Tổng quan về sản phẩm

Của chúng tôiTinh thể đơn hBN cấp thiết bịlà một khối đơn tinh thể boron nitride hình lục giác chất lượng cao được thiết kế để nghiên cứu vật liệu 2D và chế tạo thiết bị tiên tiến. Được phát triển bằng quy trình áp suất khí quyển độc quyền, tinh thể hBN này có chất lượng tinh thể cao, hoạt động phân cắt rõ ràng, các vùng miền đơn diện tích lớn và độ trong suốt quang học tuyệt vời.

Nó đặc biệt thích hợp như mộtlớp nền hoặc lớp đóng góicho các cấu trúc dị thể 2D, các thiết bị dựa trên graphene, cấu trúc quang tử nano và các ứng dụng quang điện tử tia cực tím sâu. Xác thực ở cấp độ thiết bị của bên thứ ba cho thấy vật liệu hBN này có thể mang lại hiệu suất tương đương hoặc tốt hơn các tinh thể tiêu chuẩn vàng hàn lâm hiện tại trong các ứng dụng cấu trúc dị thể graphene.

Các tính năng chính

• Tinh thể đơn hBN cấp thiết bị
• Quá trình tăng trưởng áp suất khí quyển độc quyền
• Kích thước tinh thể bên điển hình ≥ 1 mm
• Trường đánh thủng điện môi cao: 1,64 ± 0,06 V/nm
• Độ linh động của graphene ở nhiệt độ phòng trên hBN: ~80.000 cm²/V·s
• hBN Raman E₂g FWHM: 7,88 cm⁻¹
• Phát xạ cạnh dải UV khoảng 215 nm
• Thích hợp cho các cấu trúc dị thể 2D, thiết bị graphene, quang tử nano và quang điện tử tia cực tím sâu

Ứng dụng

Cấu trúc dị thể 2D

HBN cấp thiết bị được sử dụng rộng rãi làm chất nền và lớp đóng gói chất lượng cao cho graphene, dichalcogenide kim loại chuyển tiếp và các vật liệu 2D khác. Bề mặt phẳng nguyên tử và giao diện sạch sẽ giúp cải thiện độ ổn định của thiết bị và giảm hiệu ứng tán xạ.

Thiết bị graphene

Khi được sử dụng với graphene, hBN có thể hỗ trợ hành vi vận chuyển có tính di động cao. Độ linh động ở nhiệt độ phòng của graphene điển hình trên hBN này đạt xấp xỉ80.000 cm2/V·s, làm cho nó phù hợp cho các nghiên cứu vận chuyển lượng tử và điện tử tiên tiến.

Quang tử nano

hBN là một nền tảng vật liệu quan trọng cho nghiên cứu phân cực phonon và các thiết bị quang tử có kích thước nano. Chất lượng tinh thể cao và đặc tính quang học của nó làm cho nó phù hợp với quang tử nano hồng ngoại và các thí nghiệm quang học liên quan.

Quang điện tử tia cực tím sâu

Với phát xạ cạnh dải UV xung quanh215nm, tinh thể đơn hBN có thể được sử dụng trong nghiên cứu quang điện tử tia cực tím sâu, nghiên cứu vật liệu dải rộng và các ứng dụng quang tử tiên tiến.

Thông số kỹ thuật

Ưu điểm sản phẩm

So với các tinh thể hBN thương mại thông thường, hBN cấp thiết bị này được phát triển cho các ứng dụng trong đó chất lượng tinh thể, độ sạch bề mặt và hiệu suất thiết bị là rất quan trọng. Vật liệu này đã được đánh giá thông qua thử nghiệm thiết bị dị cấu trúc graphene của bên thứ ba và cho thấy hiệu suất bằng hoặc cao hơn mức của các tinh thể tham chiếu hàn lâm hàng đầu.

Kích thước tinh thể hiển thị trong biểu dữ liệu biểu thị kích thước bên đại diện ở trên1mm, với một số cạnh tinh thể đo được vượt quá1,4 mm. Hình ảnh kính hiển vi quang học cũng cho thấy các mặt tăng trưởng rõ ràng, các cạnh phân cắt sắc nét, các vùng tinh thể trong suốt và các vùng đơn miền có thể sử dụng rộng rãi.

Mô tả ngắn được đề xuất

Tinh thể đơn hBN cấp thiết bịlà vật liệu boron nitrit lục giác chất lượng cao được thiết kế cho cấu trúc dị thể 2D, thiết bị graphene, quang tử nano và quang điện tử tia cực tím sâu. Được phát triển bằng quy trình áp suất khí quyển độc quyền, nó có kích thước tinh thể bên điển hình ≥1 mm, độ bền đánh thủng điện môi cao, hiệu suất Raman xuất sắc và khả năng xác thực mạnh mẽ ở cấp độ thiết bị.

Câu hỏi thường gặp

Câu 1: Tinh thể đơn hBN này chủ yếu được sử dụng để làm gì?
Nó chủ yếu được sử dụng làm chất nền hoặc lớp đóng gói cho cấu trúc dị thể 2D, thiết bị graphene, quang tử nano và nghiên cứu quang điện tử tia cực tím sâu.

Câu 2: Kích thước tinh thể điển hình là gì?
Thông số kỹ thuật cấp thiết bị tiêu chuẩn là≥ 1mmkích thước bên. Các mẫu đại diện trong biểu dữ liệu hiển thị kích thước đo được trên 1 mm, với một số cạnh đạt trên 1,4 mm.

Câu 3: Vật liệu này có phù hợp với các thiết bị graphene không?
Đúng. Bảng dữ liệu báo cáo độ linh động điển hình của graphene ở nhiệt độ phòng trên hBN xấp xỉ80.000 cm2/V·s, làm cho nó phù hợp cho nghiên cứu thiết bị graphene có tính di động cao.

Q4: Định dạng bao bì là gì?
Sản phẩm thường được cung cấp dưới dạng vật mang chip, có5–10 tinh thể mỗi gói.

Sản phẩm liên quan

Tấm wafer silicon cacbua khối 3C-SiC cho MEMS, Photonics và thiết bị điện

Về chúng tôi

ZMSH chuyên phát triển công nghệ cao, sản xuất và kinh doanh kính quang học đặc biệt và vật liệu pha lê mới. Sản phẩm của chúng tôi phục vụ các thiết bị điện tử quang học, điện tử tiêu dùng. Chúng tôi cung cấp các linh kiện quang học Sapphire, vỏ ống kính điện thoại di động, Gốm sứ, LT, Silicon Carbide SIC, Thạch anh và tấm tinh thể bán dẫn. Với chuyên môn lành nghề và thiết bị tiên tiến, chúng tôi vượt trội trong lĩnh vực xử lý sản phẩm phi tiêu chuẩn, hướng tới trở thành doanh nghiệp công nghệ cao về vật liệu quang điện tử hàng đầu.

Thông tin đóng gói & vận chuyển

Phương pháp đóng gói:

• Tất cả các mặt hàng được đóng gói an toàn để đảm bảo vận chuyển an toàn.
• Bao bì có vật liệu chống tĩnh điện, chống sốc và chống bụi.
• Đối với các bộ phận nhạy cảm như tấm bán dẫn hoặc bộ phận quang học, chúng tôi áp dụng cách đóng gói ở cấp độ phòng sạch:

1. Bảo vệ chống bụi loại 100 hoặc loại 1000, tùy thuộc vào độ nhạy của sản phẩm.
2. Tùy chọn đóng gói tùy chỉnh có sẵn cho các yêu cầu đặc biệt.

Kênh vận chuyển & Thời gian giao hàng ước tính:

• Chúng tôi làm việc với các nhà cung cấp dịch vụ hậu cần quốc tế đáng tin cậy, bao gồm:

UPS, FedEx, DHL

• Thời gian thực hiện tiêu chuẩn là 3–7 ngày làm việc tùy thuộc vào điểm đến.
• Thông tin theo dõi sẽ được cung cấp sau khi đơn hàng được gửi đi.
• Các lựa chọn vận chuyển và bảo hiểm nhanh chóng được cung cấp theo yêu cầu.