Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

Gallium Nitride wafer

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Đề nghị các video này cho bạn

phát lại

Video tiếp theo

Bột HPSI SiC bán cách nhiệt độ tinh khiết cao/99,9999% Tăng trưởng tinh thể tinh khiết

Silicon carbide wafer

2025-04-29

144 quan điểm

nói chuyện ngay

Chia sẻ

#chất nền silicon carbide #wafer sic #silicon trên tấm sapphire

Bảng giới thiệu sản phẩm Bột SiC HPSI (High Purity Semi-Isolating Silicon Carbide) là một vật liệu hiệu suất cao được sử dụng rộng rãi trong điện tử công suất, thiết bị quang điện tử và nhiệt độ cao,... Xem thêm

Tin nhắn của khách Để lại tin nhắn.

Bột HPSI SiC bán cách nhiệt độ tinh khiết cao/99,9999% Tăng trưởng tinh thể tinh khiết

Bột HPSI SiC bán cách nhiệt độ tinh khiết cao/99,9999% Tăng trưởng tinh thể tinh khiết

nói chuyện ngay

Tìm hiểu thêm

Video liên quan

Đế bán dẫn vuông Silicon Carbide (SiC) 6H dùng cho Ứng dụng Công suất và Tần số cao

Đế bán dẫn vuông Silicon Carbide (SiC) 6H dùng cho Ứng dụng Công suất và Tần số cao

Silicon carbide wafer

Định hướng chất nền silic cacbua bán cách điện SiC 0001 Cung / Warp 50um

Định hướng chất nền silic cacbua bán cách điện SiC 0001 Cung / Warp 50um

Silicon carbide wafer

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch Công nghiệp sử dụng Silicon Carbide Wafer với bề mặt thô ≤0.2nm

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch Công nghiệp sử dụng Silicon Carbide Wafer với bề mặt thô ≤0.2nm

Silicon carbide wafer

Tấm bán dẫn đơn tinh thể 4H-SiC Epitaxial cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 µm, 6 inch)

Tấm bán dẫn đơn tinh thể 4H-SiC Epitaxial cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 µm, 6 inch)

Silicon carbide wafer

Đánh bóng hình trụ rỗng Silicon Carbide Wafer Nguyên tố quang học SiC

Đánh bóng hình trụ rỗng Silicon Carbide Wafer Nguyên tố quang học SiC

Silicon carbide wafer

Square SiC Windows Silicon Carbide Chất nền Ống kính SiC 1x1x0,5mmt

Square SiC Windows Silicon Carbide Chất nền Ống kính SiC 1x1x0,5mmt

Silicon carbide wafer

Đơn tinh thể SiC Silicon carbide wafer Chất nền giả Lớp Dia153mm 156mm 159mm

Đơn tinh thể SiC Silicon carbide wafer Chất nền giả Lớp Dia153mm 156mm 159mm

Silicon carbide wafer

Các tấm SiC bán cách nhiệt 3 inch 76.2mm 4H loại SiC cho chất bán dẫn

Các tấm SiC bán cách nhiệt 3 inch 76.2mm 4H loại SiC cho chất bán dẫn

Silicon carbide wafer

Đế Silicon Carbide (SiC) 10×10 mm / Chip vuông nhỏ – SiC hiệu suất cao

Đế Silicon Carbide (SiC) 10×10 mm / Chip vuông nhỏ – SiC hiệu suất cao

Silicon carbide wafer

Các thành phần cửa sổ Sapphire quang sản xuất tùy chỉnh

Các thành phần cửa sổ Sapphire quang sản xuất tùy chỉnh

Cửa sổ quang Sapphire

Đá Sapphire Ngọc Lam (Morgan Hồng) Đá quý trang sức Bộ phận đồng hồ

Đá Sapphire Ngọc Lam (Morgan Hồng) Đá quý trang sức Bộ phận đồng hồ

Chất nền Sapphire

Thạch tinh đồng hồ Sapphire cứng cao với Optical Polishing & AR Coating Options

Thạch tinh đồng hồ Sapphire cứng cao với Optical Polishing & AR Coating Options

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Kính Silicon (Si) hiệu suất cao với lớp phủ chống phản xạ IR cho các ứng dụng MWIR

Kính Silicon (Si) hiệu suất cao với lớp phủ chống phản xạ IR cho các ứng dụng MWIR

Cửa sổ quang Sapphire

Đĩa xuyên lỗ Sapphire tùy chỉnh (Khám Sapphire đa lỗ hình dạng)

Đĩa xuyên lỗ Sapphire tùy chỉnh (Khám Sapphire đa lỗ hình dạng)

Cửa sổ quang Sapphire

Hệ thống cắt kim cương bằng laser xanh cho vật liệu siêu cứng CVD, PCD, MCD, CBN

Hệ thống cắt kim cương bằng laser xanh cho vật liệu siêu cứng CVD, PCD, MCD, CBN

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học