Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

Gallium Nitride wafer

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Trang chủ

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Sơ đồ trang web

Công ty

Về chúng tôi

Liên hệ chúng tôi

Blog

các giải pháp

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

4 inch 6 "500um được đánh bóng DSP C-Axis a-axis Al2O3 Chất nền Sapphire tinh thể

Đường kính 300mm Notch DSP Sapphire Substrate Wafers

Hai mặt được đánh bóng M Axis 2 inch Lớp nền Sapphire

Độ dày 2 inch 100um DSP 0,1mm Lớp nền Sapphire

430um Quang học trục C lớp nền Sapphire Wafer

2 3 4 inch Sapphire cho độ dày quang học 400um Dsp Zero Degree

Cửa sổ quang Sapphire

Thiết bị chân không Sapphire Crystal Glass, Sapphire Lens Nhiệt độ cao

Hình dạng tùy chỉnh Các thành phần Sapphire Các bước quang ống kính Bề mặt được đánh bóng cho thiết bị chân không

Độ cứng 9.0 Bộ phận vòng bi Sapphire Độ dày 4mm Độ dày cho các thành phần vòng bi

Nút nguồn C trục Sapphire, Kính thấu kính Sapphire được chạm khắc hai mặt

Kích thước tùy chỉnh Cửa sổ quang học Sapphire Độ dày 2mm có lỗ

Siêu mỏng Dia1,0mm 0,6mm Al2o3 Gốm thủy tinh Sapphire Thanh thanh bề mặt

Silicon carbide wafer

4H-N/Semi Type SiC Phôi và chất nền giả công nghiệp 2inch 3inch 4inch 6inch

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch Công nghiệp sử dụng Silicon Carbide Wafer với bề mặt thô ≤0.2nm

Square SiC Windows Silicon Carbide Chất nền Ống kính SiC 1x1x0,5mmt

Đánh bóng thỏi silicon cacbua Chất nền SiC Chip bán dẫn 8inch 200mm

8 inch 200mm Silicon carbide phôi bán dẫn Chất nền 4H N-Type SiC wafer

6 inch 150mm SIC wafer 4H-N Loại SiC Substrate Sản xuất giả và lớp không

Ống Sapphire

Các thành phần Sapphire chống ăn mòn Vòng đệm có dung sai lỗ ± 0,03mm

Độ cứng 9.0 Sapphire Thành phần cảm biến áp suất van Jewe Van không khí chính xác

1 * 11mm Các thành phần Sapphire Các thanh silicon đa tinh thể đơn tinh thể Xả kim điện cực

Chất nền bán dẫn

Lớp nền bán dẫn SSP Ge Wafers Ge cho băng hồng ngoại 100/110 2 inch

6 inch loại N đánh bóng silicon Wafer độ tinh khiết cao Lớp phủ PVD / CVD

Tấm Wafer Silicon đánh bóng loại 6 inch N DSP SiO2 Silicon Oxide Wafer

Lớp nền bán dẫn Gecmani 4 inch Ge Wafers cho laser Co2 hồng ngoại

Tấm nền Ge 2 inch 325um Ga-Doped Germanium cho hồng ngoại

Kính hiển vi điện tử quét 10x10mm Loại P Silicon Wafer mảnh vuông SEM

Đá quý tổng hợp

Tùy chỉnh Ruby Sapphire Đánh bóng Rod Ingot Ky Phương pháp tăng trưởng Đường kính 1 - 120mm

Tinh thể Sapphire pha tạp Al2o3 Ti tần số cao cho thiết bị laser

Sapphire màu đỏ pha tạp Sapphire pha tạp Sapphire pha lê đơn cho thiết bị laser

bộ phận gốm sứ

SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial

SiC Ceramic Tray Plate cho 2inch 4inch 6inch Wafer Processing và kích thước tùy chỉnh

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Máy trạm khoa học nhiệt cách nhiệt Flat Length Scientific Lab Equipment Isolated Fixed Focus Lens

LCD Display - Máy lấy nét cố định cách nhiệt cho thử nghiệm trong phòng thí nghiệm

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học wafer ủ nhiệt độ cao 1800 ° C

Băng ghế dự bị khoa học Thiết bị phòng thí nghiệm Máy đo quang truyền ánh sáng UV IR Dụng cụ

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Mặt đồng hồ Sapphire Crystal có độ tinh khiết cao Kích thước tùy chỉnh Bề mặt được đánh bóng

Thạch tinh đồng hồ Sapphire cứng cao với Optical Polishing & AR Coating Options

Vòng bi ruby xuyên lỗ được chế tạo chính xác với độ cứng cực cao (Mohs 9) và ruby tinh thể đơn tổng hợp để giảm thiểu ma sát và mài mòn

39/40/45mm Sapphire Crystal Watch Mặt trượt kính hiển vi hai mặt được đánh bóng

39/40 / 45mm Một mặt đồng hồ Sapphire Sapphire, Mặt đồng hồ tinh

Hộp đựng wafer

Hộp vận chuyển Polypropylene Single Wafer 4 "101,6mm

Chất nền siêu tinh thể mỏng

10x10mmt Siêu dẫn chất nền đơn tinh thể Terbium Gallium Garnet cho thiết bị Laser

Chất siêu dẫn tinh thể mỏng đơn chất siêu dẫn MgAl2O4 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

Tinh thể đơn siêu dẫn Chất nền đơn tinh thể 10X10mm Định hướng Kẽm

Gallium Nitride wafer

Kích thước tùy chỉnh 5x10mm M Trục đứng tự do HVPE Gali Nitride Wafer

Si Fe pha tạp không pha tạp Gallium Nitride wafer 2 INCH Laser chiếu

2 inch DSP SSP Gallium Nitride wafer Một trục Sapphire tạo nền cho mẫu Epitax

12 13 14 15 16 17 18 19