Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Gallium Nitride wafer

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Đề nghị các video này cho bạn

phát lại

Video tiếp theo

Tấm bán dẫn đơn tinh thể 4H-SiC Epitaxial cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 µm, 6 inch)

Silicon carbide wafer

2025-09-02

nói chuyện ngay

Chia sẻ

#chất nền silicon carbide #wafer sic #silicon trên tấm sapphire

Thông tin tổng quan về sản phẩm của miếng wafer epitaxial 4H-SiC Sự phát triển nhanh chóng của xe điện, lưới điện thông minh, năng lượng tái tạo và hệ thống công nghiệp công suất cao đang thúc đẩy nhu ... Xem thêm

Tin nhắn của khách Để lại tin nhắn.

Tấm bán dẫn đơn tinh thể 4H-SiC Epitaxial cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 µm, 6 inch)

Tấm bán dẫn đơn tinh thể 4H-SiC Epitaxial cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 µm, 6 inch)

nói chuyện ngay

Tìm hiểu thêm

Video liên quan

Bột HPSI SiC bán cách nhiệt độ tinh khiết cao/99,9999% Tăng trưởng tinh thể tinh khiết

Bột HPSI SiC bán cách nhiệt độ tinh khiết cao/99,9999% Tăng trưởng tinh thể tinh khiết

Silicon carbide wafer

Đế Silicon Carbide (SiC) 10×10 mm / Chip vuông nhỏ – SiC hiệu suất cao

Đế Silicon Carbide (SiC) 10×10 mm / Chip vuông nhỏ – SiC hiệu suất cao

Silicon carbide wafer

4H-N/Semi Type SiC Phôi và chất nền giả công nghiệp 2inch 3inch 4inch 6inch

4H-N/Semi Type SiC Phôi và chất nền giả công nghiệp 2inch 3inch 4inch 6inch

Silicon carbide wafer

10 x 10 x 0,5mm Silicon Carbide Wafer 4H - N SiC Crystal Chip

10 x 10 x 0,5mm Silicon Carbide Wafer 4H - N SiC Crystal Chip

Silicon carbide wafer

Đánh bóng hình trụ rỗng Silicon Carbide Wafer Nguyên tố quang học SiC

Đánh bóng hình trụ rỗng Silicon Carbide Wafer Nguyên tố quang học SiC

Silicon carbide wafer

2 inch 4 inch Dummy Prime SiC Chất nền chống sốc nhiệt Gốm Silicon cacbua wafer đơn

2 inch 4 inch Dummy Prime SiC Chất nền chống sốc nhiệt Gốm Silicon cacbua wafer đơn

Silicon carbide wafer

Đơn tinh thể SiC Silicon carbide wafer Chất nền giả Lớp Dia153mm 156mm 159mm

Đơn tinh thể SiC Silicon carbide wafer Chất nền giả Lớp Dia153mm 156mm 159mm

Silicon carbide wafer

Các tấm SiC bán cách nhiệt 3 inch 76.2mm 4H loại SiC cho chất bán dẫn

Các tấm SiC bán cách nhiệt 3 inch 76.2mm 4H loại SiC cho chất bán dẫn

Silicon carbide wafer

Hộp Wafer có thể điều chỉnh Giao diện Wafer PC trong suốt để bảo vệ bán dẫn

Hộp Wafer có thể điều chỉnh Giao diện Wafer PC trong suốt để bảo vệ bán dẫn

Hộp đựng wafer

Máy in laser chính xác cao

Máy in laser chính xác cao

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Thiết bị xử lý laser đa sắc 355nm/532nm/1064nm cho hiệu ứng bề mặt chuyển sắc và cầu vồng

Thiết bị xử lý laser đa sắc 355nm/532nm/1064nm cho hiệu ứng bề mặt chuyển sắc và cầu vồng

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Máy mài chính xác hai mặt Kim loại Gốm Sứ Nhựa Kính

Máy mài chính xác hai mặt Kim loại Gốm Sứ Nhựa Kính

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Hệ thống cưa kim cương đa dây cho SiC, Sapphire, Vật liệu giòn siêu cứng

Hệ thống cưa kim cương đa dây cho SiC, Sapphire, Vật liệu giòn siêu cứng

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Nguyên liệu Thô Sapphire Vàng Tạo trong Phòng Thí Nghiệm để Sản xuất Trang sức

Nguyên liệu Thô Sapphire Vàng Tạo trong Phòng Thí Nghiệm để Sản xuất Trang sức

Đá quý tổng hợp

Hộp Wafer có thể điều chỉnh Giao diện Wafer PC trong suốt để bảo vệ bán dẫn

Hộp Wafer có thể điều chỉnh Giao diện Wafer PC trong suốt để bảo vệ bán dẫn

Hộp đựng wafer