Tổng quan sản phẩm

Vòng gốm Silicon Carbide (SiC) là các bộ phận được chế tạo chính xác từ gốm silicon carbide (SiC) có độ tinh khiết cao. Với các đặc tính vượt trội bao gồm khả năng chịu nhiệt độ cao, chống ăn mòn tuyệt vời, độ bền cơ học cao và khả năng chống mài mòn vượt trội, vòng gốm SiC được sử dụng rộng rãi trong thiết bị sản xuất bán dẫn, hệ thống chân không, lò nhiệt độ cao và các ứng dụng công nghiệp chính xác.

Thông qua các quy trình tạo hình, thiêu kết và gia công chính xác tiên tiến, các bộ phận này có thể đạt được dung sai kích thước chặt chẽ, hình dạng phức tạp và bề mặt hoàn thiện tuyệt vời để đáp ứng các yêu cầu công nghiệp khắt khe.

Tính năng chính

1. Hiệu suất nhiệt độ cao tuyệt vời

• Chịu được môi trường nhiệt độ cao lên đến1600°C+tùy thuộc vào cấp vật liệu và điều kiện ứng dụng
• Duy trì độ bền cơ học và độ ổn định kích thước ở nhiệt độ cao
• Lý tưởng cho các ứng dụng xử lý nhiệt, epitaxy, khuếch tán và lò nhiệt độ cao

2. Độ tinh khiết cao và ít nhiễm bẩn

• Được sản xuất từ vật liệu silicon carbide có độ tinh khiết cao
• Tạo ra ít hạt và nhiễm bẩn kim loại tối thiểu
• Thích hợp cho môi trường phòng sạch bán dẫn và các ứng dụng xử lý wafer

3. Khả năng chống ăn mòn vượt trội

• Chống lại axit, kiềm và môi trường plasma tuyệt vời
• Hiệu suất ổn định chống lại các khí xử lý ăn mòn nhưCl₂, HCl và NF₃
• Thích hợp cho thiết bị khắc bán dẫn, CVD và PVD

4. Độ bền cơ học và khả năng chống mài mòn cao

• Độ cứng Mohs khoảng9
• Khả năng chống mài mòn tuyệt vời cho tuổi thọ cao
• Thích hợp cho các cấu trúc hỗ trợ chính xác và các bộ phận cơ khí

5. Khả năng gia công chính xác

Các quy trình gia công có sẵn bao gồm:

• Gia công đường kính ngoài và đường kính trong
• Mài và đánh bóng chính xác
• Kiểm soát dung sai kích thước và hình học chặt chẽ
• Cấu trúc phức tạp tùy chỉnh

Thông số kỹ thuật sản phẩm

Ứng dụng

Thiết bị sản xuất bán dẫn

• Vòng đỡ wafer
• Các bộ phận buồng bán dẫn
• Các bộ phận thiết bị CVD / PECVD
• Các bộ phận lò tăng trưởng epitaxy
• Các bộ phận RTP (Xử lý nhiệt nhanh)
• Hệ thống xử lý và hỗ trợ wafer

Ngành năng lượng mặt trời

• Các bộ phận lò nhiệt độ cao
• Các vật cố định xử lý nhiệt
• Các bộ phận hỗ trợ wafer silicon

Hệ thống chân không và nhiệt độ cao

• Các bộ phận lò chân không
• Giá đỡ hệ thống sưởi
• Cấu trúc cách nhiệt

Ứng dụng công nghiệp chính xác

• Vòng đệm chống mài mòn
• Các bộ phận máy bơm
• Các bộ phận định vị và hỗ trợ

Câu hỏi thường gặp – Vòng gốm Silicon Carbide (Vòng gốm SiC)

Q1: Vòng gốm Silicon Carbide là gì?

A: Vòng gốm Silicon Carbide là một bộ phận gốm chính xác được sản xuất từ silicon carbide (SiC) có độ tinh khiết cao. Nó có khả năng chịu nhiệt độ cao, chống ăn mòn, độ bền cơ học và khả năng chống mài mòn tuyệt vời, làm cho nó phù hợp với thiết bị bán dẫn, hệ thống chân không và các ứng dụng nhiệt độ cao.

Q2: Ưu điểm chính của vòng gốm SiC là gì?

A: Vòng gốm SiC mang lại nhiều lợi ích:

• Độ ổn định nhiệt độ cao tuyệt vời (lên đến 1600°C+ tùy thuộc vào cấp vật liệu)
• Khả năng chống plasma và ăn mòn hóa học vượt trội
• Độ cứng và khả năng chống mài mòn cao
• Độ giãn nở nhiệt thấp và độ ổn định kích thước tuyệt vời
• Tạo ra ít hạt cho các ứng dụng bán dẫn

Q3: Những ngành nào sử dụng Vòng gốm Silicon Carbide?

A: Vòng gốm SiC được sử dụng rộng rãi trong:

• Thiết bị sản xuất bán dẫn
• Hệ thống CVD, PECVD và PVD
• Thiết bị xử lý và xử lý wafer
• Hệ thống tăng trưởng Epitaxy
• Lò chân không
• Thiết bị công nghiệp nhiệt độ cao
• Thiết bị sản xuất năng lượng mặt trời