• GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF thiết bị quang điện tử và đèn LED
  • GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF thiết bị quang điện tử và đèn LED
  • GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF thiết bị quang điện tử và đèn LED
  • GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF thiết bị quang điện tử và đèn LED
GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF thiết bị quang điện tử và đèn LED

GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF thiết bị quang điện tử và đèn LED

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc: Trung Quốc
Hàng hiệu: ZMSH
Số mô hình: Tấm wafer GaN Gallium Nitride

Thanh toán:

Thời gian giao hàng: 2-4 tuần
Điều khoản thanh toán: T/T
Giá tốt nhất Tiếp xúc

Thông tin chi tiết

Cấu trúc: Đường kính 1" hoặc 25,4 +/- 0,5 mm Độ dày: 350 +/- 50 ừm
căn hộ chính: 12 +/- 1mm Căn hộ thứ cấp:: 8 +/- 1mm
Định hướng: (0001) C-plane Sự thay đổi tổng độ dày: ≤ 40 um
cây cung: 0 +/- 10 um điện trở suất: ~ 10-3 ohm-cm
Nồng độ chất mang: ~ 1019 cm-3 Tính di động của nhà cung cấp dịch vụ: ~ 150 cm2/V*s
Mật độ hố khắc: < 5 x 104 cm-2 Làm bóng: Mặt trước: RMS < 0,5 nm, Sẵn sàng Epi, Mặt sau được mài.
Điểm nổi bật:

Optoelectronics Gallium Nitride Wafer

,

Đèn LED GaN Wafer

,

Thiết bị RF Gallium Nitride Wafer

Mô tả sản phẩm

GaN Gallium Nitride Wafer Điện tử di động cao Thiết bị RF Optoelectronics và LED

Tóm tắt của GaN Gallium Nitride Wafer

Gallium Nitride (GaN) wafer đã nổi lên như là một công nghệ trọng tâm trong các ngành công nghiệp khác nhau, do các tính chất vật liệu độc đáo của chúng.và ổn định nhiệt đặc biệt, GaN wafer tìm thấy các ứng dụng trong điện tử công suất, thiết bị RF, optoelectronics, và nhiều hơn nữa.từ cung cấp năng lượng cho truyền thông 5G đến chiếu sáng đèn LED và phát triển các hệ thống năng lượng mặt trờiCác đặc điểm hiệu suất cao của GaN làm cho nó trở thành nền tảng trong việc phát triển các thiết bị điện tử nhỏ gọn và hiệu quả, ảnh hưởng đến các lĩnh vực như điện tử ô tô, hàng không vũ trụ,và năng lượng tái tạoLà một động lực trong đổi mới công nghệ, các tấm GaN tiếp tục xác định lại các khả năng trên các ngành công nghiệp đa dạng, định hình khung cảnh của các hệ thống điện tử và truyền thông hiện đại.

Màn hình của GaN Gallium Nitride Wafer

GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF thiết bị quang điện tử và đèn LED 0GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF thiết bị quang điện tử và đèn LED 1

GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF thiết bị quang điện tử và đèn LED 2GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF thiết bị quang điện tử và đèn LED 3

Ứng dụng của GaN Gallium Nitride Wafer

GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF thiết bị quang điện tử và đèn LED 4

Các tấm miếng Gallium Nitride (GaN) có nhiều ứng dụng trong nhiều ngành công nghiệp,Tận dụng các tính chất vật liệu độc đáo của chúng để tăng hiệu suất trong các thiết bị điện tử và quang điện tửDưới đây là một số ứng dụng chính của GaN wafers:

  1. Điện tử điện:

    • GaN wafer được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử công suất như transistor và diode. tính di động điện tử cao và băng tần rộng làm cho chúng phù hợp với các ứng dụng như khuếch đại công suất,Máy chuyển đổi, và biến tần trong các ngành công nghiệp từ viễn thông đến các hệ thống năng lượng tái tạo.
  2. Thiết bị RF (radio frequency):

    • GaN wafer được sử dụng trong việc phát triển các thiết bị RF tần số cao, bao gồm các bộ khuếch đại và công tắc.làm cho nó có giá trị trong các ứng dụng như hệ thống radar, truyền thông không dây, và truyền thông vệ tinh.
  3. Optoelectronics và LED:

    • Đèn LED dựa trên GaN (Đèn phát quang) được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng chiếu sáng, màn hình và chỉ số.Khả năng của GaN phát ra ánh sáng trong quang phổ xanh và cực tím góp phần tạo ra ánh sáng trắng trong đèn LED, làm cho chúng rất quan trọng cho các giải pháp chiếu sáng tiết kiệm năng lượng.
  4. Thiết bị quang điện tử tia cực tím (UV):

    • Sự minh bạch của GaN đối với ánh sáng cực tím làm cho nó phù hợp với các ứng dụng quang điện tử UV.và các thiết bị khác khi nhạy cảm với bức xạ UV là điều cần thiết.
  5. Transistor di động điện tử cao (HEMT):

    • GaN wafer phục vụ như một vật liệu chính cho sự phát triển của HEMT, đó là các transistor hiệu suất cao được sử dụng trong các ứng dụng tần số cao và công suất cao.Các HEMT dựa trên công nghệ GaN được sử dụng trong truyền thông vệ tinh, hệ thống radar, và cơ sở hạ tầng không dây.
  6. Truyền thông không dây (5G):

    • Khả năng tần số cao của GaN làm cho nó trở thành vật liệu ưa thích cho việc phát triển các thành phần RF trong các hệ thống truyền thông 5G.Các bộ khuếch đại và bộ phát dựa trên GaN đóng một vai trò quan trọng trong việc cho phép tốc độ dữ liệu cao và độ trễ thấp được yêu cầu cho các mạng 5G.
  7. Các nguồn điện và bộ chuyển đổi:

    • GaN wafer được sử dụng trong sản xuất các nguồn cung cấp điện và bộ chuyển đổi, nơi thiết kế hiệu quả cao và nhỏ gọn là điều cần thiết.Các thiết bị điện dựa trên GaN góp phần giảm mất điện và cải thiện hiệu quả tổng thể của các hệ thống điện tử.
  8. Điện tử ô tô:

    • Công nghệ GaN đang được sử dụng ngày càng nhiều trong điện tử ô tô, đặc biệt là trong xe điện (EV) và xe điện lai (HEV).Điện tử năng lượng dựa trên GaN tăng hiệu quả của hệ thống truyền động điện, góp phần thúc đẩy vận tải bền vững.
  9. Máy biến đổi năng lượng mặt trời:

    • GaN wafer được sử dụng trong việc phát triển các biến tần điện cho hệ thống năng lượng mặt trời.Hiệu quả cao và khả năng xử lý năng lượng của các thiết bị GaN góp phần tối ưu hóa việc chuyển đổi năng lượng mặt trời thành điện có thể sử dụng.
  10. Hệ thống radar tiên tiến:

    • Khả năng hoạt động ở tần số cao và chịu được mức năng lượng cao làm cho GaN lý tưởng cho các hệ thống radar tiên tiến.hàng không vũ trụ, và giám sát thời tiết.

Các ứng dụng đa dạng của các tấm GaN nhấn mạnh tầm quan trọng của chúng trong việc thúc đẩy công nghệ trên nhiều lĩnh vực.và các tính chất có lợi khác vị trí GaN như một yếu tố chính cho sự phát triển của các thiết bị điện tử và quang điện tử tiên tiến.

Biểu đồ dữ liệu của GaN Gallium Nitride Wafer

Mô hình NO.
50.8mm
Công nghệ sản xuất
HVPE & MOCVD
Vật liệu
Phương tiện bán dẫn hợp chất
Loại
Máy bán dẫn loại N
Ứng dụng
Đèn LED
Mô hình
Loại N, bán cách nhiệt
Thương hiệu
WMC
Chiều kính
50.8, 100 150 mm
Định hướng tinh thể
C-plane (0001)
Kháng chất
< 0,05 < 0,1 < 0,5 ohm.cm
Độ dày
350um
TTV
10um tối đa
Quỳ xuống
25um tối đa
EPD
5E8 cm-2 tối đa
Độ thô bề mặt
Mặt trước: <= 0,2nm, mặt sau: 0,5-1,5um hoặc <= 0,2nm
Nồng độ chất mang
5E17 cm-3 tối đa
Di động trong sảnh
300 cm2/V.s
Thương hiệu
WMC
Gói vận chuyển
thùng chứa wafer đơn
Thông số kỹ thuật
2" 4" 6"
Nguồn gốc
Chengdu Trung Quốc
Mã HS
3818001900

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Muốn biết thêm chi tiết về sản phẩm này
GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF thiết bị quang điện tử và đèn LED bạn có thể gửi cho tôi thêm chi tiết như loại, kích thước, số lượng, chất liệu, v.v.

Chờ hồi âm của bạn.