logo
Giá tốt  Trực tuyến

Chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Trang chủ Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Silicon carbide wafer
Created with Pixso.

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

Tên thương hiệu: ZMSH
Số mẫu: 4 inch SiC Wafer
MOQ: 10 miếng
Chi tiết bao bì: gói chung
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
Chứng nhận:
RoHS
Kiểu:
4h-n
Cấp:
Giả / nghiên cứu / Cấp sản xuất
độ dày:
350±25±m
Biến dạng:
40 mm
Độ nhám:
Ra≤1nm
Đường kính:
4 inch, 99,5 mm ~ 100,0 mm
Mô tả sản phẩm
4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate 4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate What are Silicon Carbide (SiC) Wafers & Substrates? Silicon Carbide (SiC) wafers and substrates are specialized materials used in semiconductor technology made from silicon carbide, a compound known for its high thermal conductivity, excellent mechanical strength, and wide bandgap. Exceptionally hard and lightweight, SiC wafers and substrates provide a robust