 |
SiC Substrate Silicon Carbide Subatrte 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10mm P lớp R lớp D lớp
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Nguồn gốc: | Trung Quốc |
| Hàng hiệu: | ZMSH |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Chiều kính: | 5*5mm±0.2mm 10*10mm±0.2mm | Độ dày: | 350 umt25 um |
|---|---|---|---|
| Định hướng wafer: | Ngoài trục: 2,0°-4,0° về phía [1120]+0,5° đối với 4H/6H-P, Trên trục: (111)+ 0,5° đối với 3C-N | Mật độ ống vi mô: | 0 cm-2 |
| Điện trở suất 4H/6H-P: | <0,1 2·cm | Điện trở suất 3C-N: | <0,8 mQ.cm |
| chiều dài phẳng chính: | 15,9mm +1,7mm | Chiều dài phẳng thứ cấp: | 8.0mm +1.7mm |
| Làm nổi bật: | 10 × 10mm SiC Substrate,4H/6H-P SiC Substrate,3C-N SiC Substrate |
||
Mô tả sản phẩm
SiC Substrate Silicon carbide subatrte 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10mm P lớp R lớp D lớp
4H/6H-P SiC Substrate 5 × 5 10 × 10mm của trừu tượng
Các chất nền 4H/6H-P Silicon Carbide (SiC), với kích thước 5 × 5 mm và 10 × 10 mm, đại diện cho một tiến bộ quan trọng trong các vật liệu bán dẫn,đặc biệt cho các ứng dụng công suất cao và nhiệt độ caoSiC, một chất bán dẫn băng tần rộng, thể hiện khả năng dẫn nhiệt đặc biệt, cường độ trường điện phân hủy cao và đặc tính cơ học mạnh mẽ,làm cho nó trở thành sự lựa chọn ưa thích cho các thiết bị điện tử công suất và thiết bị quang điện tử thế hệ tiếp theoNghiên cứu này khám phá các kỹ thuật sản xuất được sử dụng để đạt được chất lượng cao 4H / 6H-P SiC nền, giải quyết các thách thức phổ biến như giảm thiểu khiếm khuyết và đồng nhất wafer.Bài báo nhấn mạnh các ứng dụng của chất nền trong các thiết bị điện, thiết bị RF và các ứng dụng tần số cao khác, nhấn mạnh tiềm năng của nó để cách mạng hóa ngành công nghiệp bán dẫn.Các kết quả cho thấy các chất nền SiC này sẽ đóng một vai trò quan trọng trong việc phát triển các thiết bị điện tử hiệu quả và đáng tin cậy hơn, cho phép đột phá về hiệu suất và hiệu quả năng lượng.
4H/6H-P SiC Substrate 5×5 10×10mm's đặc tính
Các chất nền 4H/6H-P SiC (Silicon Carbide), đặc biệt là ở kích thước 5 × 5 mm và 10 × 10 mm,thể hiện một số tính chất đáng chú ý khiến nó trở thành lựa chọn ưa thích trong các ứng dụng bán dẫn hiệu suất cao:
-
Phạm vi rộng:Khoảng cách băng tần rộng của SiC (khoảng 3,26 eV cho 4H và 3,02 eV cho 6H) cho phép hoạt động ở nhiệt độ và điện áp cao, có lợi cho điện tử công suất.
-
Độ dẫn nhiệt cao:SiC có độ dẫn nhiệt tuyệt vời, khoảng 3,7 W / cm · K, giúp phân tán nhiệt hiệu quả, làm cho nó phù hợp với các thiết bị công suất cao.
-
Điện trường phá vỡ cao:SiC có thể chịu được các trường điện cao (lên đến 3 MV / cm), làm cho nó lý tưởng cho các thiết bị điện đòi hỏi khả năng xử lý điện áp cao.
-
Sức mạnh cơ học:SiC được biết đến với độ bền cơ học của nó, cung cấp khả năng chống mòn cao, rất quan trọng đối với các thiết bị hoạt động trong điều kiện cực đoan.
-
Sự ổn định hóa học:SiC ổn định về mặt hóa học, chống oxy hóa và ăn mòn, làm cho nó phù hợp với môi trường khắc nghiệt, bao gồm cả các ứng dụng hàng không vũ trụ và ô tô.
Các tính chất này cho phép các chất nền SiC 4H / 6H-P được sử dụng trong một loạt các ứng dụng, bao gồm cả transistor công suất cao, thiết bị RF và optoelectronics,nơi hiệu suất và độ tin cậy là rất quan trọng.
4H/6H-P SiC Substrate 5 × 5 hình ảnh 10 × 10mm
4H/6H-P SiC Substrate 5 × 5 Ứng dụng của 10 × 10mm
Các chất nền 4H / 6H-P SiC (Silicon Carbide), đặc biệt là ở kích thước 5 × 5 mm và 10 × 10 mm, được sử dụng trong các ứng dụng hiệu suất cao và đòi hỏi trong nhiều ngành công nghiệp:
-
Điện tử điện:Các chất nền SiC được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện như MOSFETs, IGBTs, và các diode Schottky, rất cần thiết trong xe điện, hệ thống năng lượng tái tạo và lưới điện.Khoảng cách băng tần rộng và điện áp phá vỡ cao của SiC cho phép chuyển đổi năng lượng hiệu quả và hoạt động dưới điện áp và nhiệt độ cao.
-
Thiết bị RF và vi sóng:SiC là một vật liệu tuyệt vời cho các thiết bị RF và vi sóng được sử dụng trong viễn thông, hệ thống radar và truyền thông vệ tinh.Khả năng hoạt động ở tần số và nhiệt độ cao với mất tín hiệu thấp làm cho nó phù hợp với các bộ khuếch đại và công tắc công suất cao.
-
Optoelectronics:Các chất nền SiC được sử dụng trong đèn LED và đèn diode laser, đặc biệt là trong dải sóng UV và màu xanh.và giám sát môi trường.
-
Hàng không và ô tô:Do tính ổn định nhiệt và khả năng chống lại môi trường khắc nghiệt, SiC được sử dụng trong cảm biến hàng không vũ trụ và ô tô, thiết bị điều khiển và mô-đun điện, nơi độ tin cậy trong điều kiện cực đoan là rất quan trọng.
Các ứng dụng này nhấn mạnh tầm quan trọng của chất nền SiC 4H / 6H-P trong các công nghệ tiên tiến đòi hỏi hiệu quả, độ bền và hoạt động hiệu suất cao.
Câu hỏi và câu trả lời
4H trong 4H-SiC là bao nhiêu?
4H-SiC và 6H-SiC đại diện choCác cấu trúc tinh thể sáu góc, với "H" cho thấy đối xứng sáu góc và số 4 và 6 các lớp trong các tế bào đơn vị của chúng.là một yếu tố quyết định quan trọng về hiệu suất của thiết bị bán dẫn.