Tên thương hiệu:	ZMKJ
Số mẫu:	UTI-AlN-150
MOQ:	3 CHIẾC
giá bán:	by case
Chi tiết bao bì:	hộp đựng wafer đơn trong phòng làm sạch
Điều khoản thanh toán:	T / T, Western Union, PayPal

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

Trung Quốc

cơ chất:

tấm silicon

lớp:

Mẫu AlN

độ dày lớp:

200-1000nm

loại dẫn điện:

N / P

Sự định hướng:

0001

ứng dụng:

thiết bị điện tử công suất cao / tần số cao

ứng dụng 2:

Thiết bị cưa 5G / BAW

độ dày silicon:

525um / 625um / 725um

Khả năng cung cấp:

50 CÁI / Tháng

Làm nổi bật:

Màng AlN trên nền silicon

mẫu AlN 500nm

mẫu AlN 6 "

Mô tả sản phẩm

đường kính 150mm 8 inch 4 inch 6 inch Mẫu AlN dựa trên silicon Màng AlN 500nm trên nền silicon

Các ứng dụng của mẫu AlN

Công nghệ bán dẫn dựa trên silicon đã đạt đến giới hạn của nó và không thể đáp ứng các yêu cầu của tương lai

các thiết bị điện tử.Là một loại vật liệu bán dẫn thế hệ thứ 3 / thứ 4 điển hình, nhôm nitrua (AlN) có

Các đặc tính vật lý và hóa học vượt trội như dải tần rộng, độ dẫn nhiệt cao, độ phân hủy cao,

tính di động điện tử cao và khả năng chống ăn mòn / bức xạ, và là chất nền hoàn hảo cho các thiết bị quang điện tử,

thiết bị tần số vô tuyến (RF), thiết bị điện tử công suất cao / tần số cao, v.v. Đặc biệt, chất nền AlN là

ứng cử viên tốt nhất cho UV-LED, máy dò UV, laser UV, thiết bị RF công suất cao / tần số cao 5G và 5G SAW / BAW

các thiết bị có thể được sử dụng rộng rãi trong bảo vệ môi trường, điện tử, truyền thông không dây, in ấn,

sinh học, chăm sóc sức khỏe, quân sự và các lĩnh vực khác, chẳng hạn như thanh lọc / khử trùng bằng tia cực tím, đóng rắn bằng tia cực tím, xúc tác quang, coun?

phát hiện mối mọt, lưu trữ mật độ cao, đèn chiếu y tế, khám phá thuốc, giao tiếp không dây và an toàn,

phát hiện không gian vũ trụ / không gian sâu và các lĩnh vực khác.

chúng tôi đã phát triển một loạt các quy trình và công nghệ độc quyền để chế tạo

mẫu AlN chất lượng cao.Hiện tại, OEM của chúng tôi là công ty duy nhất trên toàn thế giới có thể sản xuất AlN 2-6 inch

mẫu trong khả năng sản xuất công nghiệp quy mô lớn với công suất 300.000 chiếc vào năm 2020 đáp ứng được chất nổ

nhu cầu thị trường từ UVC-LED, giao tiếp không dây 5G, máy dò và cảm biến UV, v.v.

The factroy là một công ty công nghệ cao sáng tạo được thành lập vào năm 2016 bởi các chuyên gia nổi tiếng của Trung Quốc ở nước ngoài từ ngành công nghiệp bán dẫn.

họ tập trung vào hoạt động kinh doanh cốt lõi của mình vào việc phát triển và thương mại hóa chất nền AlN bán dẫn băng tần siêu rộng thứ 3/4,

Mẫu AlN, lò phản ứng tăng trưởng PVT hoàn toàn tự động và các sản phẩm và dịch vụ liên quan cho các ngành công nghệ cao khác nhau.

nó đã được công nhận là một nhà lãnh đạo toàn cầu trong lĩnh vực này.Sản phẩm cốt lõi của chúng tôi là các nguyên liệu chiến lược quan trọng được liệt kê ở mục “Sản xuất tại Trung Quốc”.

họ đã phát triển một loạt các công nghệ độc quyền và các lò phản ứng tăng trưởng PVT hiện đại nhất và các cơ sở để

chế tạo các kích thước khác nhau của tấm AlN tinh thể đơn chất lượng cao, temlpates AlN.Chúng tôi là một trong số ít công ty hàng đầu thế giới

các công ty công nghệ cao sở hữu đầy đủ AlN chế tạo capa?

cơ sở vật chất để sản xuất các tấm lót và tấm lót AlN chất lượng cao, đồng thời cung cấp các dịch vụ chuyên biệt và các giải pháp chìa khóa trao tay cho khách hàng của chúng tôi,

được bố trí từ thiết kế lò phản ứng tăng trưởng và khu vực nóng, mô hình hóa và mô phỏng, thiết kế và tối ưu hóa quy trình, tăng trưởng tinh thể,

wafering và đặc điểm vật liệu.Tính đến tháng 4 năm 2019, họ đã áp dụng hơn 27 bằng sáng chế (bao gồm cả PCT).

Sự chỉ rõ

Đặc điểm kỹ thuật

Người mẫuUTI-AlN-150S
Loại dẫn điệnMặt phẳng C của wafer đơn tinh thể Si
Điện trở suất (Ω)>5000
Cấu trúc AlN Wurtzite
Đường kính (inch) 6 inch
Độ dày lớp nền (µm) 625 ± 15
Độ dày màng AlN (µm) 500nm
Sự định hướngTrục C [0001] +/- 0,2 °
Khu vực có thể sử dụng≥95%
Vết nứtKhông có
FWHM-2θXRD @ (0002)≤0,22 °
FWHM-HRXRD @ (0002)≤1,5 °
Độ nhám bề mặt [5 × 5µm] (nm)RMS≤6.0
TTV (µm)≤7
Cung (µm)≤40
Sợi dọc (µm)-30 ~ 30
Lưu ý: Các kết quả mô tả đặc tính này có thể thay đổi một chút tùy thuộc vào thiết bị và / hoặc phần mềm được sử dụng

6 "Mẫu AlN dựa trên Silicon Màng AlN 500nm trên nền silicon 1

6 "Mẫu AlN dựa trên Silicon Màng AlN 500nm trên nền silicon 2

Cấu trúc tinh thể	Wurtzite
Hằng số mạng (Å)	a = 3,112, c = 4,982
Loại dây dẫn	Bandgap trực tiếp
Mật độ (g / cm3)	3,23
Độ cứng bề mặt (Knoop test)	800
Điểm nóng chảy (℃)	2750 (10-100 bar trong N2)
Độ dẫn nhiệt (W / m · K)	320
Năng lượng khoảng cách vùng cấm (eV)	6.28
Độ linh động của electron (V · s / cm2)	1100
Trường đánh thủng điện (MV / cm)	11,7

6 "Mẫu AlN dựa trên Silicon Màng AlN 500nm trên nền silicon 4

Các thẻ: