• Tùy chỉnh Sic wafer SiC Single Crystal 4H-N Type Double Side Polished Surface
  • Tùy chỉnh Sic wafer SiC Single Crystal 4H-N Type Double Side Polished Surface
  • Tùy chỉnh Sic wafer SiC Single Crystal 4H-N Type Double Side Polished Surface
  • Tùy chỉnh Sic wafer SiC Single Crystal 4H-N Type Double Side Polished Surface
Tùy chỉnh Sic wafer SiC Single Crystal 4H-N Type Double Side Polished Surface

Tùy chỉnh Sic wafer SiC Single Crystal 4H-N Type Double Side Polished Surface

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc: Trung Quốc
Hàng hiệu: ZMKJ
Số mô hình: Tấm wafer 6 inch 4h-n

Thanh toán:

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1pcs
Giá bán: by case
chi tiết đóng gói: gói wafer đơn trong phòng làm sạch 100 lớp
Thời gian giao hàng: 1-6 tuần
Điều khoản thanh toán: T/T, Western Union, MoneyGram
Khả năng cung cấp: 1-50 chiếc / tháng
Giá tốt nhất Tiếp xúc

Thông tin chi tiết

Vật chất: SiC đơn tinh thể loại 4H-N Lớp: Dummy / Sản xuất cấp
Thicnkss: 0,35mm 0,5mm Suraface: đánh bóng hai mặt
Đăng kí: kiểm tra đánh bóng nhà sản xuất thiết bị Đường kính: 150 ± 0,5mm
Điểm nổi bật:

chất nền silicon carbide

,

wafer sic

Mô tả sản phẩm

 

2 inch / 3 inch / 4 inch / 6 inch 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N thỏi SIC / Độ tinh khiết cao 4H-N 4 inch 6 inch đường kính 150mm silicon cacbua đơn tinh thể (sic) tấm nền, thỏi tinh thể sicchất nền bán dẫn sic,Bánh wafer tinh thể silicon cacbua / wafer sic cắt theo yêu cầu

Giới thiệu về tinh thể silic cacbua (SiC)

Cacbua silic (SiC), còn được gọi là carborundum, là một chất bán dẫn có chứa silic và cacbon với công thức hóa học là SiC.SiC được sử dụng trong các thiết bị điện tử bán dẫn hoạt động ở nhiệt độ cao hoặc điện áp cao, hoặc cả hai. SiC cũng là một trong những thành phần LED quan trọng, nó là chất nền phổ biến để phát triển các thiết bị GaN và nó cũng được sử dụng như một bộ truyền nhiệt ở các đèn LED nguồn.

 
1. Mô tả
Tài sản 4H-SiC, Tinh thể đơn 6H-SiC, Tinh thể đơn
Tham số mạng a = 3.076 Å c = 10.053 Å a = 3.073 Å c = 15.117 Å
Xếp dãy ABCB ABCACB
Độ cứng Mohs ≈9,2 ≈9,2
Tỉ trọng 3,21 g / cm3 3,21 g / cm3
Cái nhiệt.Hệ số giãn nở 4-5 × 10-6 / K 4-5 × 10-6 / K
Chỉ số khúc xạ @ 750nm

không = 2,61

ne = 2,66

không = 2,60

ne = 2,65

Hằng số điện môi c ~ 9,66 c ~ 9,66
Độ dẫn nhiệt (loại N, 0,02 ohm.cm)

a ~ 4,2 W / cm · K @ 298K

c ~ 3,7 W / cm · K @ 298K

 
Độ dẫn nhiệt (bán cách điện)

a ~ 4,9 W / cm · K @ 298K

c ~ 3,9 W / cm · K @ 298K

a ~ 4,6 W / cm · K @ 298K

c ~ 3,2 W / cm · K @ 298K

Khoảng cách ban nhạc 3,23 eV 3,02 eV
Trường điện phá vỡ 3-5 × 106V / cm 3-5 × 106V / cm
Tốc độ trượt bão hòa 2.0 × 105m / giây 2.0 × 105m / giây

 

4 inch n-doped 4H Silicon Carbide SiC Wafer

Độ tinh khiết cao Đường kính 4 inch Silicon Carbide (SiC) Đặc điểm kỹ thuật của bề mặt

Tùy chỉnh Sic wafer SiC Single Crystal 4H-N Type Double Side Polished Surface 1

Tùy chỉnh Sic wafer SiC Single Crystal 4H-N Type Double Side Polished Surface 2Tùy chỉnh Sic wafer SiC Single Crystal 4H-N Type Double Side Polished Surface 3

Tùy chỉnh Sic wafer SiC Single Crystal 4H-N Type Double Side Polished Surface 4

Giới thiệu về ứng dụng chất nền SiC
 
Tùy chỉnh Sic wafer SiC Single Crystal 4H-N Type Double Side Polished Surface 5
 
KÍCH THƯỚC DANH MỤC THÔNG DỤNG                            
 

 

Loại 4H-N / Tấm / thỏi SiC có độ tinh khiết cao
Tấm / thỏi SiC 2 inch 4H N-Type
Tấm wafer SiC 3 inch 4H loại N
Tấm / thỏi SiC 4 inch 4H loại N
Tấm / thỏi SiC 6 inch 4H loại N

 

4H bán cách điện / Độ tinh khiết caoSiC wafer

2 inch 4H wafer SiC bán cách nhiệt
Tấm wafer SiC bán cách nhiệt 3 inch 4H
Tấm wafer SiC bán cách nhiệt 4 inch 4H
Tấm wafer SiC bán cách nhiệt 6 inch 4H
 
 
Tấm lót SiC loại 6H
Tấm / thỏi SiC 2 inch 6H loại N

 
Kích thước tùy chỉnh cho 2-6 inch
 

Giới thiệu về Công ty ZMKJ

 

ZMKJ có thể cung cấp wafer SiC đơn tinh thể (Silicon Carbide) chất lượng cao cho ngành công nghiệp điện tử và quang điện tử.SiC wafer là vật liệu bán dẫn thế hệ tiếp theo, với đặc tính điện độc đáo và đặc tính nhiệt tuyệt vời, so với wafer silicon và wafer GaAs, wafer SiC phù hợp hơn cho các ứng dụng thiết bị nhiệt độ cao và công suất lớn.SiC wafer có thể được cung cấp có đường kính 2-6 inch, cả SiC 4H và 6H, loại N, pha tạp Nitơ, và loại bán cách điện có sẵn.Vui lòng liên hệ với chúng tôi để biết thêm thông tin sản phẩm.

 

Câu hỏi thường gặp:

Q: Cách vận chuyển và chi phí là gì?

A: (1) Chúng tôi chấp nhận DHL, Fedex, EMS, v.v.

(2) không sao cả Nếu bạn có tài khoản cấp tốc của riêng mình, Nếu không, chúng tôi có thể giúp bạn gửi chúng và

Vận chuyển hàng hóa là tôiN phù hợp với thực tế quyết toán.

 

Q: Làm Thế Nào để thanh toán?

A: T / T 100 % tiền đặt cọc trước khi giao hàng.

 

Q: MOQ của bạn là gì?

A: (1) Đối với hàng tồn kho, MOQ là 1 chiếc.nếu 2-5 cái thì tốt hơn.

(2) Đối với các sản phẩm commen tùy chỉnh, MOQ là 10 chiếc.

 

Q: những gì thời gian giao hàng?

A: (1) Đối với các sản phẩm tiêu chuẩn

Đối với hàng tồn kho: giao hàng là 5 ngày làm việc sau khi bạn đặt hàng.

Đối với các sản phẩm tùy chỉnh: giao hàng là 2-4 tuần sau khi bạn đặt hàng liên hệ.

 

Q: Bạn có sản phẩm tiêu chuẩn?

A: Sản phẩm tiêu chuẩn của chúng tôi trong kho.như chất nền 4 inch 0,35mm.

 

Muốn biết thêm chi tiết về sản phẩm này
Tùy chỉnh Sic wafer SiC Single Crystal 4H-N Type Double Side Polished Surface bạn có thể gửi cho tôi thêm chi tiết như loại, kích thước, số lượng, chất liệu, v.v.

Chờ hồi âm của bạn.