|
|
| Tên thương hiệu: | ZMSH |
| MOQ: | 2 |
| giá bán: | by case |
| Chi tiết bao bì: | thùng tùy chỉnh |
| Điều khoản thanh toán: | T/T |
Tấm đế hình vuông Silicon Carbide (SiC) 6H được sản xuất từ vật liệu tinh thể đơn 6H-SiC có độ tinh khiết cao và được gia công chính xác thành hình vuông cho các ứng dụng bán dẫn và điện tử tiên tiến. Là một vật liệu đại diện của bán dẫn băng thông rộng thế hệ thứ ba, 6H-SiC mang lại hiệu suất vượt trội trong điều kiện làm việc nhiệt độ cao, điện áp cao, tần số cao và công suất cao.
Với độ dẫn nhiệt, độ bền cơ học, độ ổn định hóa học và các đặc tính điện tuyệt vời, các đế hình vuông 6H SiC được sử dụng rộng rãi trong thiết bị điện, thiết bị RF, quang điện tử, hệ thống laser và phòng thí nghiệm R&D. Các đế có thể được cung cấp ở tình trạng bề mặt được đánh bóng, bán đánh bóng hoặc không đánh bóng với kích thước và độ dày tùy chỉnh.
Độ cứng cực cao (Độ cứng Mohs ≈ 9.2)
Độ dẫn nhiệt cao (~490 W/m·K) để tản nhiệt hiệu quả
Băng thông rộng (3.0 eV), phù hợp với môi trường khắc nghiệt
Cường độ điện trường phá vỡ cao
Khả năng kháng hóa chất và chống oxy hóa tuyệt vời
Độ di động electron cao cho hiệu suất tần số cao
Cấu trúc tinh thể ổn định và tuổi thọ cao
| Thông số | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Vật liệu | Silicon Carbide 6H (6H-SiC) |
| Hình dạng | Hình vuông |
| Kích thước tiêu chuẩn | 5×5 mm, 10×10 mm, 20×20 mm (Có sẵn tùy chỉnh) |
| Độ dày | 0.2 – 1.0 mm (Có sẵn tùy chỉnh) |
| Hoàn thiện bề mặt | Đánh bóng một mặt / Đánh bóng hai mặt / Không đánh bóng |
| Độ nhám bề mặt | Ra ≤ 0.5 nm (Đánh bóng) |
| Loại dẫn điện | Loại N / Cách điện bán phần |
| Điện trở suất | 0.015 – 0.03 Ω·cm (Loại N điển hình) |
| Định hướng tinh thể | (0001) Mặt Si hoặc mặt C |
| Cạnh | Có hoặc không có vát |
| Hình thức | Xanh đậm đến bán trong suốt |
Tăng trưởng tinh thể đơn PVT (Vận chuyển hơi vật lý)
Định hướng và cắt vuông
Mài và kiểm soát độ dày có độ chính xác cao
Đánh bóng một hoặc hai mặt
Vệ sinh bằng sóng siêu âm và đóng gói phòng sạch
Quy trình này đảm bảo độ phẳng cao, ít khuyết tật bề mặt và tính nhất quán về điện tuyệt vời.
Thiết bị bán dẫn công suất (MOSFET, SBD, IGBT)
Thiết bị điện tử RF và vi sóng
Linh kiện điện tử nhiệt độ cao
Điốt laser và máy dò quang học
Nghiên cứu chip và phát triển nguyên mẫu
Phòng thí nghiệm trường đại học và viện nghiên cứu bán dẫn
Vi chế tạo và xử lý MEMS
Vật liệu tinh thể đơn 6H-SiC chính hãng
Hình vuông để dễ dàng xử lý và chế tạo thiết bị
Chất lượng bề mặt cao với mật độ khuyết tật thấp
Phạm vi tùy chỉnh rộng cho kích thước, độ dày và điện trở suất
Hiệu suất ổn định trong môi trường khắc nghiệt
Hỗ trợ tạo mẫu lô nhỏ và sản xuất hàng loạt
Kiểm tra 100% trước khi giao hàng
Q1: Sự khác biệt giữa 6H-SiC và 4H-SiC là gì?
A: 4H-SiC được sử dụng phổ biến hơn trong các thiết bị điện thương mại hiện nay do độ di động electron cao hơn, trong khi 6H-SiC được ưa chuộng trong một số ứng dụng RF, vi sóng và quang điện tử đặc biệt.
Q2: Bạn có thể cung cấp đế hình vuông 6H-SiC chưa đánh bóng không?
A: Có, chúng tôi cung cấp các bề mặt được đánh bóng, mài và không đánh bóng dựa trên yêu cầu của khách hàng.
Q3: Bạn có hỗ trợ các đế hình vuông kích thước nhỏ không?
A: Có, có thể tùy chỉnh các kích thước hình vuông xuống 2×2 mm.
Q4: Báo cáo kiểm tra và thử nghiệm có sẵn không?
A: Có, chúng tôi có thể cung cấp báo cáo kiểm tra kích thước, dữ liệu thử nghiệm điện trở suất và báo cáo độ nhám bề mặt.
Sản phẩm liên quan
Tấm SiC 12 inch Tấm silicon carbide 300mm Cấp dẫn điện Cấp giả Loại N Cấp nghiên cứu
Tấm Sic Loại P 4H/6H 4 inch 6 inch Cấp Z Cấp P Cấp D Lệch trục 2.0°-4.0° Hướng về Tạp chất Loại P
