• SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm P loại Dopant B Thiết bị 220 Kháng: 8.5-11.5 ohm-cm
  • SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm P loại Dopant B Thiết bị 220 Kháng: 8.5-11.5 ohm-cm
  • SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm P loại Dopant B Thiết bị 220 Kháng: 8.5-11.5 ohm-cm
  • SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm P loại Dopant B Thiết bị 220 Kháng: 8.5-11.5 ohm-cm
  • SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm P loại Dopant B Thiết bị 220 Kháng: 8.5-11.5 ohm-cm
SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm P loại Dopant B Thiết bị 220 Kháng: 8.5-11.5 ohm-cm

SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm P loại Dopant B Thiết bị 220 Kháng: 8.5-11.5 ohm-cm

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc: Trung Quốc
Hàng hiệu: ZMSH
Số mô hình: SOI wafer

Thanh toán:

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 5
Thời gian giao hàng: 2-4 tuần
Điều khoản thanh toán: T/T
Giá tốt nhất Tiếp xúc

Thông tin chi tiết
Chiều kính: 100±0,2mm Loại/Dopant: P/B
Định hướng: 1-0-0)±0,5° độ dày:: 220±10nm
điện trở suất: 8,5-11,5 ohm-cm Kết thúc.: Mặt trước được đánh bóng
SOI CHẤM OXIDE NHIỆT:: Độ dày: 3μm±5% LỚP XỬ LÝ SOI:: Liên hệ với chúng tôi
Làm nổi bật:

Mảng SOI 100mm

,

150mm SOI Wafer

,

P-type SOI Wafer

Mô tả sản phẩm

SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm P loại Dopant B Thiết bị: 220 Kháng: 8.5-11.5 ohm-cm

 

Trang chi tiết sản phẩm cho SOI Wafer (Silicon-on-Isolator)

Tổng quan sản phẩm

giới thiệu các tấm phiến Silicon-On-Insulator (SOI) hiệu suất cao, có sẵn trong đường kính 100mm và 150mm.cung cấp cách điện cao cấpLý tưởng cho máy tính hiệu suất cao, truyền thông RF, thiết bị MEMS và điện tử công suất,SOI wafers của chúng tôi đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy hàng đầu.

SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm P loại Dopant B Thiết bị 220 Kháng: 8.5-11.5 ohm-cm 0

Thông số kỹ thuật

Kích thước wafer:

  • Tùy chọn đường kính: 100mm (4 inch) và 150mm (6 inch)

Lớp thiết bị:

  • Vật liệu: Silicon
  • Độ dày: 220 nanomet
  • Loại chất kích thích: Loại P
  • Nguyên tố kích thích: Boron (B)
  • Kháng chất: 8,5 đến 11,5 ohm-cm

Lớp oxit chôn (BOX):

  • Vật liệu: Silicon Dioxide (SiO2)
  • Độ dày: Có thể tùy chỉnh dựa trên nhu cầu ứng dụng (thường dao động từ 200nm đến 2μm)

Chọn Wafer:

  • Vật liệu: Silicon
  • Loại: Loại P (Boron-doped)
  • Độ dày: Độ dày tiêu chuẩn 500-700μm, cung cấp hỗ trợ cơ học mạnh mẽ

 

SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm P loại Dopant B Thiết bị 220 Kháng: 8.5-11.5 ohm-cm 1

Các đặc điểm chính

  1. Phân cách điện cao cấp:

    • Lớp BOX đảm bảo cách điện tuyệt vời giữa lớp thiết bị và wafer tay cầm, làm giảm đáng kể dung lượng ký sinh trùng và crosstalk.

  2. Lớp thiết bị chất lượng cao:

    • Lớp thiết bị silic loại P dày 220nm, được bổ sung Boron, cung cấp các tính chất điện tối ưu cho nhiều ứng dụng bán dẫn khác nhau, đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy cao.

  3. Chống tối ưu:

    • Kháng độ lớp thiết bị 8,5-11,5 ohm-cm là lý tưởng cho các ứng dụng tốc độ cao và năng lượng thấp, cân bằng tính dẫn điện và đặc điểm rò rỉ.

  4. Quản lý nhiệt nâng cao:

    • Cấu trúc SOI cho phép phân tán nhiệt tốt hơn, rất quan trọng để duy trì hiệu suất thiết bị và tuổi thọ trong điều kiện công suất cao hoặc tần số cao.

  5. Sự ổn định cơ học:

    • Wafer tay cầm dày cung cấp hỗ trợ cơ học mạnh mẽ, đảm bảo sự ổn định của wafer trong quá trình sản xuất và trong môi trường hoạt động.

  6. Tùy chọn tùy chỉnh:

    • Chúng tôi cung cấp tùy chỉnh độ dày lớp BOX và các thông số khác để đáp ứng các yêu cầu ứng dụng cụ thể, cung cấp tính linh hoạt cho các nhu cầu bán dẫn đa dạng.

Ứng dụng

  1. Máy tính hiệu suất cao:

    • Lý tưởng cho CPU, GPU và các mạch logic kỹ thuật số tốc độ cao khác, cung cấp tốc độ cải thiện và giảm tiêu thụ điện năng.

  2. Truyền thông 5G và RF:

    • Hoàn hảo cho các thành phần RF và xử lý tín hiệu tần số cao, được hưởng lợi từ cách ly và tính chất nhiệt tuyệt vời.

  3. Thiết bị MEMS:

    • Thích hợp để sản xuất các thiết bị MEMS như máy đo tốc độ, kính quay và các cảm biến khác, cung cấp sự ổn định và chính xác cơ học cần thiết.

  4. Điện tử điện:

    • Được sử dụng trong các ứng dụng quản lý năng lượng, bao gồm các công tắc và bộ chuyển đổi năng lượng, nơi quản lý nhiệt và hiệu quả là rất quan trọng.

  5. Các mạch tín hiệu tương tự và hỗn hợp:

    • Nâng cao hiệu suất của mạch tương tự bằng cách giảm tiếng ồn và crosstalk, làm cho nó phù hợp với xử lý âm thanh và điều kiện tín hiệu.

SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm P loại Dopant B Thiết bị 220 Kháng: 8.5-11.5 ohm-cm 2

Chất lượng và độ tin cậy

  • Tiêu chuẩn sản xuất:

    • Các wafer SOI của chúng tôi được sản xuất theo các tiêu chuẩn công nghiệp cao nhất, đảm bảo chất lượng và hiệu suất nhất quán.

  • Kiểm soát chất lượng:

    • Các quy trình kiểm soát chất lượng nghiêm ngặt được áp dụng để đảm bảo mỗi wafer đáp ứng các tính chất điện, cơ học và nhiệt được chỉ định.

  • Chứng chỉ:

    • Phù hợp với các tiêu chuẩn sản xuất bán dẫn quốc tế, đảm bảo khả năng tương thích với các quy trình sản xuất toàn cầu.

Thông tin đặt hàng

  • Có sẵn:

    • Các tấm SOI 100mm và 150mm có sẵn để vận chuyển ngay lập tức.

  • Bao bì:

    • Wafers được đóng gói an toàn trong các thùng chứa chống tĩnh, tương thích với phòng sạch để ngăn ngừa ô nhiễm và hư hỏng trong quá trình vận chuyển.

Nâng cấp các ứng dụng bán dẫn của bạn với các tấm SOI tiên tiến của chúng tôi, được thiết kế cho sự xuất sắc và độ tin cậy.

Từ khóa:

wafer bán dẫn

chất nền wafer

chất nền gasb

Muốn biết thêm chi tiết về sản phẩm này
SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm P loại Dopant B Thiết bị 220 Kháng: 8.5-11.5 ohm-cm bạn có thể gửi cho tôi thêm chi tiết như loại, kích thước, số lượng, chất liệu, v.v.

Chờ hồi âm của bạn.