• LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate
  • LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate
  • LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate
LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate

LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc: Trung Quốc
Hàng hiệu: ZMSH
Số mô hình: 2 "/3"/4 "/6" 8 "

Thanh toán:

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 2
Giá bán: 200 USD
Packaging Details: custom cartons
Delivery Time: 2-3 weeks
Điều khoản thanh toán: T/T
Supply Ability: by case
Giá tốt nhất Tiếp xúc

Thông tin chi tiết

Material: LiNbO3 Diameter/size: 2”/3”/4”/6“/8”
Cutting Angle: X/Y/Z etc TTV: <3μm
Bow: -30 Warp: <40μm
Làm nổi bật:

2 inch Lithium Niobate trên Isolator

,

4 inch Lithium Niobate trên Isolator

,

8 Inch Lithium Niobate trên Isolator

Mô tả sản phẩm

Đế LNOI (Lithium Niobate on Insulator) 2/3/4/6/8 Inch Si/LN

Giới thiệu về Đế LNOI
Đế LNOI (Lithium Niobate on Insulator) là một vật liệu tiên tiến được sử dụng trong việc phát triển các thiết bị quang tử và lượng tử tiên tiến. Các đế này được chế tạo bằng cách liên kết một lớp mỏng lithium niobate (LiNbO₃) lên một chất nền cách điện, thường là silicon, thông qua các quy trình chuyên biệt như cấy ion và liên kết đế. Đế LNOI kế thừa các đặc tính quang học và áp điện đặc biệt của lithium niobate, khiến chúng không thể thiếu cho các ứng dụng hiệu suất cao trong quang học tích hợp, viễn thông và công nghệ lượng tử. Bài viết này khám phá các nguyên tắc cơ bản, các ứng dụng chính và các câu hỏi thường gặp về đế LNOI.

 

LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate 0LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate 1

 


 

Nguyên tắc Chế tạo Đế LNOI:
Quá trình tạo ra đế LNOI rất phức tạp và liên quan đến một số bước quan trọng để đảm bảo chất lượng và chức năng cao của sản phẩm cuối cùng. Dưới đây là phân tích các giai đoạn chính:

 

LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate 2

 

 

  1. Cấy Ion:
    Quá trình chế tạo bắt đầu với một tinh thể lithium niobate khối. Các ion helium (He) năng lượng cao được cấy vào bề mặt của tinh thể. Năng lượng và độ sâu của các ion xác định độ dày của lớp lithium niobate. Việc cấy ion này tạo ra một mặt phẳng dễ vỡ bên trong tinh thể, có thể tách ra trong các giai đoạn sau của quá trình để tạo ra một lớp lithium niobate mỏng, chất lượng cao.

  2. Liên kết với Chất nền:
    Sau khi quá trình cấy ion hoàn tất, lớp lithium niobate (đã bị suy yếu bởi các ion) được liên kết với một chất nền cách điện, thường là silicon. Điều này được thực hiện bằng cách sử dụng các kỹ thuật liên kết đế trực tiếp, trong đó các bề mặt được ép lại với nhau ở áp suất và nhiệt độ cao. Liên kết kết quả tạo thành một giao diện ổn định giữa lớp lithium niobate mỏng và chất nền hỗ trợ.

  3. Ủ và Tách Lớp:
    Sau khi liên kết, đế trải qua quá trình ủ, giúp sửa chữa mọi hư hỏng do việc cấy ion gây ra. Bước ủ cũng thúc đẩy sự tách lớp lithium niobate trên cùng khỏi tinh thể khối. Điều này tạo ra một lớp lithium niobate mỏng chất lượng cao trên chất nền, điều này rất cần thiết để sử dụng trong các ứng dụng quang tử và lượng tử khác nhau.

  4. Đánh bóng cơ học hóa học (CMP):
    Để đạt được chất lượng và độ phẳng bề mặt mong muốn, đế trải qua quá trình Đánh bóng cơ học hóa học (CMP). CMP làm mịn mọi độ nhám trên bề mặt, đảm bảo rằng đế cuối cùng đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt để sử dụng trong các thiết bị quang tử hiệu suất cao. Bước này rất quan trọng để đảm bảo hiệu suất quang học tối ưu và giảm thiểu các khuyết tật.


 

Thông số kỹ thuật của Đế LNOI

 

 

Vật chất Quang học Cấp LiNbO3 đế
Curie Nhiệt độ 1142±0.7℃
Cắt Góc X/Y/Z, v.v.
Đường kính/kích thước 2”/3”/4”/6"/8”
Tol(±) <0.20 mm ±0.005mm
Độ dày 0.18~0.5mm trở lên
Chính Phẳng 16mm/22mm/32mm
TTV <3μm
Cong -30
Cong vênh <40μm
Định hướng Phẳng Tất cả đều có sẵn
Bề mặt Loại Đánh bóng một mặt (SSP)/Đánh bóng hai mặt (DSP)
Đánh bóng bên Ra <0.5nm
S/D 20/10
Cạnh Tiêu chí R=0.2mm loại C hoặc Bullnose
Chất lượng Không có vết nứt (bong bóng và tạp chất)
Quang học pha tạp Mg/Fe/Zn/MgO, v.v. cho LN cấp quang học< đế trên mỗi yêu cầu
Đế Bề mặt Tiêu chí Chỉ số khúc xạ No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm bước sóng/phương pháp ghép lăng kính.
Ô nhiễm, Không có
Hạt c>0.3μ m <=30
Vết xước, Sứt mẻ Không có
Khuyết tật Không có vết nứt cạnh, vết xước, vết cưa, vết ố
Đóng gói Số lượng/Hộp đế 25 chiếc mỗi hộp

 


 

Ứng dụng của Đế LNOI:
Đế LNOI được sử dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau, đặc biệt là những lĩnh vực yêu cầu các đặc tính vật liệu tiên tiến cho các ứng dụng quang tử, lượng tử và tốc độ cao. Dưới đây là các lĩnh vực chính mà đế LNOI không thể thiếu:

 

LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate 3

  1. Quang học tích hợp:
    Đế LNOI được sử dụng rộng rãi trong quang học tích hợp, nơi chúng đóng vai trò là nền tảng cho các thiết bị quang tử như bộ điều biến, ống dẫn sóng và bộ cộng hưởng. Các thiết bị này rất quan trọng để thao tác ánh sáng ở cấp độ mạch tích hợp, cho phép truyền dữ liệu tốc độ cao, xử lý tín hiệu và các ứng dụng quang học tiên tiến.

  2. Viễn thông:
    Đế LNOI đóng một vai trò quan trọng trong viễn thông, đặc biệt là trong các hệ thống thông tin liên lạc quang học. Chúng được sử dụng để tạo ra các bộ điều biến quang học, là các thành phần thiết yếu cho các mạng cáp quang tốc độ cao. Các đặc tính điện quang đặc biệt của LNOI cho phép điều chế ánh sáng chính xác ở tần số cao, điều này rất cần thiết cho các hệ thống liên lạc hiện đại.

  3. Điện toán lượng tử:
    Đế LNOI là một vật liệu lý tưởng cho các công nghệ lượng tử do khả năng tạo ra các cặp photon vướng víu, rất cần thiết cho phân phối khóa lượng tử (QKD) và mật mã lượng tử. Việc tích hợp chúng vào các hệ thống điện toán lượng tử cho phép phát triển các mạch quang tử tiên tiến, điều này rất quan trọng cho tương lai của điện toán lượng tử và công nghệ truyền thông.

  4. Công nghệ cảm biến:
    Đế LNOI cũng được sử dụng trong các ứng dụng cảm biến quang học và âm thanh. Khả năng tương tác với cả ánh sáng và âm thanh của đế khiến chúng có giá trị đối với các cảm biến được sử dụng trong chẩn đoán y tế, giám sát môi trường và thử nghiệm công nghiệp. Độ nhạy và độ ổn định cao của chúng đảm bảo các phép đo chính xác, khiến chúng trở nên cần thiết trong các lĩnh vực này.


 

Câu hỏi thường gặp của Đế LNOI

  1. Đế LNOI được làm bằng gì?
    Đế LNOI bao gồm một lớp mỏng lithium niobate (LiNbO₃) được liên kết với một chất nền cách điện, thường là silicon. Lớp lithium niobate cung cấp các đặc tính quang học và áp điện tuyệt vời, làm cho nó lý tưởng cho các ứng dụng hiệu suất cao khác nhau.

  2. Đế LNOI khác với đế SOI như thế nào?
    Mặc dù cả đế LNOI và SOI đều bao gồm một lớp mỏng được liên kết với một chất nền cách điện, nhưng LNOI sử dụng lithium niobate làm vật liệu lớp mỏng, trong khi đế SOI sử dụng silicon. Lithium niobate cung cấp các đặc tính quang học phi tuyến vượt trội, khiến đế LNOI phù hợp hơn cho các ứng dụng như điện toán lượng tử và quang tử tiên tiến.

  3. Những lợi ích chính của việc sử dụng đế LNOI là gì?
    Những lợi ích chính của đế LNOI bao gồm các hệ số điện quang cao của chúng, cho phép điều chế ánh sáng hiệu quả, cũng như độ bền cơ học của chúng, đảm bảo độ ổn định trong quá trình vận hành thiết bị. Những đặc tính này làm cho đế LNOI trở nên lý tưởng cho các ứng dụng quang học và lượng tử tốc độ cao.

 

Sản phẩm liên quan

 

LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate 4

Tinh thể Lithium Niobate (LiNbO3) Thành phần EO/PO Viễn thông Quốc phòng​ SAW tần số cao

 

LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate 5

Chất nền SiC-on-Insulator SiCOI Độ dẫn nhiệt cao Khoảng trống rộng

 

 

Muốn biết thêm chi tiết về sản phẩm này
LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate bạn có thể gửi cho tôi thêm chi tiết như loại, kích thước, số lượng, chất liệu, v.v.

Chờ hồi âm của bạn.