch SOI Wafer,12 inch SOI wafer,6 inch SOI Wafer |
||
Mô tả sản phẩm
SOI wafer P Type N Type 6 inch 8 inch 12 inch SSP / DSP
Tóm tắt của SOI wafer
Silicon on Insulator (SOI) là một công nghệ bán dẫn tiên tiến trong đó một lớp cách nhiệt mỏng, thường là silicon dioxide (SiO2),được đưa vào giữa chất nền silicon và lớp silicon hoạt độngCấu trúc này làm giảm đáng kể dung lượng ký sinh trùng, cải thiện tốc độ chuyển đổi, giảm tiêu thụ điện và tăng khả năng chống bức xạ so với công nghệ silicon hàng loạt truyền thống.
SOI là viết tắt của silicon-on-insulator, hoặc Silicon On a substrate, đưa ra một lớp oxit bị chôn vùi giữa lớp silicon trên cùng và chất nền.
Thông số kỹ thuật SOI
| Khả năng dẫn nhiệt | Độ dẫn nhiệt tương đối cao |
| Độ dày lớp hoạt động | Thông thường dao động từ một vài đến vài chục nanomet (nm) |
| Chiều kính wafer | 6 inch, 8 inch, 12 inch |
| Ưu điểm của quy trình | Hiệu suất thiết bị cao hơn và tiêu thụ năng lượng thấp hơn |
| Ưu điểm hiệu suất | Tính chất điện tuyệt vời, giảm Kích thước thiết bị, giảm thiểu crossstalk giữa các thành phần điện tử |
| Kháng chất | Thông thường dao động từ vài trăm đến hàng ngàn ohm-cm |
| Đặc điểm tiêu thụ năng lượng | Tiêu thụ năng lượng thấp |
| Nồng độ ô nhiễm | Nồng độ tạp chất thấp |
| Hỗ trợ silicon trên wafer cách điện | SOI Silicon Wafer 4-inch, CMOS Ba lớp cấu trúc |
Cấu trúc của SOI
Mảng SOI thường bao gồm ba lớp chính:
1Lớp Silicon trên cùng (Lớp thiết bị): Lớp silicon mỏng mà các thiết bị bán dẫn được chế tạo. Độ dày thay đổi từ một vài nanomet đến hàng chục micromet tùy thuộc vào ứng dụng.
2Lớp Oxit chôn (BOX): Một lớp mỏng của silicon dioxide (SiO2) cung cấp cách điện. Nó dao động về độ dày từ hàng chục nanometer đến một vài micrometer.
3.Handle Wafer (Substrate): Một lớp hỗ trợ cơ học, thường được làm bằng silicon hoặc các vật liệu hiệu suất cao khác.
Độ dày của cả lớp silicon trên cùng và lớp oxit chôn vùi có thể được tùy chỉnh để tối ưu hóa hiệu suất cho các ứng dụng cụ thể.
Các quy trình sản xuất SOI
Mảng SOI được sản xuất bằng ba phương pháp chính:
1.SIMOX (Phân tách bằng Oxy được cấy ghép)
Nó liên quan đến việc cấy ghép các ion oxy vào một miếng silicon và oxy hóa chúng ở nhiệt độ cao để tạo thành một lớp oxit bị chôn vùi.
Sản xuất miếng SOI chất lượng cao nhưng tương đối đắt tiền.
2.Smart CutTM (Được phát triển bởi Soitec, Pháp)
Sử dụng cấy ghép ion hydro và liên kết wafer để tạo ra các cấu trúc SOI.
Phương pháp được sử dụng rộng rãi nhất trong sản xuất SOI thương mại.
3.Wafer Bonding & Etch-Back
Bao gồm liên kết hai miếng silicon và chọn lọc khắc một đến độ dày mong muốn.
Được sử dụng cho SOI dày và các ứng dụng chuyên biệt.
Các ứng dụng của SOI
Do lợi ích hiệu suất độc đáo của nó, công nghệ SOI được áp dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp khác nhau:
1.High-Performance Computing (HPC)
Các công ty như IBM và AMD sử dụng SOI trong các CPU máy chủ cao cấp để tăng tốc độ xử lý và giảm tiêu thụ điện.
SOI được sử dụng rộng rãi trong siêu máy tính và bộ xử lý AI.
2Thiết bị di động và năng lượng thấp
Công nghệ FD-SOI được sử dụng trong điện thoại thông minh, thiết bị đeo và thiết bị IoT để cân bằng hiệu suất và hiệu quả năng lượng.
Các nhà sản xuất chip như STMicroelectronics và GlobalFoundries sản xuất chip FD-SOI cho các ứng dụng năng lượng thấp.
3.RF & Truyền thông không dây (RF SOI)
RF SOI được sử dụng rộng rãi trong 5G, Wi-Fi 6E và truyền thông sóng milimet.
Được sử dụng trong các công tắc RF, bộ khuếch đại tiếng ồn thấp (LNA) và các mô-đun RF front-end (RF FEM).
4. Điện tử ô tô
Power SOI được sử dụng rộng rãi trong xe điện (EV) và hệ thống hỗ trợ lái xe tiên tiến (ADAS).
Nó cho phép hoạt động ở nhiệt độ cao và điện áp cao, đảm bảo độ tin cậy trong điều kiện khắc nghiệt.
5. Silicon Photonics & ứng dụng quang học
Các chất nền SOI được sử dụng trong các chip quang học silicon cho truyền thông quang học tốc độ cao.
Các ứng dụng bao gồm các trung tâm dữ liệu, kết nối quang tốc độ cao và LiDAR (Đánh hiện và tầm nhìn ánh sáng).
Ưu điểm của wafer SOI
1.Giảm công suất ký sinh trùng và tăng tốc độ hoạt độngSo với các vật liệu silicon hàng loạt, các thiết bị SOI đạt được sự cải thiện tốc độ 20-35%.
2.Sản lượng điện thấp hơnDo khả năng chứa ký sinh trùng giảm và hiện tại rò rỉ giảm thiểu, các thiết bị SOI có thể giảm tiêu thụ điện 35-70%.
3- Loại bỏ các hiệu ứng khóaCông nghệ SOI ngăn chặn khóa, cải thiện độ tin cậy của thiết bị.
4- Giảm tiếng ồn nền và giảm lỗi mềmSOI làm giảm hiệu quả sự can thiệp của dòng xung từ nền, làm giảm sự xuất hiện của các lỗi mềm.
5- Khả năng tương thích với các quy trình silicon hiện cóCông nghệ SOI tích hợp tốt với sản xuất silicon thông thường, giảm các bước chế biến 13-20%.
Tag:#SOI wafer # P Type # N Type # 6 inch # 8 inch # 12 inch # bề mặt bóng SSP / DSP