 |
12 inch SiC Wafer 4H-N Dummy Research DSP SSP SiC Substrate Silicon Carbide Wafer
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Nguồn gốc: | Trung Quốc |
| Hàng hiệu: | ZMSH |
Thanh toán:
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 1 |
|---|---|
| Giá bán: | undetermined |
| chi tiết đóng gói: | nhựa xốp＋thùng carton |
| Thời gian giao hàng: | 2-4 tuần |
| Điều khoản thanh toán: | T/T |
| Khả năng cung cấp: | 1000 CÁI / Tuần |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Đường kính bánh xốp: | 12 inch (300 mm) ± 0,2 mm | Độ dày wafer: | 500 Pham ± 10 |
|---|---|---|---|
| Định hướng tinh thể: | 4H-SIC (hình lục giác) | Loại doping: | Nitơ (N) pha tạp (độ dẫn loại N) |
| loại đánh bóng: | Được đánh bóng một bên (SSP), được đánh bóng hai bên (DSP) | định hướng bề mặt: | 4 ° về phía <11-20> ± 0,5 ° |
| Làm nổi bật: | 12 inch SiC wafer,Nghiên cứu SiC wafer,4H-N SiC Wafer |
||
Mô tả sản phẩm
12 inch SiC wafer 4H-N - cấp sản xuất, cấp giả, cấp nghiên cứu, và DSP đánh bóng hai mặt, SSP đánh bóng một mặt
Tóm tắt của 12 inch SiC wafer
Một miếng vải SiC 12 inch đề cập đến một miếng vải silicon carbide (SiC) có đường kính 12 inch (khoảng 300mm),một tiêu chuẩn kích thước được sử dụng trong ngành công nghiệp bán dẫn để sản xuất hàng loạt các thiết bị bán dẫnCác tấm này là một phần không thể thiếu trong các ứng dụng hiệu suất cao khác nhau do các tính chất độc đáo của SiC, bao gồm dẫn nhiệt cao, điện áp phá vỡ cao và khả năng chống nhiệt độ cao.SiC wafer là một vật liệu cốt lõi để sản xuất các thiết bị bán dẫn tiên tiến được sử dụng trong các lĩnh vực như điện tử công suất, xe điện, viễn thông, hàng không vũ trụ và năng lượng tái tạo.
SiC wafer là một vật liệu bán dẫn băng tần rộng và lợi thế hiệu suất của nó so với truyền thống
silicon (Si) đã làm cho nó trở thành sự lựa chọn ưa thích trong các ứng dụng cụ thể nơi silicon không còn hiệu quả, đặc biệt là trong môi trường công suất cao, nhiệt độ cao và tần số cao.
Bảng thông số kỹ thuật cho một SiC 4H-N 12 inch
| Chiều kính | 300.0 mm+0 mm/-0,5 mm |
| Định hướng bề mặt | 4° hướng <11-20> ± 0,5° |
| Độ dài phẳng chính | Nhọn |
| Chiều dài phẳng thứ cấp | Không có |
| Định hướng notch | <1-100>±1° |
| Ngọn ngón | 90°+5/-1° |
| Độ sâu notch | 1mm + 0,25mm/-0mm |
| Sự sai định hướng trực giác | ± 5,0° |
| Xét bề mặt | C-Face: Optical Polish, Si-Face: CMP |
| Biên cạnh wafer | Chế độ đúc |
| Độ thô bề mặt (10μm × 10μm) |
Mặt Si:Ra≤0,2 nm Mặt C:Ra≤0,5 nm |
| Độ dày | 500.0μm±25.0μm |
| LTV ((10mmx10mm) | ≤ 8μm |
| TTV | ≤ 25μm |
| BOW | ≤ 35μm |
| Warp. | ≤ 45μm |
| Các thông số bề mặt | |
| Chips/Indents | Không được phép≥0,5mm Độ rộng và độ sâu |
| Xước2 (Si mặt CS8520) |
≤ 5 và chiều dài tích lũy ≤ 1 đường kính wafer |
| TUA2 ((2mm*2mm) | ≥95% |
| Rạn nứt | Không được phép |
| Đốm | Không được phép |
| Bỏ cạnh | 3mm |
Tính chất của các tấm vải SiC 12 inch
1. Wide Bandgap Properties:
SiC có băng tần rộng 3,26 eV, cao hơn đáng kể so với silicon (1,1 eV). Điều này có nghĩa là các thiết bị dựa trên SiC có thể hoạt động ở điện áp cao hơn, tần số, và độ cao hơn.và nhiệt độ mà không bị hỏng hoặc mất hiệu suấtĐiều này rất quan trọng đối với các ứng dụng như điện tử điện và thiết bị điện áp cao, nơi cần hiệu quả cao hơn và ổn định nhiệt.
2.High dẫn nhiệt:
SiC thể hiện tính dẫn nhiệt đặc biệt (khoảng 3,5 lần cao hơn silicon), có lợi cho việc phân tán nhiệt.Khả năng dẫn nhiệt hiệu quả là điều cần thiết để ngăn ngừa quá nóng và đảm bảo hiệu suất lâu dài, đặc biệt là khi xử lý một lượng lớn năng lượng.
3Điện áp cao:
Do khoảng cách băng tần rộng, SiC có thể chịu được điện áp cao hơn nhiều so với silicon, làm cho nó phù hợp để sử dụng trong các ứng dụng điện áp cao như chuyển đổi và truyền điện.Các thiết bị SiC có thể xử lý đến 10 lần điện áp phá vỡ của các thiết bị dựa trên silicon, làm cho chúng lý tưởng cho điện tử công suất hoạt động ở điện áp cao.
4.Low-On-Resistance:
Các vật liệu SiC có điện trở thấp hơn nhiều so với silicon, dẫn đến hiệu quả cao hơn, đặc biệt là trong các ứng dụng chuyển mạch điện.Điều này làm giảm sự mất mát năng lượng và tăng hiệu quả tổng thể của các thiết bị sử dụng các tấm SiC.
5- Mật độ điện năng cao:
Sự kết hợp của điện áp cao, điện trở thấp,và độ dẫn nhiệt cao cho phép sản xuất các thiết bị mật độ công suất cao có thể hoạt động trong điều kiện khắc nghiệt với tổn thất tối thiểu.
Quá trình sản xuất các tấm vải SiC 12 inch
Việc sản xuất các wafer SiC 12 inch theo một số bước quan trọng để sản xuất các wafer chất lượng cao đáp ứng các thông số kỹ thuật cần thiết để sử dụng trong các thiết bị bán dẫn.Dưới đây là các giai đoạn chính liên quan đến sản xuất wafer SiC:
1.Crystal Growth:
Việc sản xuất các tấm SiC bắt đầu với sự phát triển của các tinh thể đơn lớn.bao gồm sublimation silicon và carbon trong lòCác phương pháp khác, chẳng hạn như tăng trưởng dung dịch và lắng đọng hơi hóa học (CVD), cũng có thể được sử dụng.nhưng PVT là phương pháp được sử dụng rộng rãi nhất cho sản xuất quy mô lớn.
Quá trình này đòi hỏi nhiệt độ cao (khoảng 2000 ° C) và kiểm soát chính xác để đảm bảo cấu trúc tinh thể đồng nhất và không có khiếm khuyết.
2.Cắt Wafer:
Một khi một tinh thể đơn của SiC được phát triển, nó được cắt thành các miếng mỏng bằng cách sử dụng cưa kim cương hoặc cưa dây.Wafers thường được cắt thành các lớp dày khoảng 300 ~ 350 micron.
3- Đánh bóng:
Sau khi cắt lát, các miếng SiC được đánh bóng để đạt được bề mặt mịn phù hợp với các ứng dụng bán dẫn.Bước này là rất quan trọng để giảm các khiếm khuyết bề mặt và đảm bảo một bề mặt phẳng lý tưởng cho sản xuất thiết bịSơn kim học cơ học (CMP) thường được sử dụng để đạt được độ mịn mong muốn và loại bỏ bất kỳ thiệt hại còn lại nào từ cắt.
4.Doping:
Để sửa đổi tính chất điện của SiC, doping được thực hiện bằng cách đưa ra một lượng nhỏ các nguyên tố khác như nitơ, bor hoặc phốt pho.Quá trình này là rất cần thiết để kiểm soát độ dẫn của tấm SiC và tạo ra các vật liệu loại p hoặc loại n cần thiết cho các loại thiết bị bán dẫn khác nhau.
Ứng dụng của các Wafer SiC 12 inch
Các ứng dụng chính của các tấm SiC 12 inch được tìm thấy trong các ngành công nghiệp nơi cần hiệu quả cao, xử lý năng lượng và ổn định nhiệt.Dưới đây là một số lĩnh vực chính mà các tấm SiC được sử dụng rộng rãi:
1Điện tử điện:
Các thiết bị SiC, đặc biệt là MOSFET năng lượng (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) và diode, được sử dụng trong điện tử điện cho các ứng dụng điện áp cao và công suất cao.
Các miếng SiC 12 inch cho phép các nhà sản xuất sản xuất nhiều thiết bị hơn mỗi miếng, dẫn đến các giải pháp hiệu quả hơn về chi phí cho nhu cầu ngày càng tăng về điện tử công suất.
2. Xe điện (EV):
Ngành công nghiệp ô tô, đặc biệt là lĩnh vực xe điện (EV), dựa trên các thiết bị dựa trên SiC cho các hệ thống chuyển đổi và sạc năng lượng hiệu quả.Các wafer SiC được sử dụng trong các mô-đun điện của các biến tần EV, giúp xe hoạt động hiệu quả hơn với thời gian sạc nhanh hơn, hiệu suất cao hơn và phạm vi mở rộng.
Các mô-đun điện SiC cho phép xe điện đạt được hiệu suất nhiệt tốt hơn và mật độ năng lượng cao hơn, cho phép các hệ thống nhẹ hơn và nhỏ gọn hơn.
3- Truyền thông và mạng 5G:
SiC wafer rất quan trọng đối với các ứng dụng tần số cao trong ngành viễn thông. Chúng được sử dụng trong trạm gốc 5G, hệ thống radar và các thiết bị truyền thông khác,cung cấp công suất cao và mất mát thấp ở tần số cao hơnTính dẫn nhiệt cao và điện áp phá vỡ của SiC cho phép các thiết bị này hoạt động trong điều kiện khắc nghiệt, chẳng hạn như trong không gian hoặc trong các hệ thống radar nhạy cảm cao.
4Không gian và Quốc phòng:
Các tấm SiC được sử dụng trong ngành công nghiệp hàng không vũ trụ và quốc phòng cho các thiết bị điện tử hiệu suất cao phải hoạt động trong môi trường nhiệt độ cao, điện áp cao và bức xạ.Chúng bao gồm các ứng dụng như hệ thống vệ tinh, thăm dò không gian, và hệ thống radar tiên tiến.
5Năng lượng tái tạo:
Trong các hệ thống năng lượng mặt trời và năng lượng gió, các thiết bị SiC được sử dụng trong các bộ chuyển đổi điện và biến tần để chuyển đổi năng lượng được tạo ra từ các nguồn tái tạo thành điện có thể sử dụng.Khả năng xử lý điện áp cao và hoạt động hiệu quả ở nhiệt độ cao làm cho SiC lý tưởng cho các ứng dụng này.
Câu hỏi và câu trả lời
Hỏi:Ưu điểm của các tấm SiC 12 inch là gì?
A:Việc sử dụng các tấm SiC 12 inch trong sản xuất bán dẫn cung cấp một số lợi thế đáng kể:
1Hiệu quả cao hơn:
Các thiết bị dựa trên SiC cung cấp hiệu quả cao hơn so với các thiết bị dựa trên silicon, đặc biệt là trong các ứng dụng chuyển đổi điện.rất quan trọng đối với các ngành công nghiệp như xe điện, năng lượng tái tạo, và lưới điện.
2- Quản lý nhiệt tốt hơn:
Tính dẫn nhiệt cao của SiC giúp phân tán nhiệt hiệu quả hơn, cho phép các thiết bị hoạt động ở mức năng lượng cao hơn mà không bị quá nóng.Điều này dẫn đến các thành phần đáng tin cậy hơn và bền lâu hơn.
3- Mật độ năng lượng cao hơn.:
Các thiết bị SiC có thể hoạt động ở điện áp và tần số cao hơn, dẫn đến mật độ điện năng cao hơn cho điện tử công suất. Điều này cho phép thiết kế nhỏ gọn hơn,tiết kiệm không gian và giảm trọng lượng hệ thống trong các ứng dụng như xe điện và viễn thông.
Tag:
# SiC wafer # 12 inch SiC wafer # 4H-N SiC # 4H-SiC # silicon carbide wafer