logo
Giá tốt  Trực tuyến

Chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Trang chủ Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
bộ phận gốm sứ
Created with Pixso.

Silicon Carbide Ceramic Fork hiệu suất cao SiC Ceramic End Effector cho xử lý wafer bán dẫn

Silicon Carbide Ceramic Fork hiệu suất cao SiC Ceramic End Effector cho xử lý wafer bán dẫn

Tên thương hiệu: ZMSH
Số mẫu: 03
MOQ: 3
Giá: 20USD
Chi tiết bao bì: thùng carton
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
Chứng nhận:
Rohs
Khả năng cung cấp:
Tùy từng trường hợp
Làm nổi bật:

Chiếc nĩa gốm SiC để xử lý wafer

,

Máy hiệu ứng cuối của gốm cacbon silicon

,

Cúc gốm hiệu suất cao cho bán dẫn

Mô tả sản phẩm

Silicon Carbide Ceramic Fork ¢ High-Performance SiC Ceramic End Effector cho xử lý wafer bán dẫn

Tổng quan sản phẩm

Silicon Carbide Ceramic Fork là một thành phần gốm được thiết kế chính xác cho các hệ thống xử lý wafer bán dẫn, thiết bị chuyển robot và các ứng dụng xử lý nhiệt độ cao.Được sản xuất từ các vật liệu gốm silicon carbide (SiC) tiên tiến, nó cung cấp độ cứng cơ học tuyệt vời, ổn định nhiệt và chống lại môi trường hóa học khắc nghiệt.
 
Trong sản xuất bán dẫn, hệ thống chuyển wafer đòi hỏi các thành phần có khả năng duy trì vị trí chính xác và hiệu suất cơ học ổn định trong suốt các hoạt động xử lý lặp đi lặp lại.Được lắp đặt ở đầu cánh tay robot, cưa gốm SiC hỗ trợ và chuyển wafer giữa các băng cassette, cổng tải, buồng chân không và thiết bị xử lý.

Silicon Carbide Ceramic Fork hiệu suất cao SiC Ceramic End Effector cho xử lý wafer bán dẫn
 
So với các thành phần kim loại thông thường và nhiều vật liệu gốm truyền thống, silicon carbide cung cấp một sự kết hợp của độ cứng cao, mở rộng nhiệt thấp,dẫn nhiệt tuyệt vời và khả năng chống mòn xuất sắcCác đặc điểm này làm cho nó đặc biệt phù hợp với môi trường sản xuất bán dẫn đòi hỏi nơi kiểm soát nhiệt độ, ổn định kích thước và giảm ô nhiễm là điều cần thiết.
 

Các đặc điểm và lợi thế chính

Chống nhiệt độ cao tuyệt vời

Silicon carbide duy trì các tính chất cơ học tuyệt vời ở nhiệt độ cao.Tính ổn định nhiệt của nó làm cho nó phù hợp với các hệ thống chuyển wafer và thiết bị bán dẫn hoạt động trong điều kiện nhiệt đòi hỏi.

Silicon Carbide Ceramic Fork hiệu suất cao SiC Ceramic End Effector cho xử lý wafer bán dẫnĐộ dẫn nhiệt cao

Vật gốm SiC có độ dẫn nhiệt cao, cho phép chuyển nhiệt hiệu quả và giúp giảm gradient nhiệt độ trong thành phần.Điều này đặc biệt có lợi trong các ứng dụng liên quan đến wafer nóng và môi trường đòi hỏi nhiệt.

Chống mòn cao hơn

Với độ cứng cực kỳ cao, silicon carbide cung cấp khả năng chống mài mòn và mòn cơ học tuyệt vời.Nó giúp duy trì bề mặt tiếp xúc của nĩa và độ chính xác kích thước trong các hoạt động xử lý wafer lặp đi lặp lại.

Độ cứng cơ học cao

Silicon carbide kết hợp mô-đun đàn hồi cao với mật độ tương đối thấp, cung cấp độ cứng cấu trúc tuyệt vời.đặc biệt là trong các cấu trúc nĩa dài và mỏng.

Sự mở rộng nhiệt thấp

Tỷ lệ mở rộng nhiệt thấp giúp duy trì sự ổn định kích thước trong thời gian biến động nhiệt độ, hỗ trợ vị trí wafer nhất quán và độ chính xác chuyển.

Chống ăn mòn hóa học tuyệt vời

Vật gốm SiC cho thấy khả năng kháng mạnh đối với nhiều axit, kiềm và hóa chất ăn mòn. Nó phù hợp với thiết bị bán dẫn tiếp xúc với môi trường xử lý hóa học,tùy thuộc vào chất lượng vật liệu cụ thể và điều kiện hoạt động.

Hiệu suất bề mặt sạch và ổn định

Vật gốm cacbon silicon có thể được nghiền chính xác và đánh bóng để đạt được chất lượng bề mặt được kiểm soát.Việc hoàn thiện bề mặt phù hợp giúp giảm mài mòn cơ học và tạo ra các hạt trong khi tiếp xúc và chuyển wafer.

 
 

Ứng dụng

Nĩa gạch kim loại cacbon silic được thiết kế chủ yếu để chuyển wafer chính xác và hệ thống xử lý tự động.

  • Chuyển wafer bán dẫn: Hỗ trợ và chuyển wafer silic giữa các trạm xử lý khác nhau.

  • Máy xử lý wafer robot: phục vụ như là người làm hiệu ứng cuối cùng hoặc xử lý lưỡi robot chuyển bán dẫn.

  • Thiết bị xử lý chân không: Được sử dụng trong các mô-đun chuyển wafer và hệ thống tự động chân không.

  • Ứng dụng nhiệt độ cao: xử lý miếng và nền trong thiết bị đòi hỏi nhiệt.

  • Thiết bị làm sạch wafer: Hỗ trợ các hoạt động tải và thả tự động.

  • Hệ thống tự động hóa chính xác: xử lý chất nền bán dẫn và các thành phần tinh tế khác đòi hỏi sự ổn định kích thước cao.

Tùy chọn tùy chỉnh

Chúng tôi cung cấp các nĩa gốm silicon carbide tùy chỉnh theo bản vẽ của khách hàng, mẫu và thông số kỹ thuật thiết bị.
Các tùy chọn tùy chỉnh có sẵn bao gồm:

  • SiC sintered không áp lực (SSiC)

  • SiC liên kết phản ứng (RBSiC / SiSiC), tùy thuộc vào các yêu cầu ứng dụng

  • Độ dài, chiều rộng và độ dày của nĩa tùy chỉnh

  • Các cấu trúc một cưa và nhiều cưa

  • Các lỗ gắn chính xác và giao diện lắp đặt

  • Các vùng hỗ trợ và tiếp xúc wafer tùy chỉnh

  • Các kênh chân không và lỗ hút

  • Sơn chính xác và đánh bóng bề mặt

  • Các yêu cầu về dung lượng kích thước và độ phẳng tùy chỉnh

Các quy trình sản xuất SiC khác nhau có thể tạo ra các đặc tính vật liệu khác nhau. Do đó, việc lựa chọn vật liệu nên xem xét nhiệt độ hoạt động, phơi nhiễm hóa chất,yêu cầu điện và điều kiện tiếp xúc wafer.

Thông số kỹ thuật

Bảng dưới đây cung cấp một tham chiếu chung cho các sản phẩm nĩa gốm cacbon silicon.Silicon Carbide Ceramic Fork hiệu suất cao SiC Ceramic End Effector cho xử lý wafer bán dẫn

Parameter

Thông số kỹ thuật

Tên sản phẩmPhích gốm Silicon Carbide
Vật liệuSilicon Carbide (SiC)
Loại vật liệuSSiC / SiSiC
Hàm lượng SiCTùy thuộc vào lớp học
Màu sắcĐen / Xám tối
Mật độKhoảng 3,0-3,2 g/cm3
Độ cứngCao
Khả năng dẫn nhiệtCao
Sự giãn nở nhiệtMức thấp
Độ cứng cơ họcTốt lắm.
Chống hóa chấtTốt lắm.
Xét bề mặtXát / đánh bóng
Kích thướcTùy chỉnh
Xử lýMáy chế gốm chính xác
Ứng dụngXử lý Wafer bán dẫn

 

Tại sao nên chọn nĩa gốm Silicon Carbide?

Khi các quy trình sản xuất bán dẫn tiếp tục tiến bộ, các thành phần xử lý wafer dự kiến sẽ cung cấp độ chính xác cao hơn, ổn định nhiệt tốt hơn và tuổi thọ lâu hơn.
 
Thạch kim cacbon silicon cung cấp một số lợi thế cho các ứng dụng này.trong khi sự mở rộng nhiệt thấp của nó hỗ trợ sự ổn định kích thước dưới nhiệt độ thay đổiĐộ cứng cao và khả năng chống hóa chất làm tăng thêm khả năng phù hợp của nó cho môi trường quy trình đòi hỏi.
 
Đối với các ứng dụng liên quan đến lưỡi dao chuyển dài, nhiệt độ cao hoặc tiếp xúc hóa học hung hăng, gốm sứ SiC có thể mang lại lợi thế so với gốm sứ nhôm thông thường,mặc dù vật liệu tối ưu phụ thuộc vào điều kiện thiết bị thực tế.
 
Thông qua gia công chính xác và thiết kế cấu trúc tùy chỉnh, nĩa gốm cacbon silicon có thể được sản xuất để đáp ứng các kích thước wafer khác nhau,Các cấu hình robot và các yêu cầu về thiết bị bán dẫn.

Các câu hỏi thường gặp ️ Silicon Carbide Ceramic Fork

1Chiếc nĩa gốm Silicon Carbide là gì?

Một Silicon Carbide Ceramic Fork là một thành phần gốm chính xác được sử dụng trong xử lý wafer bán dẫn và hệ thống chuyển tự động.Nó thường được lắp đặt ở cuối một cánh tay robot để hỗ trợ và chuyển wafer giữa các trạm xử lý khác nhau.

2. Những lợi thế chính của nĩa gốm silicon carbide là gì?

Các nĩa gốm cacbon silic cung cấp một số lợi thế, bao gồm độ cứng cao, khả năng chống mòn tuyệt vời, độ dẫn nhiệt cao, mở rộng nhiệt thấp và khả năng chống ăn mòn hóa học tốt.Các tính chất này làm cho chúng phù hợp với môi trường sản xuất bán dẫn đòi hỏi.

3Tại sao silicon carbide được sử dụng trong thiết bị xử lý wafer bán dẫn?

Silicon carbide được chọn vì độ cứng cơ học tuyệt vời, ổn định nhiệt và khả năng chống lại điều kiện hoạt động khắc nghiệt.Nó giúp duy trì độ chính xác kích thước và vị trí wafer đáng tin cậy trong các hoạt động chuyển đổi lặp đi lặp lại.
 

Sản phẩm liên quan

 

Custom Ceramic End Effector Alumina Ceramic Handling Arm for Semiconductor Wafer Handling

 

Tay xử lý cuối gốm tùy chỉnh Alumina Ceramic Handling Arm cho xử lý wafer bán dẫn