Silicon carbide (SiC), còn được gọi là carborundum, là một chất bán dẫn có chứa silicon và carbon với công thức hóa học SiC. SiC được sử dụng trong các thiết bị điện tử bán dẫn hoạt động ở nhiệt độ cao hoặc điện áp cao hoặc cả hai.SiC cũng là một trong những thành phần LED quan trọng, nó là chất nền phổ biến để phát triển các thiết bị GaN, và nó cũng đóng vai trò là thiết bị phân tán nhiệt ở mức cao đèn LED điện
1. Đặc điểm kỹ thuật
Đường kính 6 inch, Thông số kỹ thuật chất nền silicon carbide (SiC) | ||||||||
Cấp | Lớp không MPD | Lớp sản xuất | Lớp nghiên cứu | Lớp giả | ||||
Đường kính | 150,0 mm ± 0,2mm | |||||||
Độ dàyΔ | 350 m ± 25μm hoặc 500 ± 25un | |||||||
Định hướng wafer | Trục tắt: 4.0 ° về phía <1120> ± 0,5 ° đối với 4H-N Trên trục: <0001> ± 0,5 ° đối với 6H-SI / 4H-SI | |||||||
Căn hộ chính | {10-10} ± 5.0 ° | |||||||
Chiều dài căn hộ chính | 47,5 mm ± 2,5 mm | |||||||
Loại trừ cạnh | 3 mm | |||||||
TTV / Cung / Warp | ≤15μm / 40μm / 60μm | |||||||
Mật độ Micropipe | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤100 cm-2 | ||||
Điện trở suất | 4H-N | 0,015 ~ 0,028 · cm | ||||||
4 / 6H-SI | ≥1E5 · cm | |||||||
Độ nhám | Ba Lan Ra≤1nm | |||||||
CMP Ra≤0,5nm | ||||||||
Vết nứt do ánh sáng cường độ cao | không ai | 1 cho phép, mm2 mm | Chiều dài tích lũy ≤ 10 mm, chiều dài đơn ≤2mm | |||||
Tấm lục giác bằng ánh sáng cường độ cao | Diện tích tích lũy ≤1% | Diện tích tích lũy ≤2% | Diện tích tích lũy ≤5% | |||||
Khu vực polytype bằng ánh sáng cường độ cao | không ai | Diện tích tích lũy≤2% | Diện tích tích lũy≤5% | |||||
Vết xước do ánh sáng cường độ cao | Chiều dài tích lũy 3 vết xước đến 1 × | Chiều dài tích lũy 5 vết xước đến 1 × | Chiều dài tích lũy 5 vết xước đến 1 × | |||||
Chip cạnh | không ai | 3 cho phép, mỗi .5 0,5 mm | 5 cho phép, mỗi mm1 mm | |||||
Ô nhiễm bởi ánh sáng cường độ cao | không ai |
Loại 4H-N / wafer SiC có độ tinh khiết cao Tấm wafer SiC loại 2 inch 4H Tấm wafer SiC loại 3 inch 4H 4 inch wafer SiC loại 4H Bánh wafer SiC loại 6 inch 4H | 4H wafer SiC bán cách điện / độ tinh khiết cao Tấm wafer SiC cách nhiệt 2 inch 4H Tấm wafer SiC cách nhiệt 3 inch 4H 4 inch wafer SiC cách nhiệt 4 inch 6 inch wafer SiC cách nhiệt 6 inch |
Bánh quế SiC loại 6H Bánh wafer SiC loại 2 inch 6H |
*
Bộ phận mua nguyên liệu có trách nhiệm thu thập tất cả các nguyên liệu thô cần thiết để sản xuất sản phẩm của bạn. Truy xuất nguồn gốc hoàn toàn của tất cả các sản phẩm và vật liệu, bao gồm phân tích hóa học và vật lý luôn có sẵn.
Trong và sau khi sản xuất hoặc gia công các sản phẩm của bạn, bộ phận kiểm soát chất lượng có liên quan đến việc đảm bảo rằng tất cả các vật liệu và dung sai đáp ứng hoặc vượt quá đặc điểm kỹ thuật của bạn.
Dịch vụ
Chúng tôi tự hào có đội ngũ kỹ sư bán hàng với hơn 5 năm kinh nghiệm trong ngành công nghiệp bán dẫn. Họ được đào tạo để trả lời các câu hỏi kỹ thuật cũng như cung cấp báo giá kịp thời cho nhu cầu của bạn.
chúng tôi luôn ở bên cạnh bạn bất cứ lúc nào khi bạn gặp vấn đề và giải quyết nó sau 10 giờ.