|
| Tên thương hiệu: | ZMSH |
| MOQ: | 1 |
| giá bán: | by case |
| Chi tiết bao bì: | thùng tùy chỉnh |
| Điều khoản thanh toán: | T/t |
CácKính Silicon Carbide (SiC)là một thành phần quang học hiệu suất cao được thiết kế cho các ứng dụng đòi hỏi độ cứng đặc biệt, ổn định nhiệt và độ chính xác quang học.Những tấm gương này kết hợpcấu trúc cực nhẹvớiSức mạnh cơ học vượt trộivàdẫn nhiệt tuyệt vời, làm cho chúng lý tưởng cho quang học hàng không vũ trụ, kính thiên văn học, hệ thống laser và thiết bị bán dẫn.
So với gương thủy tinh hoặc kim loại truyền thống,Kính SiCthể hiện sự ổn định kích thước xuất sắc trong phạm vi nhiệt độ rộng và cho phép hiệu suất quang học chính xác ngay cả trong điều kiện môi trường khắc nghiệt như chân không, lạnh,hoặc hoạt động ở nhiệt độ cao.
Kính cacbon silicon được sản xuất bằng cách sử dụngCVD (Chemical Vapor Deposition)hoặcChất liệu nén nén (RB-SiC)kỹ thuật.
Sự hình thành vật liệu cơ bản:Bột SiC mịn được tạo thành một chất nền nhẹ thông qua đúc chính xác hoặc chế tạo phụ gia.
Sintering và làm dày đặc:Các chất nền được ngâm dưới nhiệt độ cao để đạt được mật độ gần như lý thuyết và độ cứng vượt trội.
Lớp phủ SiC CVD:Một lớp SiC CVD mỏng được lắng đọng để tăng độ mịn bề mặt và độ phản xạ trong khi duy trì độ cứng và khả năng ăn mòn cao.
Sơn chính xác:Bề mặt gương được đánh bóng để đạt được độ thô cấp nano (Ra < 1 nm), đảm bảo độ chính xác quang học đặc biệt.
Kiến trúc lai này (RB-SiC + CVD SiC) kết hợp các lợi thế củakhối lượng thấp,độ cứng cao, vàkết thúc bề mặt cấp độ quang học.
Thiết kế cực nhẹ:Tỷ lệ độ cứng/trọng lượng cao cho phép gương mỏng hơn và lớn hơn với khối lượng giảm.
Khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời:Sự phân tán nhiệt nhanh chóng ngăn ngừa sự biến dạng gây ra bởi gradient nhiệt độ.
Độ cứng đặc trưng cao:Duy trì độ chính xác hình ảnh quang học trong môi trường động hoặc rung động.
Chất lượng bề mặt cao hơn:Đạt được độ thô gương dưới 1 nm RMS, phù hợp với bước sóng UV, nhìn thấy và IR.
Chống hóa học và bức xạ:Thường ổn định trong chân không, bức xạ, và khí quyển hóa học khắc nghiệt.
Có thể tùy chỉnh:Có sẵn trong hình học phẳng, hình cầu, hình parabol và hình không.
Không gian và Kính thiên văn:Kính nhẹ cho các hệ thống quan sát vệ tinh và không gian sâu.
Máy quang laser công suất cao:Kính phản xạ trong hệ thống laser sợi CO2, YAG và laser.
Hệ thống hình ảnh hồng ngoại:Hình ảnh nhiệt và quang phản xạ sóng dài IR.
Xử lý bán dẫn:Các thành phần quang học trong hệ thống lithography, kiểm tra và sắp xếp wafer.
Hệ thống phòng thủ và hàng không vũ trụ:Kính chính xác để nhắm mục tiêu, quét và điều khiển chùm tia.
| Parameter | Giá trị |
|---|---|
| Vật liệu | SiC liên kết phản ứng hoặc CVD |
| Mật độ | 3.15 g/cm3 |
| Young's Modulus | 410 GPa |
| Khả năng dẫn nhiệt | 120~200 W/m·K |
| Tỷ lệ mở rộng nhiệt (CTE) | 2.2×10−6 /K |
| Độ thô bề mặt (Ra) | < 1 nm |
| Lớp phủ phản xạ | Nhôm, Vàng hoặc Bạc được bảo vệ |
| Kích thước có sẵn | Ø10 mm đến Ø1000 mm (có thể tùy chỉnh) |
Q1: Những lợi thế chính của gương SiC so với gương thủy tinh là gì?
A1: Kính SiC nhẹ hơn nhiều, cứng hơn và ổn định nhiệt hơn, cho phép hình ảnh chính xác cao và biến dạng tối thiểu trong môi trường nhiệt khác nhau.
Q2: Các gương SiC có thể được sử dụng trong các hệ thống lạnh hoặc chân không không?
Đáp: Có. SiC hoạt động tuyệt vời trong điều kiện nhiệt độ cực và chân không, làm cho nó lý tưởng cho không gian và hệ thống quang ngoại đỏ.
Q3: Những lớp phủ bề mặt nào có sẵn?
A3: Các lớp phủ phổ biến bao gồm nhôm, bạc và vàng được bảo vệ để tối ưu hóa độ phản xạ cho các phạm vi bước sóng cụ thể.
Q4: Có hỗ trợ hình học tùy chỉnh?
A4: Có. Kính có thể được sản xuất dưới dạng bề mặt phẳng, hình cầu, hình parabol hoặc hình tự do tùy thuộc vào các yêu cầu thiết kế quang học.
