Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

Gallium Nitride wafer

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Trang chủ

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Sơ đồ trang web

Công ty

Về chúng tôi

Liên hệ chúng tôi

Blog

các giải pháp

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire 200mm 8 inch Al2O3 Sapphire, Chất nền silicon SSP DSP 1.0mm C - Trục

Độ tinh khiết cao Sapphire wafer Sapphire Single Crystal Độ dày 0,7mm

2 '' Sapphire Chất nền 10-12 R - Mặt phẳng 11-20 A - Độ dày mặt phẳng 430um

Tấm nền Sapphire tròn 2 inch Độ dày 50,8mm 100um / 0,1mm

100mm Sapphire Chất nền 4 inch Al2O3 0,5mm C - Độ dày trục tùy chỉnh

76.2mm Al2O3 Crystal Sapphire Substrate 2 4 6 Inch SSP DSP 0.5mm C - Trục

Cửa sổ quang Sapphire

C Axis Chịu nhiệt độ cao Tấm cửa sổ Sapphire

Đa giác 100um Độ dày Sapphire Cửa sổ quang học Chống hóa chất

Thiết bị xử lý nhiệt độ cao C-Sapphire Sapphire

Cửa sổ hồng ngoại Sapphire quang đôi Mặt được đánh bóng 60/40 Độ truyền cao

Độ ổn định nhiệt cao Sapphire Quang Windows Lens kháng hóa chất

Kính Sapphire tùy chỉnh độ dày 5mm có lỗ cho phần lắp ráp thiết bị

Silicon carbide wafer

Square SiC Windows Silicon carbide Substrate 2inch 4inch 6inch 8inch

8inch 200mm đánh bóng Phôi silicon carbide chất nền Lớp sản xuất chip SiC cho MOS

Đơn tinh thể SiC Silicon carbide wafer Chất nền giả Lớp Dia153mm 156mm 159mm

2 inch 4 inch Dummy Prime SiC Chất nền chống sốc nhiệt Gốm Silicon cacbua wafer đơn

Tấm wafer 8Inch 200mm 4H-N SiC Loại N giả dẫn điện Nghiên cứu

8inch 200mm Đánh bóng Phôi Silicon Carbide Chất nền Sic Chip Chất bán dẫn

Ống Sapphire

Các thành phần Sapphire chống ăn mòn Vòng đệm có dung sai lỗ ± 0,03mm

Độ cứng 9.0 Sapphire Thành phần cảm biến áp suất van Jewe Van không khí chính xác

1 * 11mm Các thành phần Sapphire Các thanh silicon đa tinh thể đơn tinh thể Xả kim điện cực

Chất nền bán dẫn

Dia 50,8mm Ge Wafers Chất nền bán dẫn Ga được pha tạp chất Chất nền N Loại 500um

Ống kính quang học OEM Dia 25.4mm Single Crystal Ge

Chất nền bán dẫn GaAs loại VGF 6 inch N để tăng trưởng biểu mô

2 inch 1000nm AlN Film Silicon Chất nền bán dẫn nhôm nitride

4 "Mẫu GaN dựa trên Sapphire

6 "Mẫu AlN dựa trên Silicon Màng AlN 500nm trên nền silicon

Đá quý tổng hợp

Tùy chỉnh Ruby Sapphire Đánh bóng Rod Ingot Ky Phương pháp tăng trưởng Đường kính 1 - 120mm

Tinh thể Sapphire pha tạp Al2o3 Ti tần số cao cho thiết bị laser

Sapphire màu đỏ pha tạp Sapphire pha tạp Sapphire pha lê đơn cho thiết bị laser

bộ phận gốm sứ

SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial

SiC Ceramic Tray Plate cho 2inch 4inch 6inch Wafer Processing và kích thước tùy chỉnh

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Máy trạm khoa học nhiệt cách nhiệt Flat Length Scientific Lab Equipment Isolated Fixed Focus Lens

LCD Display - Máy lấy nét cố định cách nhiệt cho thử nghiệm trong phòng thí nghiệm

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học wafer ủ nhiệt độ cao 1800 ° C

Băng ghế dự bị khoa học Thiết bị phòng thí nghiệm Máy đo quang truyền ánh sáng UV IR Dụng cụ

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Mặt đồng hồ Sapphire Crystal có độ tinh khiết cao Kích thước tùy chỉnh Bề mặt được đánh bóng

Thạch tinh đồng hồ Sapphire cứng cao với Optical Polishing & AR Coating Options

Vòng bi ruby xuyên lỗ được chế tạo chính xác với độ cứng cực cao (Mohs 9) và ruby tinh thể đơn tổng hợp để giảm thiểu ma sát và mài mòn

39/40/45mm Sapphire Crystal Watch Mặt trượt kính hiển vi hai mặt được đánh bóng

39/40 / 45mm Một mặt đồng hồ Sapphire Sapphire, Mặt đồng hồ tinh

Hộp đựng wafer

Hộp vận chuyển Polypropylene Single Wafer 4 "101,6mm

Chất nền siêu tinh thể mỏng

10x10mmt Siêu dẫn chất nền đơn tinh thể Terbium Gallium Garnet cho thiết bị Laser

Chất siêu dẫn tinh thể mỏng đơn chất siêu dẫn MgAl2O4 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

Tinh thể đơn siêu dẫn Chất nền đơn tinh thể 10X10mm Định hướng Kẽm

Gallium Nitride wafer

Kích thước tùy chỉnh 5x10mm M Trục đứng tự do HVPE Gali Nitride Wafer

Si Fe pha tạp không pha tạp Gallium Nitride wafer 2 INCH Laser chiếu

2 inch DSP SSP Gallium Nitride wafer Một trục Sapphire tạo nền cho mẫu Epitax

13 14 15 16 17 18 19 20