Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

Gallium Nitride wafer

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Đề nghị các video này cho bạn

phát lại

Video tiếp theo

Kháng cao 8 inch 200mm Silicon Carbide Wafer sản xuất lớp 4H-N

Silicon carbide wafer

2023-10-16

906 quan điểm

nói chuyện ngay

Chia sẻ

#chất nền silicon carbide #wafer sic #silicon trên tấm sapphire

Mô tả sản phẩm: Là nhà sản xuất và nhà cung cấp hàng đầu của SiC (Silicon Carbide) substrate wafers, ZMSH cung cấp giá tốt nhất trên thị trường cho 2 inch và 3 inch nghiên cứu lớp Silicon Carbide ... Xem thêm

Tin nhắn của khách Để lại tin nhắn.

Kháng cao 8 inch 200mm Silicon Carbide Wafer sản xuất lớp 4H-N

Kháng cao 8 inch 200mm Silicon Carbide Wafer sản xuất lớp 4H-N

nói chuyện ngay

Tìm hiểu thêm

Video liên quan

Đế bán dẫn vuông Silicon Carbide (SiC) 6H dùng cho Ứng dụng Công suất và Tần số cao

Đế bán dẫn vuông Silicon Carbide (SiC) 6H dùng cho Ứng dụng Công suất và Tần số cao

Silicon carbide wafer

Bột HPSI SiC bán cách nhiệt độ tinh khiết cao/99,9999% Tăng trưởng tinh thể tinh khiết

Bột HPSI SiC bán cách nhiệt độ tinh khiết cao/99,9999% Tăng trưởng tinh thể tinh khiết

Silicon carbide wafer

Tấm bán dẫn đơn tinh thể 4H-SiC Epitaxial cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 µm, 6 inch)

Tấm bán dẫn đơn tinh thể 4H-SiC Epitaxial cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 µm, 6 inch)

Silicon carbide wafer

2 inch 4 inch Dummy Prime SiC Chất nền chống sốc nhiệt Gốm Silicon cacbua wafer đơn

2 inch 4 inch Dummy Prime SiC Chất nền chống sốc nhiệt Gốm Silicon cacbua wafer đơn

Silicon carbide wafer

10 x 10 x 0,5mm Silicon Carbide Wafer 4H - N SiC Crystal Chip

10 x 10 x 0,5mm Silicon Carbide Wafer 4H - N SiC Crystal Chip

Silicon carbide wafer

4H-N/Semi Type SiC Phôi và chất nền giả công nghiệp 2inch 3inch 4inch 6inch

4H-N/Semi Type SiC Phôi và chất nền giả công nghiệp 2inch 3inch 4inch 6inch

Silicon carbide wafer

Đánh bóng hình trụ rỗng Silicon Carbide Wafer Nguyên tố quang học SiC

Đánh bóng hình trụ rỗng Silicon Carbide Wafer Nguyên tố quang học SiC

Silicon carbide wafer

Đế Silicon Carbide (SiC) 10×10 mm / Chip vuông nhỏ – SiC hiệu suất cao

Đế Silicon Carbide (SiC) 10×10 mm / Chip vuông nhỏ – SiC hiệu suất cao

Silicon carbide wafer

Các tấm SiC bán cách nhiệt 3 inch 76.2mm 4H loại SiC cho chất bán dẫn

Các tấm SiC bán cách nhiệt 3 inch 76.2mm 4H loại SiC cho chất bán dẫn

Silicon carbide wafer

Đơn tinh thể SiC Silicon carbide wafer Chất nền giả Lớp Dia153mm 156mm 159mm

Đơn tinh thể SiC Silicon carbide wafer Chất nền giả Lớp Dia153mm 156mm 159mm

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire KY (Ống Sapphire nuôi theo phương pháp Kyropoulos)

Ống Sapphire KY (Ống Sapphire nuôi theo phương pháp Kyropoulos)

Thanh Ruby tổng hợp cho Laser (Cr:Al₂O₃) dùng cho thiết bị Laser, chiều dài lên đến 200 mm

Thanh Ruby tổng hợp cho Laser (Cr:Al₂O₃) dùng cho thiết bị Laser, chiều dài lên đến 200 mm

Chất nền Sapphire

Máy gia công laser định hướng tia nước siêu nhỏ

Máy gia công laser định hướng tia nước siêu nhỏ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Thiết bị laser vi lỏng để xử lý tấm bán dẫn

Thiết bị laser vi lỏng để xử lý tấm bán dẫn

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Sapphire spacers cho quang học chính xác & bán dẫn

Sapphire spacers cho quang học chính xác & bán dẫn

Cửa sổ quang Sapphire