3inch InP Indium Phosphide Substrate N-type bán dẫn VGF phương pháp tăng trưởng

Tóm tắt sản phẩm

Các sản phẩm InP (Indium Phosphide) của chúng tôi cung cấp các giải pháp hiệu suất cao cho nhiều ứng dụng khác nhau trong ngành công nghiệp viễn thông, quang điện tử và bán dẫn.Với tính chất quang học và điện tử vượt trội, các vật liệu InP của chúng tôi cho phép phát triển các thiết bị quang học tiên tiến, bao gồm laser, máy dò ánh sáng và bộ khuếch đại quang học.hoặc các thành phần được thiết kế tùy chỉnh, các sản phẩm InP của chúng tôi cung cấp độ tin cậy, hiệu quả và chính xác cho các dự án quang học đòi hỏi của bạn.

Màn trình bày sản phẩm

Tính chất của sản phẩm

1. Độ minh bạch quang học cao: InP thể hiện độ minh bạch quang học tuyệt vời trong vùng hồng ngoại, làm cho nó phù hợp với các ứng dụng quang điện tử khác nhau.

2. Direct Bandgap: Bản chất băng tần trực tiếp của InP cho phép phát ra và hấp thụ ánh sáng hiệu quả, làm cho nó lý tưởng cho laser bán dẫn và máy dò quang.

3. Điện tử di động cao: InP cung cấp tính di động điện tử cao, cho phép vận chuyển chất chứa điện tích nhanh và tạo điều kiện cho các thiết bị điện tử tốc độ cao.

4. Tính dẫn nhiệt thấp: Tính dẫn nhiệt thấp của InP giúp phân tán nhiệt hiệu quả, làm cho nó phù hợp với các thiết bị quang điện tử công suất cao.

5. Sự ổn định hóa học: InP cho thấy sự ổn định hóa học tốt, đảm bảo độ tin cậy lâu dài của các thiết bị ngay cả trong môi trường hoạt động khắc nghiệt.

6. Khả năng tương thích với các chất bán dẫn hợp chất III-V: InP có thể được tích hợp liền mạch với các chất bán dẫn hợp chất III-V khác,cho phép phát triển các cấu trúc đa dạng phức tạp và các thiết bị đa chức năng.

7. Rõnh bandgap: Rõnh bandgap của InP có thể được thiết kế bằng cách điều chỉnh thành phần phốt pho, cho phép thiết kế các thiết bị có tính chất quang học và điện tử cụ thể.

8. Điện áp hỏng cao: InP có điện áp hỏng cao, đảm bảo độ bền và độ tin cậy của các thiết bị trong các ứng dụng điện áp cao.

9. Mật độ khiếm khuyết thấp: Các chất nền InP và lớp biểu trục thường có mật độ khiếm khuyết thấp, góp phần vào hiệu suất và năng suất thiết bị cao.

10. Tương thích với môi trường: InP thân thiện với môi trường và gây ra rủi ro tối thiểu cho sức khỏe và môi trường trong quá trình sản xuất và vận hành.

11. Parameter	2 ∆ InP Wafer S-doped	2 Fe-doped InP Wafer
    Vật liệu	VGF InP Single Crystal Wafer	VGF InP Single Crystal Wafer
    Thể loại	Epi-Ready	Epi-Ready
    Chất kích thích	S	Fe
    Loại dẫn	S-C-N	S-I
    Chiều kính wafer (mm)	50.8±0.4	50.8±0.4
    Định hướng	(100) o±0,5o	(100) o±0,5o
    OF vị trí / Chiều dài	EJ [0-1-1] / 17±1	EJ [0-1-1] /17±1
    IF Vị trí / Chiều dài	EJ [0-1 1] / 7±1	EJ [0-1 1] / 7±1
    Khối lượng chất mang (cm-3)	(1~6) E 18	1.0E7 - 5.0E8
    Kháng (Wcm)	8~15 E-4	≥1.0E7
    Di động (cm2/Vs)	1300 ~ 1800	≥ 2000
    EPD trung bình (cm-2)	≤ 500	≤ 3000
    Độ dày (μm)	475 ± 15	475 ± 15
    TTV/TIR (μm)	≤15	≤15
    Vàng (μm)	≤15	≤15
    Bao bì (μm)	≤15	≤15
    Số lượng hạt	N/A	N/A
    Bề mặt	Mặt trước: đánh bóng, Mặt đen: Chụp	Mặt trước: đánh bóng, Mặt đen: Chụp
    Bao bì Wafer	Wafer được gắn bởi một con nhện trong một khay riêng lẻ và niêm phong với N2 trong một túi chắn tĩnh.	Wafer được gắn bởi một con nhện trong một khay riêng lẻ và được niêm phong bằng N2 trong một túi chắn tĩnh.

12. Ứng dụng sản phẩm

13. Truyền thông: Các thiết bị dựa trên InP được sử dụng rộng rãi trong các mạng viễn thông để truyền dữ liệu tốc độ cao,bao gồm hệ thống truyền thông sợi quang và truyền thông không dây tần số cao.

14. Photonics: Các vật liệu InP rất cần thiết cho sự phát triển của các thiết bị quang tử khác nhau, chẳng hạn như laser bán dẫn, máy dò ánh sáng, bộ điều chế và bộ khuếch đại quang học, được sử dụng trong viễn thông,cảm biến, và các ứng dụng hình ảnh.

15. Optoelectronics: Các thiết bị optoelectronic dựa trên InP, chẳng hạn như đèn diode phát sáng (LED), đèn diode laser và pin mặt trời, tìm thấy các ứng dụng trong màn hình, ánh sáng, thiết bị y tế,và các hệ thống năng lượng tái tạo.

16. Điện tử bán dẫn: Các chất nền InP và lớp epitaxial phục vụ như nền tảng để chế tạo các transistor hiệu suất cao, mạch tích hợp và thiết bị vi sóng cho hệ thống radar,truyền thông vệ tinh, và các ứng dụng quân sự.

17. Kích thước và hình ảnh: Các máy dò quang dựa trên InP và các cảm biến hình ảnh được sử dụng trong nhiều ứng dụng cảm biến khác nhau, bao gồm quang phổ, lidar, giám sát và hình ảnh y tế,do độ nhạy cao và thời gian phản ứng nhanh.

18. Công nghệ lượng tử: Các điểm lượng tử InP và giếng lượng tử được khám phá cho các ứng dụng tiềm năng của chúng trong máy tính lượng tử, truyền thông lượng tử và mật mã lượng tử,cung cấp lợi thế về tính nhất quán và khả năng mở rộng.

19. Quốc phòng và hàng không vũ trụ: Các thiết bị InP được triển khai trong các hệ thống quốc phòng và hàng không vũ trụ vì độ tin cậy, hoạt động tốc độ cao và độ cứng bức xạ, hỗ trợ các ứng dụng như hệ thống radar,Hướng dẫn tên lửa, và truyền thông vệ tinh.

20. Kỹ thuật y sinh: Các cảm biến quang học và hệ thống hình ảnh dựa trên InP được sử dụng trong nghiên cứu y sinh và chẩn đoán lâm sàng để theo dõi không xâm lấn, hình ảnh,và phân tích quang phổ các mẫu sinh học.

21. Giám sát môi trường: Các cảm biến dựa trên InP được sử dụng cho các ứng dụng giám sát môi trường, bao gồm phát hiện ô nhiễm, cảm biến khí và cảm biến từ xa các thông số khí quyển,đóng góp cho các nỗ lực bền vững môi trường.

22. Công nghệ mới nổi: InP tiếp tục tìm thấy các ứng dụng trong các công nghệ mới nổi như xử lý thông tin lượng tử, tích hợp điện tử silicon và điện tử terahertz,thúc đẩy những tiến bộ trong máy tính, giao tiếp, và cảm nhận.

23.