Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

Gallium Nitride wafer

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Trang chủ

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Sơ đồ trang web

Công ty

Về chúng tôi

Liên hệ chúng tôi

Blog

các giải pháp

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

6 '' C Máy bay wafer Sapphire SSP / DSP, Chất liệu Sapphire 150mm 650um / 1000um

Cửa sổ quang Sapphire

tùy chỉnh khối lập phương sapphire thô cho vỏ hình cầu quang

Silicon carbide wafer

Độ dày 0,5mm Dia 150mm 4H-N Silicon cacbua Wafer

Ống kính silic cacbua trong suốt không màu wafer Độ tinh khiết cao

Chất nền Sapphire trong suốt 4H-N, ống kính góa quang SiC Crystal

Kích thước tùy chỉnh Silicon carbide wafer 10 x10x0,5mm SiC pha lê 4H-N

Double Side Ba Lan Silicon wafer 2-6 '' 4H N - Tấm SiC pha tạp

Ống Sapphire

Hemisphere Sapphire Crystal Dome Quang 150mm 76mm 50mm Được đánh bóng tùy chỉnh

Các thành phần Sapphire chống ăn mòn Vòng đệm có dung sai lỗ ± 0,03mm

Độ cứng 9.0 Sapphire Thành phần cảm biến áp suất van Jewe Van không khí chính xác

1 * 11mm Các thành phần Sapphire Các thanh silicon đa tinh thể đơn tinh thể Xả kim điện cực

Chất nền bán dẫn

Chất nền bán dẫn InP đơn tinh thể dày 650um 4 inch

Chất nền chất bán dẫn TYPE 2-4 inch N / P InAs Chất nền tinh thể đơn tinh thể

Chất bán dẫn pha tạp Si Chất nền Gallium Asen GaAs wafer cho lò vi sóng / HEMT / PHEMT

Gallium antimonide Chất nền GaSb, Tinh thể đơn tinh thể cho chất bán dẫn

2 inch Gallium Phosphide Crystal Substrate GaP wafer 0,3 Độ dày bề mặt bị trượt

Đá quý tổng hợp

Tùy chỉnh Ruby Sapphire Đánh bóng Rod Ingot Ky Phương pháp tăng trưởng Đường kính 1 - 120mm

Tinh thể Sapphire pha tạp Al2o3 Ti tần số cao cho thiết bị laser

Sapphire màu đỏ pha tạp Sapphire pha tạp Sapphire pha lê đơn cho thiết bị laser

bộ phận gốm sứ

Silicon Carbide Ceramic Tray với CVD SiC Lớp phủ kích thước tùy chỉnh Sintering nhiệt độ cao

SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial

SiC Ceramic Tray Plate cho 2inch 4inch 6inch Wafer Processing và kích thước tùy chỉnh

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

YAG Sợi quang Yttrium Aluminium Garnet vật liệu truyền > 80% 400-3000 Nm Dia 25-500um

Máy trạm khoa học nhiệt cách nhiệt Flat Length Scientific Lab Equipment Isolated Fixed Focus Lens

LCD Display - Máy lấy nét cố định cách nhiệt cho thử nghiệm trong phòng thí nghiệm

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học wafer ủ nhiệt độ cao 1800 ° C

Băng ghế dự bị khoa học Thiết bị phòng thí nghiệm Máy đo quang truyền ánh sáng UV IR Dụng cụ

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Hộp vận chuyển Polypropylene Single Wafer 4 "101,6mm

Chất nền siêu tinh thể mỏng

10x10mmt Siêu dẫn chất nền đơn tinh thể Terbium Gallium Garnet cho thiết bị Laser

Chất siêu dẫn tinh thể mỏng đơn chất siêu dẫn MgAl2O4 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

Tinh thể đơn siêu dẫn Chất nền đơn tinh thể 10X10mm Định hướng Kẽm

Gallium Nitride wafer

Kích thước tùy chỉnh 5x10mm M Trục đứng tự do HVPE Gali Nitride Wafer

Si Fe pha tạp không pha tạp Gallium Nitride wafer 2 INCH Laser chiếu

2 inch DSP SSP Gallium Nitride wafer Một trục Sapphire tạo nền cho mẫu Epitax

21 22 23 24 25 26 27 28