Giới thiệu về Cánh tay gắp bằng gốm SiC

được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực bán dẫn, quang điện và vi điện tử. Các ứng dụng chính bao gồm:, còn được gọi là bộ gắp gốm, là một bộ phận robot hiệu suất cao được thiết kế để xử lý wafer siêu sạch và có độ chính xác cao trong sản xuất chất bán dẫn. Được chế tạo từ gốm silicon carbide (SiC) tiên tiến, bộ gắp này mang lại độ bền cơ học vượt trội, độ giãn nở nhiệt thấp và khả năng kháng hóa chất tuyệt vời—lý tưởng cho các môi trường đòi hỏi khắt khe như buồng chân không, vùng nhiệt độ cao và môi trường khí ăn mòn.Không giống như các bộ gắp kim loại hoặc thạch anh truyền thống, cánh tay gắp bằng gốm SiC đảm bảo giảm thiểu sự phát sinh hạt và biến dạng nhiệt, mang lại độ tin cậy và căn chỉnh chính xác lâu dài cho các hoạt động chuyển, định vị và tải/dỡ wafer.

Nguyên tắc sản xuất 

của Cánh tay gắp bằng gốm SiCA1:

được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực bán dẫn, quang điện và vi điện tử. Các ứng dụng chính bao gồm: được sản xuất bằng silicon carbide liên kết phản ứng (RB-SiC) hoặc silicon carbide thiêu kết không áp suất (SSiC). Quy trình sản xuất thường bao gồm:Xử lý bột

1. : Bột SiC có độ tinh khiết cao được trộn với chất kết dính và phụ gia.Đúc/Tạo hình

2. : Sử dụng các kỹ thuật như ép đẳng tĩnh nguội (CIP) hoặc ép phun để tạo hình các hình dạng phức tạp, bao gồm các cánh tay gắp mỏng hoặc cấu trúc có ngạnh.Thiêu kết

3. : Xử lý nhiệt ở nhiệt độ trên 2000°C đảm bảo độ đặc chắc cao, độ bền và tính đồng nhất về vi cấu trúc.Gia công chính xác

4. : Mài CNC và đánh bóng kim cương được sử dụng để đạt được dung sai kích thước xuống đến micron và bề mặt siêu phẳng, giảm thiểu hư hỏng cho wafer.Kiểm tra cuối cùng

5. : Kiểm tra không phá hủy (NDT), kiểm tra kích thước và kiểm tra độ nhám bề mặt đảm bảo mỗi bộ gắp gốm đáp ứng các tiêu chuẩn cấp bán dẫn.Toàn bộ quy trình này đảm bảo

bộ gắpƯu điểm      

Ứng dụng 

của Cánh tay gắp bằng gốm SiCA1:

được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực bán dẫn, quang điện và vi điện tử. Các ứng dụng chính bao gồm:Hệ thống chuyển wafer: Để xử lý wafer từ 6 inch đến 12 inch trong quá trình chế tạo IC.

• Cánh tay robot trong buồng chân không: Để gắp và đặt trong các quy trình CVD, ALD và khắc khô.

• Cổng tải FOUP/FOSB: Tích hợp vào hệ thống robot để chuyển wafer giữa các bộ mang và mô-đun quy trình.

• Tự động hóa phòng sạch: Trong dây chuyền sản xuất chất bán dẫn năng suất cao, nơi cần thiết việc xử lý siêu sạch.

• Xử lý laser hoặc ủ: Nơi cần thiết khả năng chịu nhiệt độ cao và không bị nhiễm bẩn.

• Chức năng bộ gắp

của nó đảm bảo việc kẹp wafer bán dẫn tinh tế nhưng chắc chắn mà không gây căng thẳng cơ học hoặc nhiễm bẩn.Ưu điểm của Cánh tay gắp bằng gốm SiC

Độ tinh khiết caoA1:

• Ổn định nhiệt: Duy trì độ cứng và hình dạng trong quá trình chu kỳ nhiệt.

• Độ giãn nở nhiệt thấp: Ngăn ngừa biến dạng nhiệt, cải thiện độ căn chỉnh wafer.

• Kháng hóa chất: Trơ với khí ăn mòn và môi trường plasma.

• Độ bền cơ học: Chống gãy, sứt mẻ và cong vênh dưới tải cơ học.

• Độ phẳng bề mặt: Bề mặt tiếp xúc siêu mịn làm giảm nguy cơ trầy xước wafer.

• Thông số kỹ thuật của Cánh tay gắp bằng gốm SiC

Thông số kỹ thuật chính của Lớp phủ CVD-SICA1:

Q1: Tại sao nên chọn bộ gắp gốm SiC thay vì thạch anh hoặc nhôm?A1:

Gốm SiC mang lại khả năng chịu nhiệt, độ bền cơ học vượt trội và tuổi thọ dài hơn so với thạch anh hoặc vật liệu kim loại, đặc biệt là trong môi trường plasma khắc nghiệt hoặc nhiệt độ cao.
Q2: Cánh tay gắp bằng gốm có thể được tùy chỉnh để phù hợp với robot hoặc kích thước wafer của tôi không?A2:

Có. Chúng tôi cung cấp khả năng tùy chỉnh hoàn toàn hình học cánh tay gắp, kích thước khe và giao diện lắp để phù hợp với hệ thống robot và thông số kỹ thuật wafer của bạn.
Q3: Các bộ gắp này có an toàn để sử dụng trong hệ thống chân không hoặc plasma không?A3:

Chắc chắn rồi. Gốm SiC hoàn toàn tương thích với môi trường chân không cực cao (UHV), khắc plasma và khắc ion phản ứng (RIE) do tính trơ hóa học và lượng khí thải thấp của chúng.
Q4: Cánh tay gắp bằng gốm SiC có độ bền như thế nào khi sử dụng lặp đi lặp lại?A4:

Độ cứng và độ dẻo dai cao của SiC cho phép nó chịu được các chu kỳ nhiệt và xử lý cơ học lặp đi lặp lại mà không bị suy giảm, khiến nó trở nên lý tưởng cho môi trường sản xuất liên tục.
Q5: Bạn có cung cấp thử nghiệm hoặc chứng nhận cho từng bộ gắp không?A5:

Có, tất cả các sản phẩm đều trải qua quá trình kiểm tra kích thước nghiêm ngặt, kiểm tra độ phẳng và xác minh vật liệu. Giấy chứng nhận tuân thủ (CoC) và báo cáo thử nghiệm có thể được cung cấp theo yêu cầu.
Sản phẩm liên quanWafer SiC 12 inch Wafer Silicon Carbide 300mm Cấp giả dẫn điện Loại N Cấp nghiên cứu

Wafer 4H/6H P-Type Sic 4 inch 6 inch Cấp Z Cấp P Cấp D Lệch trục 2.0°-4.0° Hướng về Tạp chất loại P

Về chúng tôi

ZMSH chuyên phát triển công nghệ cao, sản xuất và kinh doanh kính quang học đặc biệt và vật liệu tinh thể mới. Sản phẩm của chúng tôi phục vụ điện tử quang học, điện tử tiêu dùng và quân sự. Chúng tôi cung cấp các thành phần quang học Sapphire, vỏ ống kính điện thoại di động, Gốm, LT, Silicon Carbide SIC, Thạch anh và wafer tinh thể bán dẫn. Với chuyên môn lành nghề và thiết bị tiên tiến, chúng tôi vượt trội trong việc xử lý sản phẩm không chuẩn, với mục tiêu trở thành một doanh nghiệp công nghệ cao về vật liệu quang điện hàng đầu.