Hệ thống điều khiển thời gian thực SICOI 99,9% độ chính xác thuật toán cho robot và máy CNC

Hệ thống điều khiển thời gian thực SICOI 99,9% độ chính xác thuật toán cho robot & máy CNC

Lời giới thiệu
SiliconCarbidetrênKhép kín (SiCOI)mỏngphimđại diệnacắt...cạnhlớp họccủacompositevật liệu,được tạo rabởitích hợpacao...chất lượng,đơn-tinh thểsiliconcarbure (SiC)Lớpthường500đến600nanometdàytrênasilicondioxit (SiO2)căn cứ.Được biếtchocủa nócấp caonhiệtdẫn điện,caođiệnphân chiasức mạnh,vàtuyệt vờikháng cựđếnhóa họcsự suy thoái,SiC,khi nàoghépvớimộtcách nhiệtchất nền,cho phépcácphát triểncủathiết bịcó khả năngcủahoạt độngđáng tin cậydướicựcnăng lượng,tần số,vànhiệt độđiều kiện.

Nguyên tắc
SiCOImỏngphimcó thểđượcsản xuấtquaCMOS-tương thíchkỹ thuậtnhư vậynhưion-cắtvàWaferkết nối,tạo điều kiệncủa họhội nhậpvớithông thườngbán dẫnthiết bịBệ hạ.

Tôi...CắtKỹ thuật
Một.rộng rãisử dụngphương phápliên quancácion-cắt (Thông minh.Cắt)cách tiếp cận,nơi nàoamỏngSiClớplàchuyển giaotrênachất nềnquaioncấy ghéptheo saubởiWaferliên kết.Cái này.phương pháp,ban đầuphát triểnchosản xuấtsilicon-trên-chất cách nhiệt (SOI)Vaytạiquy mô,khuôn mặtnhững thách thứckhi nàoáp dụngđếnSiC.Cụ thể,ioncấy ghépcó thểgiới thiệucấu trúckhiếm khuyếttrongSiClàlàkhóđếnsửa chữavianhiệtủ,dẫn đầuđếnđáng kểquang họctổn thấttrongphotonicthiết bị.Hơn nữa,sơntạinhiệt độtrên1000°Ctháng 5xung độtvớiđặc biệtquá trìnhgiới hạn.

Đểvượt quanhữnggiới hạn,cơ khímỏngviamàivàhóa họccơ khíđánh bóng (CMP)có thểgiảmcácSiC/SiO2Vângcompositelớpđếnbên dưới1μm,có khả năngacaomịnbề mặt.Phản ứngionkhắc (RIE)đề nghịmộtbổ sungmỏngtuyến đườnglàgiảm thiểuquang họctổn thấttrongSiCOIBệ hạ.Trongsong song,ướtoxy hóa-hỗ trợCMPcóđược hiển thịhiệu quảtronggiảmbề mặtsự bất thườngvàphân tánảnh hưởng,trong khitiếp theocao...nhiệt độsơncó thểtăng cườngtổng thểWaferchất lượng.

WaferLiên kếtCông nghệ
Mộtthay thếcách tiếp cậnchochế tạoSiCOIcấu trúcliên quanWaferkết nối,nơi nàosiliconcarbure (SiC)vàsilicon (Si)Vaylàtham giadướiáp suất,sử dụngcácnhiệtoxy hóalớptrêncả haibề mặtđếnhình thứcaliên kết.Tuy nhiên,nhiệtoxy hóacủaSiCcó thểgiới thiệuđịa phương hóakhiếm khuyếttạicácSiC/oxitgiao diện.Những cái nàysự bất toàntháng 5tăngquang họcsinh sảntổn thấthoặctạophíbẫycác trang web.Ngoài ra,cácSiO2lớptrênSiClàthường xuyênđược gửisử dụnghuyết tươngtăng cườnghóa họchơiLời khai (PECVD),aquá trìnhlàtháng 5giới thiệucấu trúcsự bất thường.

Đểđịa chỉnhữngcác vấn đề,mộtcải thiệnphương phápcóđãphát triểnchochế tạo3C-SiCOIchip,màsử dụnganodickết nốivớiBorosilicatethủy tinh.Cái này.kỹ thuậtgiữ lạiđầytương thíchvớisiliconMáy vi mô,CMOSmạch điện,vàSiC-dựa trênphotonichội nhập.Ngoài ra,vô hìnhSiCphimcó thểđượctrực tiếpđược gửitrênSiO2/VângVayviaPECVDhoặcphun nước,Cung cấpađơn giản hóavàCMOS-thân thiệnsản xuấtĐường đi.Những cái nàytiến bộđáng kểtăng cườngcáckhả năng mở rộngvàkhả năng áp dụngcủaSiCOIcông nghệtrongPhotonics.

Ưu điểm
Trongso sánhđếnhiện tạivật liệubệnhư vậynhưsilicon-trên-chất cách nhiệt (SOI),siliconnitrit (SiN),vàLithiumNiobate-trên-chất cách nhiệt (LNOI),cácSiCOIsànđề nghịkhác nhauhiệu suấtlợi íchchophotoniccác ứng dụng.Vớicủa nóduy nhấttính chất,SiCOIlàngày càngđược công nhậnnhưahứa hẹnứng cử viênchoTiếp theo...thế hệlượng tửcông nghệ.Đó làchìa khóalợi thếbao gồm:

• MởHình ảnhTính minh bạch:SiCOIđồ trưng bàycaominh bạchquaarộngquang phổphạm vitừkhoảng400nmđến5000nmtrong khiduy trìthấpquang họcmất mát,vớidẫn sónglàm suy giảmthườngbên dưới1dB/cm.

• đa chức năngKhả năng:Cácsàncho phépđa dạngchức năng,bao gồmđiện-quang họcđiều chế,nhiệtđiều chỉnh,vàtần sốkiểm soát,làmnóphù hợpchophức tạptích hợpphotonicmạch.

• Không tuyến tínhHình ảnhTính chất:SiCOIhỗ trợthứ hai...nhịp điệuthế hệvàkháckhông tuyến tínhảnh hưởng,vànócũngcung cấpakhả thinền tảngchođơn-photonphát thảiquakỹ thuậtmàu sắctrung tâm.

Ứng dụng

SiCOIvật liệutích hợpcáccấp caonhiệtdẫn điệnvàcaophân chiađiện ápcủasiliconcarbure (SiC)vớicáctuyệt vờiđiệncách nhiệttính chấtcủaoxitcác lớp,trong khiđáng kểtăng cườngcácquang họcđặc điểmcủatiêu chuẩnSiCchất nền.Cái này.làmhọcaophù hợpchoarộngphạm vicủatiên tiếncác ứng dụng,bao gồmtích hợpPhotonics,lượng tửquang học,vàcao...hiệu suấtsức mạnhĐiện tử.

Đòn bẩycácSiCOIbệ,các nhà nghiên cứucóthành côngsản xuấtkhác nhaucao...chất lượngphotonicthiết bịnhư vậynhưthẳngdẫn sóng,Microringvàđĩa vi môĐộng cơ cộng hưởng,photonictinh thểdẫn sóng,điện-quang họcMáy điều chế,MachZehnderCác thiết bị đo nhiễu (MZI),vàquang họcchùmngười chia tay.Những cái nàycác thành phầnlàđặc trưngbởithấpsinh sảnmất mátvàtuyệt vờichức nănghiệu suất,cung cấpmạnh mẽcơ sở hạ tầngchocông nghệnhưlượng tửtruyền thông,photonictín hiệuchế biến,vàcao...tần sốsức mạnhhệ thống.

Bởisử dụngamỏngphimcấu trúcthườnghình thànhbởilớpđơn-tinh thểSiC (xung quanh500 ¢600nmdày)trênasilicondioxitSubstrateSiCOIcho phéphoạt độngtrongđòi hỏimôi trườngliên quancaonăng lượng,caonhiệt độ,vàvô tuyến...tần sốđiều kiện.Cái này.compositethiết kếvị tríSiCOInhưadẫn đầusànchoTiếp theo...thế hệquang điện tửvàlượng tửthiết bị.

Câu hỏi và câu trả lời

Q1:Cái gì?làaSiCOIWafer?
A1: ASiCOI (SiliconCarbidetrênPhân cách)Waferlàacompositecấu trúcbao gồmcủaamỏnglớpcủacao...chất lượngđơn-tinh thểsiliconcarbure (SiC)liên kếthoặcđược gửitrênmộtcách nhiệtlớp,thườngsilicondioxit (SiO2).Cái này.cấu trúcmáy kết hợpcáctuyệt vờinhiệtvàđiệntính chấtcủaSiCvớicáccô lậplợi íchcủamộtcách nhiệt,làmnócaophù hợpchoứng dụngtrongPhotonics,sức mạnhĐiện tử,vàlượng tửcông nghệ.

Q2:Cái gì?làcácchínhứng dụngkhu vựccủaSiCOIWafers?
A2: SiCOIVaylàrộng rãisử dụngtrongtích hợpPhotonics,lượng tửquang học,RFĐiện tử,cao...nhiệt độthiết bị,vàsức mạnhhệ thống.Thông thườngcác thành phầnbao gồmMicroringĐộng cơ cộng hưởng,MachZehnderCác thiết bị đo nhiễu (MZI),quang họcdẫn sóng,Máy điều chế,đĩa vi môĐộng cơ cộng hưởng,vàchùmngười chia tay.

Q4:Làm thế nào?làSiCOIVaySáng tạo?
A4: SiCOIVaycó thểđượcsản xuấtsử dụngkhác nhauphương pháp,bao gồmThông minh.Cắt (ion-cắtvàWaferkết nối),trực tiếpkết nốivớimàivàCMP,anodickết nốivớithủy tinh,hoặctrực tiếpkhai tháccủavô hìnhSiCviaPECVDhoặcđập nước.Cáclựa chọncủaphương phápphụ thuộctrêncácứng dụngvàmong muốnSiCphimchất lượng.

Sản phẩm liên quan