Wafer đế Sapphire 2 inch 50,8mm Hai mặt được đánh bóng Trục M Trục C Trục A

Mô tả sản phẩm

Thông số kỹ thuậtcho các tấm wafer trục c 2 inch

Kích thước: Trục DSP-100-R 2 inch

Chất liệu: KY Sapphire Al2O3 đơn tinh thể không bong bóng；màu；

Định hướng: Cắt C, tắt trục M 0,0+/- 0,2°；
Đường kính: 50,8 +/- 0,2mm ；

Độ dày:100 ± 15 ô;
CỦA Phẳng:16.0 +/- 1.0 mm ； HOẶC hình tròn
Định hướng OF: trục a
Bề mặt: Đánh bóng SSP /dsp Epi-ready ；
TTV<= 10um ；BOW<= 20um ； Warp<= 20um ；
Độ nhám bề mặt trước (Ra) Ra <= 0,3 nm； hoặc hai mặt
Độ nhám bề mặt sau (Ra) Ra = 1,0 +/- 0,2um ；
Cạnh: từ 1mm ；

các ứng dụngcho chất nền wafer sapphire

Sapphire bao gồm alumina (A1203), bao gồm ba nguyên tử oxy và hai nguyên tử nhôm theo kiểu liên kết cộng hóa trị, và cấu trúc tinh thể của nó là cấu trúc mạng lục giác.Nó thường được sử dụng trên các mặt A-Plane, C-Plane và R-Plane.Do dải thấu quang rộng, sapphire có khả năng truyền ánh sáng tuyệt vời từ vùng cực tím gần (190nm) đến vùng hồng ngoại trung bình.Do đó, nó được sử dụng rộng rãi trong các thành phần quang học, thiết bị hồng ngoại, vật liệu thấu kính laser cường độ cao và vật liệu mặt nạ, nó có đặc tính tốc độ âm thanh cao, chịu nhiệt độ cao, chống ăn mòn, độ cứng cao, độ truyền ánh sáng cao, độ nóng chảy cao điểm (2045°C), v.v.Nó là một vật liệu khá khó xử lý, vì vậy nó thường được sử dụng làm vật liệu phần tử quang điện.Hiện tại, chất lượng của đèn LED trắng/xanh dương có độ sáng cực cao phụ thuộc vào chất lượng vật liệu của nitride epiticular (Ga), trong khi chất lượng của nitride epitaxy có liên quan chặt chẽ với chất lượng xử lý bề mặt của chất nền sapphire được sử dụng.Tỷ lệ không khớp hằng số mạng tinh thể giữa bề mặt C của sapphire (đơn tinh thể A1203) và màng của nhóm II-V và II-VI là nhỏ.Đồng thời, nó đáp ứng yêu cầu về khả năng chịu nhiệt độ cao trong quy trình epiticular GaN, khiến tấm wafer sapphire trở thành vật liệu chính để chế tạo đèn LED trắng/xanh dương/xanh lá cây.

Cổ phiếu củaphiến sapphire